EAP配置中低電容ESD保護(hù)二極管:它由三個(gè)二極管組成:低電容二極管1和二極管2(電容分別為C(1)和C(2))和高電容二極管3(電容為C(3))。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積小,反向擊穿電壓(V(BR))高,而二極管3的pn結(jié)面積大,并且有足夠大的反向擊穿電壓(V(BR))。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1,加到陰極的ESD電流沿正向流過二極管2,然后反向流過二極管3,因?yàn)槎O管3的V(BR)低于二極管1。通常,二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小,因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而,ESD保護(hù)二極管配置如圖3.5(a)所示時(shí),ESD電流不會(huì)反向流過二極管1和二極管2。因此,這個(gè)電路整體上提高了ESD抗擾度。圖3.5(b)顯示這個(gè)ESD保護(hù)二極管的等效電容電路。低電容二極管2和高電容二極管3串聯(lián),可以減小組合電容。此外,由于該電路V(BR)由二極管3的V(BR)決定,因此可以根據(jù)被保護(hù)的信號(hào)線調(diào)整二極管3的V(BR),從而提高ESD抗擾度。高阻抗:在正常工作條件下,ESD保護(hù)二極管呈現(xiàn)高阻抗?fàn)顟B(tài),對(duì)電路的影響微乎其微。新型ESD保護(hù)二極管SR15D3BL怎么樣
ESD(Electrostatic Discharge,靜電放電)保護(hù)二極管***適用于各種需要防止靜電放電對(duì)電子設(shè)備造成損害的場(chǎng)合。以下是一些主要的應(yīng)用場(chǎng)合:集成電路(IC)和半導(dǎo)體器件:在IC制造、封裝、測(cè)試以及**終產(chǎn)品組裝過程中,ESD保護(hù)二極管能夠保護(hù)脆弱的芯片不受靜電沖擊。特別是針對(duì)高集成度、低功耗和高速的IC,ESD保護(hù)二極管的作用尤為重要。消費(fèi)電子設(shè)備:包括智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、相機(jī)、耳機(jī)等,這些設(shè)備在日常使用中容易遭受靜電放電的影響。廣州常規(guī)ESD保護(hù)二極管SR12D3BL售價(jià)多層二極管:由多個(gè)二極管層疊而成,提供更高的ESD保護(hù)能力。
ESD保護(hù)二極管總電容(C(T))相對(duì)于受保護(hù)信號(hào)線的頻率是否足夠低:圖3.3顯示ESD保護(hù)二極管的等效電路。二極管在正常工作期間不導(dǎo)通。此時(shí),pn結(jié)交界面形成耗盡層,如圖3.3所示。耗盡層在電氣上起電容的作用。因此,除非在考慮被保護(hù)信號(hào)線頻率的基礎(chǔ)上,正確選擇ESD保護(hù)二極管,否則信號(hào)質(zhì)量會(huì)下降。圖3.4顯示了總電容(C(T))分別為5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保護(hù)二極管插入損耗特性。電容大的二極管插入損耗高(如圖所示,特性曲線負(fù)值變化較大),從而限制了可使用的頻率范圍。例如,在Thunderbolt(帶寬為10Gbps,相當(dāng)于5GHz的頻率)的情況下,電容?。?.1pF至0.3pF)的ESD保護(hù)二極管插入損耗小,幾乎不會(huì)影響二極管傳輸?shù)男盘?hào),而5pF電容的ESD保護(hù)二極管插入損耗大,通過二極管的信號(hào)明顯衰減。
TVS二極管(ESD保護(hù)二極管)的主要電氣特性:正常工作狀態(tài)(無ESD事件)的主要特性由于ESD保護(hù)二極管反向連接,正常工作時(shí),其兩端電壓低于反向擊穿電壓(V(BR))。因此,ESD保護(hù)二極管正常工作時(shí)不導(dǎo)通。此時(shí),pn結(jié)形成耗盡層,二極管起電容器作用。選擇ESD保護(hù)二極管時(shí),以下三個(gè)注意事項(xiàng)適用于正常工作狀態(tài):正常工作狀態(tài)(無ESD事件)的主要特性。ESD保護(hù)二極管反向擊穿電壓(V(BR))是否充分高于被保護(hù)信號(hào)線的振幅(最大電壓),ESD保護(hù)二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓(V(BR))時(shí),漏電流增加。電壓接近V(BR)時(shí),漏電流可能使保護(hù)信號(hào)線的波形失真。反向電流(I(R))隨反向電壓(V(R))成指數(shù)增長(zhǎng)。選擇V(RWM)高于被保護(hù)信號(hào)線振幅的ESD保護(hù)二極管非常重要。根據(jù)客戶的需求和設(shè)備的特點(diǎn),可以設(shè)計(jì)合適的ESD靜電保護(hù)二極管的應(yīng)用方案。
總電容由二極管結(jié)電容和封裝中的寄生電容組成。其中很大一部分是結(jié)電容。反向偏置時(shí),二極管因pn結(jié)(p:p型半導(dǎo)體,n:n型半導(dǎo)體)形成耗盡層產(chǎn)生電容。與電容相反,耗盡層起阻擋層的作用,只有少數(shù)載流子通過。降低半導(dǎo)體區(qū)摻雜濃度會(huì)增加耗盡層寬度。因此,為了減小二極管的電容,有必要減小pn結(jié)面積或提高反向擊穿電壓(V(BR)),但任何一種方式都會(huì)導(dǎo)致ESD抗擾度下降。當(dāng)兩個(gè)二極管串聯(lián)時(shí),它們的組合電容減小。此外,二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容(C(t))ESD保護(hù)二極管采用ESD二極管陣列工藝(EAP)制造,多個(gè)二極管組合在一起減小電容,不影響ESD抗擾度。采用多級(jí)保護(hù)電路,可以很好地提高保護(hù)效果。深圳ESD保護(hù)二極管SR18D3BL型號(hào)多少錢
ESD二極管可以有效保護(hù)USB、HDMI、Ethernet接口,防止靜電放電造成的電壓瞬變對(duì)內(nèi)部電路的破壞。新型ESD保護(hù)二極管SR15D3BL怎么樣
鉗位電壓是ESD保護(hù)二極管的一個(gè)重要參數(shù),它表示在承受ESD沖擊時(shí),系統(tǒng)將會(huì)受到的沖擊電壓值。在選擇ESD保護(hù)二極管時(shí),需要關(guān)注其鉗位電壓的大小,以確保在ESD沖擊發(fā)生時(shí),系統(tǒng)能夠承受住相應(yīng)的電壓沖擊。雖然ESD保護(hù)二極管在保護(hù)電路方面起到了重要作用,但其寄生電容也可能對(duì)信號(hào)完整性造成干擾。寄生電容的存在會(huì)增加信號(hào)的上升和下降時(shí)間,導(dǎo)致信號(hào)失真。因此,在選擇ESD保護(hù)二極管時(shí),需要關(guān)注其寄生電容的大小,以確保不會(huì)對(duì)信號(hào)完整性造成過大的影響。新型ESD保護(hù)二極管SR15D3BL怎么樣