雙向晶閘管(Triac)是一種能雙向?qū)ǖ陌雽?dǎo)體功率器件,本質(zhì)上相當(dāng)于兩個反并聯(lián)的普通晶閘管(SCR)集成在同一芯片上。其結(jié)構(gòu)由五層半導(dǎo)體(P-N-P-N-P)構(gòu)成,擁有三個電極:主端子 T1、T2 和門極 G。與單向晶閘管不同,雙向晶閘管無論在交流電壓的正半周還是負(fù)半周,只要門極施加合適的觸發(fā)信號,就能導(dǎo)通。觸發(fā)方式分為四種模式:T2 為正,G 為正(模式 Ⅰ+);T2 為正,G 為負(fù)(模式 Ⅰ-);T2 為負(fù),G 為正(模式 Ⅲ+);T2 為負(fù),G 為負(fù)(模式 Ⅲ-)。其中,模式 Ⅰ+ 的觸發(fā)靈敏度*高,模式 Ⅲ- *低。雙向晶閘管的伏安特性曲線關(guān)于原點(diǎn)對稱,體現(xiàn)了其雙向?qū)щ姷奶匦?。在交流電路中,通過控制觸發(fā)角可實(shí)現(xiàn)對交流電的斬波調(diào)壓,廣泛應(yīng)用于調(diào)光器、電機(jī)調(diào)速和家用電子設(shè)備中。例如,在臺燈調(diào)光電路中,雙向晶閘管可根據(jù)用戶需求調(diào)節(jié)導(dǎo)通角,改變燈泡兩端的有效電壓,從而實(shí)現(xiàn)燈光亮度的平滑調(diào)節(jié)。 晶閘管模塊集成多個芯片,提高功率密度和可靠性。中國香港賽米控晶閘管
可控整流是單向晶閘管的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。在單相半波可控整流電路中,晶閘管在交流輸入電壓的正半周內(nèi),根據(jù)觸發(fā)角的大小導(dǎo)通,將交流電轉(zhuǎn)換為脈動直流電。通過改變觸發(fā)角的大小,可以調(diào)節(jié)輸出直流電壓的平均值。在單相橋式全控整流電路中,四個晶閘管組成橋式結(jié)構(gòu),能夠在交流輸入電壓的正負(fù)半周都進(jìn)行整流,輸出電壓的脈動程度比半波整流電路小,平均電壓更高。在三相可控整流電路中,晶閘管將三相交流電轉(zhuǎn)換為直流電,具有輸出電壓高、脈動小等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于大功率直流電機(jī)調(diào)速、電解、電鍍等領(lǐng)域。例如,在直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)中,通過調(diào)節(jié)晶閘管的觸發(fā)角,可以改變電機(jī)的輸入電壓,從而實(shí)現(xiàn)對電機(jī)轉(zhuǎn)速的平滑調(diào)節(jié),提高了系統(tǒng)的效率和控制精度。 安徽晶閘管直銷晶閘管在感應(yīng)加熱設(shè)備中用于高頻功率控制。
晶閘管的觸發(fā)電路是確保其可靠工作的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。設(shè)計觸發(fā)電路時,需考慮觸發(fā)脈沖的幅度、寬度、前沿陡度以及與主電路的同步問題。同步問題是觸發(fā)電路設(shè)計的重要挑戰(zhàn)之一。在交流電路中,觸發(fā)脈沖必須與電源電壓保持嚴(yán)格的相位關(guān)系,以實(shí)現(xiàn)對導(dǎo)通角的精確控制。常用的同步方法包括變壓器同步、過零檢測同步和數(shù)字鎖相環(huán)(PLL)同步。例如,在交流調(diào)壓電路中,通過檢測電源電壓過零點(diǎn)作為基準(zhǔn),再延遲一定角度(觸發(fā)角α)輸出觸發(fā)脈沖,即可實(shí)現(xiàn)對負(fù)載功率的調(diào)節(jié)。觸發(fā)脈沖參數(shù)的選擇直接影響晶閘管的性能。觸發(fā)脈沖幅度一般為門極觸發(fā)電流的3-5倍,以確??煽坑|發(fā);脈沖寬度需大于晶閘管的開通時間(通常為5-20μs);前沿陡度應(yīng)足夠大(通常要求di/dt>1A/μs),以提高晶閘管的動態(tài)響應(yīng)速度。隔離技術(shù)在觸發(fā)電路中至關(guān)重要。為避免主電路高壓對控制電路的干擾,通常采用脈沖變壓器、光耦或光纖進(jìn)行電氣隔離。例如,光耦隔離觸發(fā)電路利用發(fā)光二極管將電信號轉(zhuǎn)換為光信號,再通過光敏三極管還原為電信號,實(shí)現(xiàn)信號傳輸?shù)耐瑫r切斷電氣連接。
