場效應(yīng)晶體管場效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場影響而改變其電阻(簡稱場效應(yīng)),使具有放大信號的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個電極稱為源和漏。
控制橫向電場的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場效應(yīng)晶體管可以分為三種:
①結(jié)型場效應(yīng)管(用PN結(jié)構(gòu)成柵極);
②MOS場效應(yīng)管(用金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成柵極,見金屬-絕緣體-半導(dǎo)體系統(tǒng));
③MES場效應(yīng)管(用金屬與半導(dǎo)體接觸構(gòu)成柵極);其中MOS場效應(yīng)管使用*****。尤其在大規(guī)模集成電路的發(fā)展中,MOS大規(guī)模集成電路具有特殊的優(yōu)越性。MES場效應(yīng)管一般用在GaAs微波晶體管上。在MOS器件的基礎(chǔ)上,又發(fā)展出一種電荷耦合器件 (CCD),它是以半導(dǎo)體表面附近存儲的電荷作為信息,控制表面附近的勢阱使電荷在表面附近向某一方向轉(zhuǎn)移。這種器件通??梢杂米餮舆t線和存儲器 等;配上光電二極管列陣,可用作攝像管。 走進(jìn)無錫微原電子科技的世界,感受半導(dǎo)體器件行業(yè)的蓬勃生機(jī)!奉賢區(qū)國產(chǎn)半導(dǎo)體器件
將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體,并緩慢擠壓生長成棒狀?;貧w型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來的,如果擠出速度快,則生長出P型半導(dǎo)體,如果慢則生長出N型半導(dǎo)體。因為基極區(qū)較厚,高頻特性較差。戈隆擴(kuò)散當(dāng)在擠壓過程中添加到溶解半導(dǎo)體中的雜質(zhì)發(fā)生變化時,根據(jù)晶體的位置,P型或N型半導(dǎo)體會生長。通過這種方法,可以生產(chǎn)二極管的PN和用于二極管的PNP(或NPN),制作了一個晶體管。
端子電極形成在同一平面上,縮短了電流路徑,具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細(xì)加工和應(yīng)用照相技術(shù)排列許多元件來制造,因此可以精確地大量生產(chǎn),利用這一特點,發(fā)明了單片集成電路。
國產(chǎn)半導(dǎo)體器件發(fā)展現(xiàn)狀在半導(dǎo)體器件的征途上,無錫微原電子科技始終堅定前行,不斷超越!
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雙極型晶體管它是由兩個PN結(jié)構(gòu)成,其中一個PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),另一個稱為集電結(jié)。兩個結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應(yīng)用時,發(fā)射結(jié)處于正向偏置,集電極處于反向偏置。通過發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里,這些少數(shù)載流子靠擴(kuò)散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流,只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。在共發(fā)射極電路中,微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化,這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類。想知道與貴司進(jìn)行合作的基本條件。楊浦區(qū)半導(dǎo)體器件歡迎選購
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光電探測器光電探測器的功能是把微弱的光信號轉(zhuǎn)換成電信號,然后經(jīng)過放大器將電信號放大,從而達(dá)到檢測光信號的目的。光敏電阻是**早發(fā)展的一種光電探測器。它利用了半導(dǎo)體受光照后電阻變小的效應(yīng)。此外,光電二極管、光電池都可以用作光電探測元件。十分微弱的光信號,可以用雪崩光電二極管來探測。它是把一個PN結(jié)偏置在接近雪崩的偏壓下,微弱光信號所激發(fā)的少量載流子通過接近雪崩的強場區(qū),由于碰撞電離而數(shù)量倍增,因而得到一個較大的電信號。除了光電探測器外,還有與它類似的用半導(dǎo)體制成的粒子探測器。
奉賢區(qū)國產(chǎn)半導(dǎo)體器件
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