浙江射頻芯片封裝

為應對Chiplet集成挑戰(zhàn)，中清航科推出自主知識產(chǎn)權的混合鍵合（HybridBonding）平臺。采用銅-銅直接鍵合工藝，凸點間距降至5μm，互連密度達10?/mm2。其測試芯片在16核處理器集成中實現(xiàn)8Tbps/mm帶寬，功耗只為傳統(tǒng)方案的1/3。中清航科研發(fā)的納米銀燒結膠材料突破高溫封裝瓶頸。在SiC功率模塊封裝中，燒結層導熱系數(shù)達250W/mK，耐受溫度600℃，使模塊壽命延長5倍。該材料已通過ISO26262認證，成為新能源汽車OBC充電模組優(yōu)先選擇方案。芯片封裝良率影響成本，中清航科工藝改進，將良率提升至行業(yè)前列。浙江射頻芯片封裝

在光學性能優(yōu)化方面，LED封裝廠家通過創(chuàng)新熒光粉涂覆工藝，實現(xiàn)更均勻的光色分布。采用納米級熒光粉噴涂技術，結合準確的點膠控制，可減少光斑色差，使COB光源的顯色指數(shù)達到95以上，滿足照明與顯示場景需求。例如，在商業(yè)照明領域，COB光源以其無暗區(qū)、光線柔和的特性，廣泛應用于商場、展覽館等場所，提升照明品質(zhì)。在應用實踐中，COB技術在顯示屏領域優(yōu)勢明顯。LED封裝廠家通過縮小芯片間距，實現(xiàn)更高的像素密度，助力小間距LED顯示屏的發(fā)展。從散熱到光學，從材料到工藝，LED封裝廠家在COB技術上的持續(xù)突破，不僅推動了LED產(chǎn)品性能升級，更為照明與顯示行業(yè)帶來了新的發(fā)展機遇。江蘇dfn封裝測試芯片封裝可靠性需長期驗證，中清航科加速老化測試，提前暴露潛在問題。

針對TMR傳感器靈敏度，中清航科開發(fā)磁屏蔽封裝。坡莫合金屏蔽罩使外部場干擾＜0.1mT，分辨率達50nT。電流傳感器精度達±0.5%，用于新能源汽車BMS系統(tǒng)。中清航科微型熱電發(fā)生器實現(xiàn)15%轉換效率。Bi?Te?薄膜與銅柱互聯(lián)結構使輸出功率密度達3mW/cm2（ΔT=50℃）。物聯(lián)網(wǎng)設備實現(xiàn)供能。中清航科FeRAM封裝解決數(shù)據(jù)保持難題。鋯鈦酸鉛薄膜與耐高溫電極使1012次讀寫后數(shù)據(jù)保持率＞99%。125℃環(huán)境下數(shù)據(jù)保存超10年，適用于工業(yè)控制存儲。

中清航科的品牌建設與口碑：經(jīng)過多年的發(fā)展，中清航科憑借質(zhì)優(yōu)的產(chǎn)品、先進的技術和完善的服務，在芯片封裝行業(yè)樹立了良好的品牌形象。公司的產(chǎn)品和服務得到了客戶的認可，積累了良好的市場口碑。許多客戶與公司建立了長期合作關系，不僅是因為公司的技術實力，更是信賴其可靠的產(chǎn)品質(zhì)量和貼心的客戶服務。與中清航科合作的成功案例分享：多年來，中清航科與眾多行業(yè)客戶建立了合作關系，取得了一系列成功案例。例如，為某通信設備制造商提供5G基站芯片封裝服務，通過采用先進的SiP技術，提高了芯片集成度和通信速度，助力該客戶的5G基站產(chǎn)品在市場上占據(jù)帶頭地位；為某汽車電子企業(yè)定制自動駕駛芯片封裝方案，解決了芯片在復雜汽車環(huán)境下的可靠性問題，保障了自動駕駛系統(tǒng)的穩(wěn)定運行。這些成功案例充分證明了中清航科的技術實力和服務水平，為新客戶提供了有力的合作參考。中清航科芯片封裝工藝，通過仿真優(yōu)化，提前規(guī)避量產(chǎn)中的潛在問題。

中清航科深紫外LED封裝攻克出光效率瓶頸。采用氮化鋁陶瓷基板搭配高反射鏡面腔體，使280nmUVC光電轉換效率達12%。在殺菌模組應用中，光功率密度提升至80mW/cm2，壽命突破10,000小時?；贛EMS壓電薄膜異質(zhì)集成技術，中清航科實現(xiàn)聲學傳感器免ASIC封裝。直接輸出數(shù)字信號的壓電微橋結構，使麥克風信噪比達74dB。尺寸縮小至1.2×0.8mm2，助力TWS耳機減重30%。中清航科太赫茲頻段封裝突破300GHz屏障。采用石英波導過渡結構，在0.34THz頻點插損＜3dB。其天線封裝（AiP）方案使安檢成像分辨率達2mm，已用于人體安檢儀量產(chǎn)。功率芯片封裝熱密度高，中清航科液冷集成方案，突破散熱效率瓶頸。江蘇陶瓷封裝基座

中清航科深耕芯片封裝，以可靠性設計，助力芯片在極端環(huán)境工作。浙江射頻芯片封裝

中清航科推出SI/PI協(xié)同仿真平臺，集成電磁場-熱力多物理場分析。在高速SerDes接口設計中，通過優(yōu)化封裝布線減少35%串擾，使112GPAM4信號眼圖高度提升50%。該服務已幫助客戶縮短60%設計驗證周期。中清航科自主開發(fā)的AMB活性金屬釬焊基板，熱導率達180W/mK。結合銀燒結工藝的IGBT模塊，熱循環(huán)壽命達5萬次以上。在光伏逆變器應用中，另功率循環(huán)能力提升3倍，助力客戶產(chǎn)品質(zhì)保期延長至10年。通過整合CP測試與封裝產(chǎn)線，中清航科實現(xiàn)KGD（已知良品）全流程管控。在MCU量產(chǎn)中采用動態(tài)測試分Bin策略，使FT良率提升至99.85%。其汽車電子測試倉溫度范圍覆蓋-65℃~175℃，支持功能安全診斷。浙江射頻芯片封裝