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高世代面板)表面上,或透入其表面,而把固體物料潤(rùn)濕,剝離液親水性良好,能快速高效地剝離溶解光刻膠。因此,本申請(qǐng)中的高世代面板銅制程光刻膠剝離液由酰胺、醇醚、環(huán)胺與鏈胺、緩蝕劑、潤(rùn)濕劑組成。其中,酰胺可以為n-甲基甲酰胺、n-甲基乙酰胺、n,n-二甲基甲酰胺中的任意一種或多種,酰胺是用于溶解光刻膠;n-甲基甲酰胺下面簡(jiǎn)稱(chēng)″nmf″醇醚為二乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚中的任意一種或多種,醇醚是用于潤(rùn)濕、膨潤(rùn)、溶解光刻膠的;二乙二醇丁醚下面簡(jiǎn)稱(chēng)″bdg″。環(huán)胺與鏈胺,用于滲透、斷開(kāi)光刻膠分子間弱結(jié)合力;鏈胺:分子量的大小決定瞬間溶解力,分子量過(guò)大瞬間溶解力小,光刻膠未被完全溶解;分子量過(guò)小,對(duì)金屬的腐蝕性增強(qiáng),影響產(chǎn)品質(zhì)量。分子量一般在50g/mol-200g/mol,鏈胺為乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、amp-95中的任意一種或多種;環(huán)胺:溶解光刻膠中環(huán)狀結(jié)構(gòu)的樹(shù)脂,包括氨乙基哌嗪、羥乙基哌嗪、氨乙基嗎啉中的任意一種或多種;上述鏈胺與環(huán)胺的比例在4∶1-1∶4之間。緩蝕劑,用于降低對(duì)金屬的腐蝕速度,緩蝕劑為三唑類(lèi)物質(zhì),具體為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑中的任意一種。潤(rùn)濕劑。選擇剝離液,提升工作效率,降低成本。池州哪家剝離液生產(chǎn)
可選擇的,旋涂光刻膠厚度范圍為1000?!?0000埃。s3,執(zhí)行離子注入:可選擇的,離子注入劑量范圍為1×1013cm-2~1×1016cm-2。s4,采用氮?dú)浠旌蠚怏w執(zhí)行等離子刻蝕,對(duì)光刻膠進(jìn)行干法剝離;如背景技術(shù)中所述,經(jīng)過(guò)高劑量或大分子量的源種注入后,會(huì)在光刻膠的外層形成一層硬殼即為主要光刻膠層,主要光刻膠層包裹在第二光刻膠層外。使氮?dú)浠旌蠚怏w與光刻膠反應(yīng)生成含氨揮發(fā)性化合物氣體,反應(yīng)速率平穩(wěn),等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w與主要光刻膠層、第二光刻膠層的反應(yīng)速率相等。等離子體氮?dú)浠旌蠚怏w先剝離去除主要光刻膠層,參考圖8所示。再逐步剝離去除第二光刻膠層,參考圖9和圖10所示??蛇x的,等離子刻蝕氣體是氮?dú)浠旌蠚怏w,氫氮混合比例范圍為4:96~30:70。s5,對(duì)襯底表面進(jìn)行清洗。可選擇的,對(duì)硅片執(zhí)行單片排序清洗。單片清洗時(shí),清洗液噴淋到硅片正面,單片清洗工藝結(jié)束后殘液被回收,下一面硅片清洗時(shí)再重新噴淋清洗液,清洗工藝結(jié)束后殘液再被回收,如此重復(fù)?,F(xiàn)有的多片硅片同時(shí)放置在一個(gè)清洗槽里清洗的批處理清洗工藝,在清洗過(guò)程中同批次不同硅片的反應(yīng)殘余物可能會(huì)污染其他硅片,或者上一批次硅片留在清洗槽的反應(yīng)殘余物可能會(huì)污染下一批次硅片。相比而言。浙江格林達(dá)剝離液產(chǎn)品介紹哪家公司的剝離液的是口碑推薦?
按照玻璃基板傳送方向從當(dāng)前腔室101開(kāi)始逐級(jí)由各腔室10向玻璃基板供給剝離液以進(jìn)行剝離制程。剝離液從當(dāng)前腔室101進(jìn)入相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20,在剝離液的水平面超過(guò)預(yù)設(shè)高度后流入過(guò)濾器30,再經(jīng)過(guò)過(guò)濾器30的過(guò)濾將過(guò)濾后的剝離液傳送至下一級(jí)腔室102內(nèi)。其中,薄膜碎屑70一般為金屬碎屑或ito碎屑。其中,如圖2所示,圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)100的第二種結(jié)構(gòu)示意圖。閥門(mén)開(kāi)關(guān)60設(shè)置在管道40及第二管道50上。在過(guò)濾器30被阻塞時(shí),關(guān)閉位于過(guò)濾器30兩側(cè)的管道40及第二管道50上的閥門(mén)開(kāi)關(guān)60,可以保證當(dāng)前級(jí)腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20內(nèi)剝離液不會(huì)流出,同時(shí)下一級(jí)腔室102內(nèi)的剝離液也不會(huì)流出。在一些實(shí)施例中,請(qǐng)參閱圖3,圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的剝離液機(jī)臺(tái)100的第三種結(jié)構(gòu)示意圖。過(guò)濾器30包括多個(gè)并列排布的子過(guò)濾器301,所述管道40包括多個(gè)子管道401,每一所述子管道401與一子過(guò)濾器301連通,且所述多個(gè)子管道401與當(dāng)前級(jí)腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20連通。在一些實(shí)施例中,第二管道50包括公共子管道501及多個(gè)第二子管道502,每一所述第二子管道502與一子過(guò)濾器301連通,每一所述第二子管道502與所述公共子管道501連通,所述公共子管道501與所述下一級(jí)腔室102連通。其中。
