PE管是由聚乙烯樹脂制成,其成分主要為碳和氫兩種原子
煤礦井下作業(yè)環(huán)境的特殊性對管材的運(yùn)輸與存儲提出了嚴(yán)格要求。
技術(shù)創(chuàng)新是驅(qū)動企業(yè)發(fā)展的中心動力。
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在安裝煤礦井下管材之前,必須進(jìn)行充分的準(zhǔn)備工作。
興義市君源塑膠管業(yè)有限公司
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PE管道——加工性能穩(wěn)定,施工便捷的新標(biāo)志
PE給水管材的抗壓性能解析
源塑膠管業(yè)深知技術(shù)創(chuàng)新是帶領(lǐng)企業(yè)發(fā)展的中心動力。
DDR測試
主要的DDR相關(guān)規(guī)范,對發(fā)布時間、工作頻率、數(shù)據(jù) 位寬、工作電壓、參考電壓、內(nèi)存容量、預(yù)取長度、端接、接收機(jī)均衡等參數(shù)做了從DDR1 到 DDR5的電氣特性詳細(xì)對比??梢钥闯鯠DR在向著更低電壓、更高性能、更大容量方向演 進(jìn),同時也在逐漸采用更先進(jìn)的工藝和更復(fù)雜的技術(shù)來實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)。以DDR5為例,相 對于之前的技術(shù)做了一系列的技術(shù)改進(jìn),比如在接收機(jī)內(nèi)部有均衡器補(bǔ)償高頻損耗和碼間 干擾影響、支持CA/CS訓(xùn)練優(yōu)化信號時序、支持總線反轉(zhuǎn)和鏡像引腳優(yōu)化布線、支持片上 ECC/CRC提高數(shù)據(jù)訪問可靠性、支持Loopback(環(huán)回)便于IC調(diào)測等。 DDR有那些測試解決方案;安徽DDR測試維修
DDR測試
DDR4/5的協(xié)議測試除了信號質(zhì)量測試以外,有些用戶還會關(guān)心DDR總線上真實(shí)讀/寫的數(shù)據(jù)是否正確,以及總線上是否有協(xié)議的違規(guī)等,這時就需要進(jìn)行相關(guān)的協(xié)議測試。DDR的總線寬度很寬,即使數(shù)據(jù)線只有16位,加上地址、時鐘、控制信號等也有30多根線,更寬位數(shù)的總線甚至?xí)玫缴习俑€。為了能夠?qū)@么多根線上的數(shù)據(jù)進(jìn)行同時捕獲并進(jìn)行協(xié)議分析,適合的工具就是邏輯分析儀。DDR協(xié)議測試的基本方法是通過相應(yīng)的探頭把被測信號引到邏輯分析儀,在邏輯分析儀中運(yùn)行解碼軟件進(jìn)行協(xié)議驗(yàn)證和分析。 信號完整性測試DDR測試多端口矩陣測試借助協(xié)議解碼軟件看DDR的會出現(xiàn)數(shù)據(jù)有那些;
9.DIMM之前介紹的大部分規(guī)則都適合于在PCB上含有一個或更多的DIMM,獨(dú)有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區(qū)別。在DIMM組里,對于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里,帶有少的短線菊花鏈拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和樹形拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是適用的。
10.案例上面所介紹的相關(guān)規(guī)則,在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里,都已經(jīng)得到普遍的應(yīng)用。在下面的案例中,我們采用MOSAID公司的控制器,它提供了對DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面,采用了IBIS模型,其存儲器的模型來自MICRONTechnolgy,Inc。對于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率。在這里,數(shù)據(jù)是操作是在1600Mbps下的。對于不帶緩存(unbufferedDIMM(MT_DDR3_0542cc)EBD模型是來自MicronTechnology,下面所有的波形都是采用通常的測試方法,且是在SDRAMdie級進(jìn)行計算和仿真的。
DDR測試
DDR4/5與LPDDR4/5的信號質(zhì)量測試由于基于DDR顆?;駾DRDIMM的系統(tǒng)需要適配不同的平臺,應(yīng)用場景千差萬別,因此需要進(jìn)行詳盡的信號質(zhì)量測試才能保證系統(tǒng)的可靠工作。對于DDR4及以下的標(biāo)準(zhǔn)來說,物理層一致性測試主要是發(fā)送的信號質(zhì)量測試;對于DDR5標(biāo)準(zhǔn)來說,由于接收端出現(xiàn)了均衡器,所以還要包含接收測試。DDR信號質(zhì)量的測試也是使用高帶寬的示波器。對于DDR的信號,技術(shù)規(guī)范并沒有給出DDR信號上升/下降時間的具體參數(shù),因此用戶只有根據(jù)使用芯片的實(shí)際快上升/下降時間來估算需要的示波器帶寬。通常對于DDR3信號的測試,推薦的示波器和探頭的帶寬在8GHz;DDR4測試建議的測試系統(tǒng)帶寬是12GHz;而DDR5測試則推薦使用16GHz以上帶寬的示波器和探頭系統(tǒng)。 DDR3規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義;
trombone線的時延是受到其并行走線之間的耦合而影響,一種在不需要提高其間距的情況下,并且能降低耦合的程度的方法是采用sawtooth線。顯然,sawtooth線比trombone線具有更好的效果。但是,依來看它需要更多的空間。由于各種可能造成時延不同的原因,所以,在實(shí)際的設(shè)計時,要借助于CAD工具進(jìn)行嚴(yán)格的計算,從而控制走線的時延匹配??紤]到在圖2中6層板上的過孔的因素,當(dāng)一個地過孔靠近信號過孔放置時,則在時延方面的影響是必須要考慮的。先舉個例子,在TOP層的微帶線長度是150mils,BOTTOM層的微帶線也是150mils,線寬都為4mils,且過孔的參數(shù)為:barreldiameter=”8mils”,paddiameter=”18mils”,anti-paddiameter=”26mils”。一種DDR4內(nèi)存信號測試方法;安徽DDR測試維修
DDR規(guī)范里關(guān)于信號建立保持是的定義;安徽DDR測試維修
5.串?dāng)_在設(shè)計微帶線時,串?dāng)_是產(chǎn)生時延的一個相當(dāng)重要的因素。通常,可以通過加大并行微帶線之間的間距來降低串?dāng)_的相互影響,然而,在合理利用走線空間上這是一個很大的弊端,所以,應(yīng)該控制在一個合理的范圍里面。典型的一個規(guī)則是,并行走線的間距大于走線到地平面的距離的兩倍。另外,地過孔也起到一個相當(dāng)重要的作用,圖8顯示了有地過孔和沒地過孔的耦合程度,在有多個地過孔的情況下,其耦合程度降低了7dB??紤]到互聯(lián)通路的成本預(yù)算,對于兩邊進(jìn)行適當(dāng)?shù)姆抡媸潜仨毜?,?dāng)在所有的網(wǎng)線上加一個周期性的激勵,將會由串?dāng)_產(chǎn)生的信號抖動,通過仿真,可以在時域觀察信號的抖動,從而通過合理的設(shè)計,綜合考慮空間和信號完整性,選擇比較好的走線間距。安徽DDR測試維修