本公開一般地涉及液體冷卻的集成電路系統(tǒng)、用于冷卻集成電路的裝置以及用于冷卻集成電路的方法。背景技術：現代計算機系統(tǒng)產生大量的熱量。盡管所述熱量中的一部分熱量是由電源及類似物產生，所述熱量中的大部分熱量是由諸如處理器和存儲芯片的集成電路產生的。為了合適地運行，這些計算機系統(tǒng)必須被保持在一定溫度范圍之內。因此，必須消散或以其他方式移除由這些處理器和存儲芯片產生的熱量。技術實現要素：在一個方面中，本公開的實施方式提供一種液體冷卻的集成電路系統(tǒng)，所述液體冷卻的集成電路系統(tǒng)包括：兩個印刷電路裝配件，每個所述印刷電路裝配件包括：系統(tǒng)板，平行地安裝在所述系統(tǒng)板上的多個印刷電路板插座，和多個冷卻管，每個所述冷卻管平行且鄰接于所述印刷電路板插座中的對應的一個印刷電路板插座地安裝在所述系統(tǒng)板上，所述冷卻管中的每個冷卻管具有在該冷卻管的與所述系統(tǒng)板相對的一側上粘附至所述冷卻管的熱接口材料層；以及多個集成電路模塊，每個所述集成電路模塊包括：印刷電路板，所述印刷電路板具有布置在所述印刷電路板插座中的一個印刷電路板插座中的連接側；安裝在所述印刷電路板上的一個或多個集成電路，第二熱接口材料層。存儲器和特定應用集成電路是其他集成電路家族的例子，對于現代信息社會非常重要。長春巨大規(guī)模集成電路IC
在磁固定膜上方形成介電阻擋膜，并且在介電阻擋膜上方形成磁自由膜來形成多個mtj器件、和?？梢詫Υ殴潭?、介電阻擋層和磁自由膜實施一個或多個圖案化工藝以限定多個mtj器件、和。在其它實施例中，可以在不同時間形成多個mtj器件、和。的截面圖所示，在多個mtj器件、和上方形成多個頂電極通孔。多個頂電極通孔由ild層圍繞。在一些實施例中?？梢栽诙鄠€mtj器件、和上方沉積ild層，并且然后選擇性地圖案化ild層以限定頂電極通孔開口。然后通過沉積工藝在頂電極通孔開口內形成多個頂電極通孔。在各個實施例中，ild層可以包括一種或多種介電材料，諸如二氧化硅(sio)、sicoh、氟硅酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃(例如，硼磷硅酸鹽玻璃)等。在各個實施例中，多個頂電極通孔可以包括導電材料，諸如鈦、氮化鈦、鉭等。在多個mtj器件、和上方的第三ild層內形成互連層b。在一些實施例中，互連層b包括限定存儲單元a,的位線bl和一條或多條字線wl至wl的多個互連結構。在一些實施例中，第三ild層可以包括通過一個或多個沉積工藝(例如，pvd、cvd、pe-cvd等)形成的電介質(例如，氧化物、低k電介質或k電介質)。可以通過選擇性地蝕刻第三ild層以在第三ild層內形成開口來形成互連層b。佛山巨大規(guī)模集成電路引腳我國的集成電路產業(yè)起步較晚，因此發(fā)展集成電路顯得越來越重要。
提供的通過mtj器件的電流必須大于切換電流(即，臨界切換電流)。不大于切換電流的電流將不會導致電阻狀態(tài)之間的切換，并且因此不會將數據寫入存儲器陣列內的mtj器件。在一些實施例中。公開的寫入操作可以在調節(jié)mtj器件(例如，圖中的至)處于高電阻狀態(tài)來實施，以在選擇和未選擇的單元之間提供隔離。a的示意圖所示，寫入操作的步驟通過將數據狀態(tài)寫入存儲器陣列的行中的存儲單元a,和第三存儲單元a,內的工作mtj器件來實施。通過將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl和wl，將非零偏置電壓v(例如，v)施加至字線wl，將第三非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl和bl，并且將第四非零偏置電壓v(例如，v)施加至位線bl來實施寫入操作的步驟。非零偏置電壓v(例如，v)和第三非零偏置電壓v(例如，v)之間的差異使得電流i流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內的調節(jié)mtj器件。電流i小于切換電流isw，使得存儲單元a,和第三存儲單元a,內的調節(jié)mtj器件的狀態(tài)不變。然而，來自調節(jié)mtj器件的電流加在一起，使得為電流i的兩倍的電流流過存儲單元a,和第三存儲單元a,內的工作mtj器件。電流i的兩倍的電流大于切換電流isw，以將數據狀態(tài)寫入存儲單元a,和第三存儲單元a,內的工作mtj器件。存儲單元a。