當(dāng)前級(jí)別腔室101對(duì)應(yīng)的過(guò)濾器30被薄膜碎屑阻塞后,通過(guò)閥門(mén)開(kāi)關(guān)60關(guān)閉當(dāng)前級(jí)別腔室101對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)箱20與過(guò)濾器30之間的液體流通,從而可以在閥門(mén)開(kāi)關(guān)60關(guān)閉后取下被阻塞的過(guò)濾器30進(jìn)行清理并不會(huì)導(dǎo)致之后的下一級(jí)腔室102的剝離進(jìn)程無(wú)法繼續(xù)。其中,腔室10用于按照處于剝離制程的玻璃基板的傳送方向逐級(jí)向玻璃基板分別提供剝離液;與多個(gè)腔室10分別對(duì)應(yīng)連接的多個(gè)存儲(chǔ)箱20,各級(jí)腔室10分別通過(guò)管道與相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20連接,存儲(chǔ)箱20用于收集和存儲(chǔ)來(lái)自當(dāng)前級(jí)腔室101的經(jīng)歷剝離制程的剝離液;過(guò)濾器30用于過(guò)濾來(lái)自當(dāng)前級(jí)腔室101的存儲(chǔ)箱20的剝離液,并且過(guò)濾器30還可以通過(guò)管道與下一級(jí)腔室102連接,從而過(guò)濾器30可以將過(guò)濾后的剝離液輸送給下一級(jí)腔室102。各腔室10設(shè)計(jì)為適合進(jìn)行剝離制程,用于向制程中的玻璃基板供給剝離液,具體結(jié)構(gòu)可參考現(xiàn)有設(shè)計(jì)在此不再贅述。各級(jí)腔室10分別于相應(yīng)的存儲(chǔ)箱20通過(guò)管道連接,腔室10中經(jīng)歷剝離制程后的剝離液可以經(jīng)管道輸送至存儲(chǔ)箱20中,由存儲(chǔ)箱20來(lái)收集和存儲(chǔ)。各級(jí)腔室10的存儲(chǔ)箱20分別與相應(yīng)的過(guò)濾器30通過(guò)管道連接,經(jīng)存儲(chǔ)箱20處理后的剝離液再經(jīng)相應(yīng)的過(guò)濾器30過(guò)濾后才經(jīng)管道輸送至下一級(jí)腔室102。 性價(jià)比高的剝離液哪里有;
按照組成成分和應(yīng)用工藝不同,濕電子化學(xué)品可分為通用性和功能性濕電子化學(xué)品。通用濕電子化學(xué)品以超凈高純?cè)噭橹?,一般為單組份、單功能、被大量使用的液體化學(xué)品,按照性質(zhì)劃分可分為:酸類(lèi)、堿類(lèi)、有機(jī)溶劑類(lèi)和其他類(lèi)。酸類(lèi)包括氫氟酸、硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸等;堿類(lèi)包括氨水、氫氧化鈉、氫氧化鉀等;有機(jī)溶劑類(lèi)包括甲醇、乙醇、異丙醇、**、乙酸乙酯等;其他類(lèi)包括雙氧水等。功能濕電子化學(xué)品指通過(guò)復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的復(fù)配類(lèi)化學(xué)品,即在單一的超凈高純?cè)噭ɑ蚨喾N超凈高純?cè)噭┑呐浜希┗A(chǔ)上,加入水、有機(jī)溶劑、螯合劑、表面活性劑混合而成的化學(xué)品。例如剝離液、顯影液、蝕刻液、清洗液等。由于多數(shù)功能濕電子化學(xué)品是復(fù)配的化學(xué)品,是混合物,它的理化指標(biāo)很難通過(guò)普通儀器定量檢測(cè),只能通過(guò)應(yīng)用手段來(lái)評(píng)價(jià)其有效性。 高效剝離液,讓光刻膠去除更輕松、更徹底。安徽ITO蝕刻液剝離液銷(xiāo)售公司
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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別是涉及一種用于包括但不限于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中光刻膠去除步驟的光刻膠剝離去除方法。背景技術(shù):光刻膠是一大類(lèi)具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料,是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照?qǐng)D案的媒介。光刻膠的也稱(chēng)為光致抗蝕劑、光阻等,其作用是作為抗刻蝕層保護(hù)襯底表面。光刻膠廣泛應(yīng)用于集成電路(ic)、封裝(packaging)、微機(jī)電系統(tǒng)(mems)、光電子器件光子器件(optoelectronics/photonics)、平板顯示其(led、lcd、oled)和太陽(yáng)能光伏(solarpv)等領(lǐng)域。在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,離子注入層光刻膠(參考圖2)在經(jīng)過(guò)高劑量或大分子量的源種注入后(參考圖3),會(huì)在光刻膠的外層形成一層硬殼(參考圖4)本發(fā)明命名為主要光刻膠層?,F(xiàn)有的離子注入層光刻膠在經(jīng)過(guò)氧氣灰化干法剝離時(shí),由于等離子氧與光刻膠反應(yīng)速率很高,會(huì)有一部分等離子氧先穿透主要光刻膠層到達(dá)第二光刻膠層,在與第二光刻膠層反應(yīng)后在內(nèi)部產(chǎn)生大量氣體,第二層光刻膠膨脹(參考圖5),主要光刻膠層終因承受不住內(nèi)層巨大的氣壓而爆裂,爆裂的光刻膠有一定的概率掉落在臨近的光刻膠上(參考圖6),導(dǎo)致此交疊的光刻膠不能法剝離干凈。在經(jīng)過(guò)后續(xù)批作業(yè)的濕法剝離后會(huì)產(chǎn)生殘余物。池州哪家剝離液生產(chǎn)