嘉興20V至100V N+P MOSFET功率器件MOS產(chǎn)品選型技術(shù)

單個電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過的電流大小也是一定的。因此，由單個電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實用中多用幾個電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯(lián)時則希望各元件能分擔同樣的電流。但由于器件的個異性，串、并聯(lián)時，各器件并不能完全均勻地分擔電壓和電流。所以，在電力電子器件串聯(lián)時，要采取均壓措施；在并聯(lián)時，要采取均流措施。功率半導體器件主要包括三大類：功率模組、功率集成電路（即PowerIC，簡稱PIC，也稱功率IC）以及分立器件。嘉興20V至100V N+P MOSFET功率器件MOS產(chǎn)品選型技術(shù)

功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計算機領(lǐng)域的筆記本、PC、服務(wù)器、顯示器以及各種外設(shè);網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機、電話以及其它各種終端和局端設(shè)備;消費電子領(lǐng)域的傳統(tǒng)黑白家電和各種數(shù)碼產(chǎn)品;工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設(shè)備等。

電力電子器件工作時，會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此，必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。 東莞12V至200V P MOSFET功率器件MOS產(chǎn)品選型技術(shù)功率場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）?是一種電壓控制型半導體器件，主要用于功率放大和開關(guān)應(yīng)用。

功率MOSFET是70年代末開始應(yīng)用的新型電力電子器件，適合于數(shù)千瓦以下的電力電子裝置，能***縮小裝置的體積并提高其性能，預(yù)期將逐步取代同容量的 GTR。功率MOSFET的發(fā)展趨勢是提高容量，普及應(yīng)用，與其他器件結(jié)合構(gòu)成復(fù)合管，將多個元件制成組件和模塊，進而與控制線路集成在一個模塊中（這將會更新電力電子線路的概念）。此外，隨著頻率的進一步提高，將出現(xiàn)能工作在微波領(lǐng)域的大容量功率MOSFET。這些參數(shù)反映了功率場效應(yīng)晶體管在開關(guān)工作狀態(tài)下的瞬間響應(yīng)特性，在功率場效應(yīng)晶體管用于電機控制等用途時特別有用。

功率MOS管選型需根據(jù)應(yīng)用場景、電壓、電流、熱性能等關(guān)鍵參數(shù)綜合考量。以下為具體步驟和要點：

選型步驟?

1.明確N/P溝道類型?N溝道適用于低壓側(cè)開關(guān)（如12V系統(tǒng)），P溝道適用于高壓側(cè)開關(guān)（如驅(qū)動電機）。 ?

2.確定額定電壓（VDS）?通常為總線電壓的1.5-2倍，需考慮溫度波動和瞬態(tài)電壓。 ?

3.計算額定電流（ID）?需滿足最大負載電流及峰值電流（建議留5-7倍余量）。 ?

4.評估導通損耗（RDS(on)）?導通電阻越低，損耗越小，建議優(yōu)先選擇RDS(on)≤0.5Ω的器件。

5.熱設(shè)計?滿負荷工作時表面溫度不超過120℃，需配合散熱措施。 ?

關(guān)鍵參數(shù)說明?柵極電荷（Qg）?：

1.影響開關(guān)速度和效率，需與驅(qū)動電路匹配。 ?

2.品質(zhì)因數(shù)（FoM）?：綜合考慮RDS(on)和Qg的平衡，F(xiàn)oM值越小越好。 ?

3.封裝選擇?：大功率需用TO-220或DPAK封裝，兼顧散熱和空間限制。

注意事項

并聯(lián)使用時需確保驅(qū)動能力匹配，避免因參數(shù)差異導致分流不均。 ?

避免串聯(lián)使用MOS管，防止耐壓不足引發(fā)故障。 功率器件，也被稱為電力電子器件，簡單來說，就是具有處理高電壓、大電流能力的功率型半導體器件.

無錫商甲半導體提供專業(yè)選型服務(wù)

封裝選擇關(guān)鍵因素

功率需求高功率（>100W）：TO-247、TO-220、D2PAK。

中低功率（<100W）：DPAK、SO-8、QFN。

**功率（信號級）：SOT-23、SC-70。

散熱條件

需要強制散熱或大面積PCB銅箔散熱時，優(yōu)先選帶散熱片的封裝（如TO-247、D2PAK）。

自然散熱場景可選SO-8或QFN（需優(yōu)化PCB散熱設(shè)計）。

空間限制

緊湊型設(shè)備（如手機、穿戴設(shè)備）：QFN、SOT-23。

工業(yè)設(shè)備或電源模塊：TO系列或D2PAK。

高頻性能

高頻應(yīng)用（>1MHz）：QFN、DirectFET、SO-8（低寄生電感/電容）。

低頻應(yīng)用（如開關(guān)電源）：TO系列或DPAK。

安裝方式

插件焊接（THT）：TO-220、TO-247。

貼片焊接（SMT）：DPAK、SO-8、QFN（適合自動化生產(chǎn)）。

成本與量產(chǎn)

低成本需求：TO-220、SOT-23。

高性能需求：DirectFET、QFN（成本較高，但性能優(yōu)）。 TO封裝作為早期的封裝規(guī)格，這種封裝形式以其高耐壓和強抗擊穿能力著稱，適用于中高壓、大電流的MOS管。東莞電動汽車功率器件MOS產(chǎn)品選型銷售價格

插入式封裝與表面貼裝式封裝各有優(yōu)劣，但隨著表面貼裝技術(shù)的進步，提供了更多的安裝和散熱解決方案。嘉興20V至100V N+P MOSFET功率器件MOS產(chǎn)品選型技術(shù)

各種電力電子器件均具有導通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件，其門極信號能控制元件的導通，但不能控制其關(guān)斷，稱半控型器件?？申P(guān)斷晶閘管、功率晶體管等器件，其門極信號既能控制器件的導通，又能控制其關(guān)斷，稱全控型器件。后兩類器件控制靈活，電路簡單，開關(guān)速度快，廣泛應(yīng)用于整流、逆變、斬波電路中，是電動機調(diào)速、發(fā)電機勵磁、感應(yīng)加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的重要部件。這些器件構(gòu)成裝置不僅體積小、工作可靠，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%)。嘉興20V至100V N+P MOSFET功率器件MOS產(chǎn)品選型技術(shù)