晶閘管模塊(Thyristor Module)是一種集成了晶閘管芯片、驅(qū)動電路、散熱結(jié)構(gòu)和保護(hù)功能的功率電子器件,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子、新能源等領(lǐng)域。與分立式晶閘管相比,模塊化設(shè)計具有更高的功率密度、更好的散熱性能和更便捷的系統(tǒng)集成能力。
晶閘管芯片:如單向晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)等。
驅(qū)動電路:部分模塊(如智能功率模塊IPM)內(nèi)置驅(qū)動IC,簡化外部控制。
散熱基板:采用銅或鋁基板,部分大功率模塊采用陶瓷基板(如AlN、Al?O?)以提高導(dǎo)熱性。
封裝結(jié)構(gòu):常見的有塑封(TO-247)、螺栓型(如SEMIKRONSKM系列)、平板壓接式等。
保護(hù)元件:部分模塊集成溫度傳感器、過流保護(hù)、RC緩沖電路等。
晶閘管的開關(guān)速度較慢,不適合高頻電路。
可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個PN結(jié),分析原理時,可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。雙向可控硅:雙向可控硅是一種硅可控整流器件,也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。從外表上看,雙向可控硅和普通可控硅很相似,也有三個電極。但是,它除了其中一個電極G仍叫做控制極外,另外兩個電極通常卻不再叫做陽極和陰極,而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號也和普通可控硅不同,是把兩個可控硅反接在一起畫成的。它的型號,在我國一般用“3CTS”或“KS”表示;國外的資料也有用“TRIAC”來表示的。雙向可控硅的規(guī)格、型號、外形以及電極引腳排列依生產(chǎn)廠家不同而有所不同,但其電極引腳多數(shù)是按T1、T2、G的顧序從左至右排列(觀察時,電極引腳向下,面對標(biāo)有字符的一面)。 晶閘管的觸發(fā)電路需匹配門極特性以提高可靠性。西藏晶閘管報價
晶閘管的關(guān)斷時間影響其工作頻率上限。中國香港賽米控晶閘管
雙向晶閘管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用技術(shù)在高電壓、大電流應(yīng)用場景中,需將多個雙向晶閘管并聯(lián)或串聯(lián)使用。并聯(lián)應(yīng)用時,主要問題是電流不均衡。由于各器件的伏安特性差異,可能導(dǎo)致部分器件過載。解決方法包括:1)選用同一批次、參數(shù)匹配的雙向晶閘管。2)在每個器件上串聯(lián)小阻值均流電阻(如 0.1Ω/5W),抑制電流不均。3)采用均流電抗器,利用電感的電流滯后特性平衡電流。串聯(lián)應(yīng)用時,主要問題是電壓不均衡。各器件的反向漏電流差異會導(dǎo)致電壓分配不均,可能使部分器件承受過高電壓而擊穿。解決方法有:1)在每個雙向晶閘管兩端并聯(lián)均壓電阻(如 100kΩ/2W),使漏電流通過電阻分流。2)采用 RC 均壓網(wǎng)絡(luò)(如 0.1μF/400V 電容與 100Ω/2W 電阻串聯(lián)),抑制電壓尖峰。3)使用電壓檢測電路實(shí)時監(jiān)測各器件電壓,動態(tài)調(diào)整均壓措施。實(shí)際應(yīng)用中,雙向晶閘管的并聯(lián)和串聯(lián)往往結(jié)合使用,以滿足高電壓、大電流的需求,如高壓固態(tài)軟啟動器、大功率交流調(diào)壓器等。 中國香港賽米控晶閘管