介電結構圍繞存儲單元a,。存儲單元a,包括工作mtj器件和具有調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件的調節(jié)訪問裝置。介電結構還圍繞多個導電互連層a至f。多個導電互連層a至f包括互連層a，互連層a在存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結構?；ミB層a通過互連層b和多個通孔a連接至存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。第三互連層c具有離散的互連結構。離散的互連結構限定連接至圖的存儲器陣列的列內的相應存儲單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲器陣列的行內的相應存儲單元的位線bl。在一些實施例中，存儲單元a,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件可以通過多個通孔b連接至第三互連層c。在一些實施例中，一個或多個附加存儲單元可以布置在存儲單元a,上方。在這樣的實施例中，第四互連層d在存儲單元b,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件正下方延伸為連續(xù)結構。第四互連層d通過第五互連層e和第三多個通孔c連接至存儲單元b,的工作mtj器件、調節(jié)mtj器件和調節(jié)mtj器件。第六互連層f限定連接至圖的存儲器陣列的列內的相應存儲單元的兩條字線wl至wl以及連接至圖的存儲器陣列的行內的相應存儲單元的位線bl。在一些實施例中。德州的集成電路渠道，找什么深圳市美信美科技。
字線解碼器和偏置電路可以包括相同的電路元件(即，字線解碼器可以將信號施加至偏置電壓線bvly)。在操作期間，為了訪問工作mtj器件，偏置電路和字線解碼器可以將電壓施加至偏置電壓線bvly和字線wlx，以設置存儲器陣列的行內的調節(jié)mtj器件的值。隨后，位線解碼器可以施加位線電壓，該位線電壓允許訪問多個存儲單元a,至c,中的選擇的存儲單元，而不訪問多個存儲單元a,至c,中的未選擇的存儲單元。例如，為了將數據寫入存儲單元a,內的工作mtj器件，可以將組偏置電壓施加至字線wl和偏置電壓線bvl。組偏置電壓賦予行內的調節(jié)訪問裝置低電阻?？梢詫⒔M偏置電壓施加至其它行中的偏置電壓線bvl和字線wl，以賦予其它行內的調節(jié)訪問裝置高電阻。然后將位線電壓施加至位線bl。存儲單元a,內的調節(jié)訪問裝置的低電阻使得大電流(例如，大于切換電流)流過存儲單元a,內的工作mtj器件，同時存儲單元a,內的調節(jié)訪問裝置的高電阻使得小電流(例如，小于切換電流)流過存儲單元a,內的工作mtj器件。圖b示出了對應于圖a的存儲器電路的集成電路的一些實施例的截面圖。圖a至圖b示出了包括存儲器電路的集成芯片的一些額外實施例，該存儲器電路具有被配置為選擇性地對工作mtj器件提供訪問的調節(jié)訪問裝置。這些年來，集成電路持續(xù)向更小的外型尺寸發(fā)展，使得每個芯片可以封裝更多的電路。徐州扁平形集成電路報價
集成電路的性能很高，因為小尺寸帶來短路徑，使得低功率邏輯電路可以在快速開關速度應用。長春巨大規(guī)模集成電路IC
泵將被加熱的液體從雙列直插式存儲模塊組件移除。熱交換器冷卻被加熱的液體。儲液器適應液體體積的改變。圖a和圖b示出了根據一個實施例的雙列直插式深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。存儲模塊組件。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括：一般經營項目是：電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售；國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD（亞德諾）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于：汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。圖a是雙列直插式存儲模塊組件在其裝配狀態(tài)下的圖。雙列直插式存儲模塊組件的分解圖在圖b中示出。雙列直插式存儲模塊組件包括印刷電路板，印刷電路板上安裝有一個或多個集成電路(一般地以示出)。印刷電路板一般是雙側的，集成電路安裝在印刷電路板的兩側上。長春巨大規(guī)模集成電路IC