安徽應(yīng)用BOE蝕刻液廠家現(xiàn)貨

    除去75重量％的油。在45°C下的簡(jiǎn)單加熱、或者在環(huán)境溫度(20°C)下的簡(jiǎn)單攪拌或超聲應(yīng)用可以除去所有的沉積油。此外，沒(méi)有觀察到油的溶解，而是觀察到上升到液體表面的油的脫離(卷起機(jī)理(rollingupmechanism)).與快速導(dǎo)致溶劑飽和的溶解機(jī)理相比，該卷起機(jī)理更為有利。油溶解試驗(yàn)的總體過(guò)程將硅油(得自CromptonCorporation(Greenwich,USA)的CromptonL9000—1000)引入到100ml待評(píng)價(jià)組合物中，并測(cè)定在環(huán)境溫度下立即溶解的硅油的量(其以所溶解的油相對(duì)于該混合物的百分?jǐn)?shù)表示)。實(shí)施例5在使用％的九氟丁基乙基醚和％的甲基四氫呋喃的共沸組合物的情況下，溶解超過(guò)17重量％的油。實(shí)施例6在使用九氟丁基乙基醚的情況下，多溶解2重量％的油并且觀察到反混合(demixing)。權(quán)利要求組合物，其包含甲基四氫呋喃和至少一種式C4F9OR的九氟丁基烷基醚，在式C4F9OR中，R具有1～4個(gè)碳原子的線(xiàn)型或支化的飽和烷基鏈。2.權(quán)利要求1的組合物，特征在于，所述組合物包含540重量％的甲基四氫呋喃和6095重量％的式C4F90R的九氟丁基烷基醚。3.權(quán)利要求1或2的組合物，特征在于，所述式C4F90R的九氟丁基烷基醚是九氟丁基甲基醚和九氟丁基乙基醚。4.權(quán)利要求13中任一項(xiàng)的組合物，特征在于。上海和輝光電用的哪家的BOE蝕刻液？安徽應(yīng)用BOE蝕刻液廠家現(xiàn)貨

    所述九氟丁基烷基醚主要由九氟正丁基烷基醚和九氟異丁基烷基醚組成。5.權(quán)利要求14中任一項(xiàng)的組合物，特征在于，所述組合物是共沸的或共沸型的。6.權(quán)利要求5的組合物，特征在于，所述組合物包含515重量％的甲基四氫呋喃和8595重量％的九氟丁基甲基醚。7.共沸組合物，其包含8重量％的甲基四氫呋喃和92重量％的九氟丁基甲基醚，并且在大氣壓()下具有°C的沸點(diǎn)。8.權(quán)利要求5的組合物，特征在于，所述組合物包含1040重量％的甲基四氫呋喃和6090重量％的九氟丁基乙基醚。9.共沸組合物，其包含％的甲基四氫呋喃和％的九氟丁基乙基醚，并且在大氣壓()下具有°C的沸點(diǎn)。10.制冷劑，特征在于，其包含前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的組合物。11.溶劑，特征在于，其包含權(quán)利要求19中任一項(xiàng)的組合物。全文摘要本發(fā)明涉及含有全氟丁基醚的共沸或共沸型混合物或組合物。更具體地說(shuō)，本發(fā)明涉及含有至少一種九氟丁基烷基醚和可生物降解化合物的組合物，該組合物可用作溶劑或制冷劑。河南一種BOE蝕刻液哪里買(mǎi)BOE蝕刻液適用于哪些行業(yè)。

    50WXQ-100BT050WVAE101BTL504885-W705LBA050WV4-601BF050FWME501BTL504885-W708LBF050WVQ-100BT050FWQ-N80BTL507212-W677LBTL507212-W742LBF050QHE-400BS050HDG-N40-6C00BF050WVM-500BF050FHME101BF050WVE-400BV050HDS-T40BV050HDE-N40BTL505496-W692LBTL507212-W747LBS050HDE-N41-6Q00BV050HDE-N44BF050HDQ-100BF050HDE-400BF047WVG-100BV047HDE-N40BF045WVQ-100BF045QHME501BTL455496-W613LBF045QHME402BF045WVE-400BT045FWQ-N80BTL434880-W570LBP043WV2-100BF043QHME501BTL434880-W518LBTL434880-W539LBF043WVG-100BF043WVME101BT043NHME101BF040WVME501BA039HV2-100BF040WVME101BT040HVME602BP039WV2-100BP039WV2-101BP039WV4-500BF040WVME502HVA40WV2-D00BD039WVL-100BF040WVMG003BD039WVQ-110BD039WVQ-810BD039WVL-600BD039WVS-810BT040WVG-N60BTL404880-W557LPBF040WVMG003-G101BF039WVE-800BF039WVE-500BF039WVQ-100BT035HVME101BT035HVME601BA035HV3-100BA035HV3-800BT033HVMG001BT032HVME101BT032QVME601BT032QVMQ103BF030WQME601BA030QV2-100BTL282440-310LBF028QVME501BT028QVME101BT028WQME101BT028WQME601BT024QVME106BT024QVME104BT024QVMQ102BTL242432-201L。

    本實(shí)用新型屬于廢液處理領(lǐng)域，尤其涉及一種酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)。背景技術(shù)：酸性蝕刻液是用于印制電路板線(xiàn)路制作和多層板內(nèi)層制作的蝕刻液，隨著電路板行業(yè)的迅速發(fā)展，產(chǎn)生的廢液量越來(lái)越大，發(fā)掘的污染物種類(lèi)也越來(lái)越多，對(duì)環(huán)境造成巨大的危害，此類(lèi)問(wèn)題也成為社會(huì)的重要課題。為了減少甚至杜絕此類(lèi)污染的發(fā)生，我們需要對(duì)酸性蝕刻液進(jìn)行回收循環(huán)利用。目前對(duì)于酸性蝕刻廢液的再生利用大多采用化學(xué)或電化學(xué)的方法，但傳統(tǒng)的方法廢液中總銅的含量不斷增大，比重增加，必須排掉一部分廢液或者補(bǔ)加子液和水來(lái)控制參數(shù)，這樣污染大，影響環(huán)境，而且還會(huì)造成銅和酸的浪費(fèi)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題為如何通過(guò)簡(jiǎn)單、低成本的技術(shù)實(shí)現(xiàn)種酸性蝕刻液電解后廢液的再生利用。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)，包括：電解槽，具有一出液口和出氣口，且內(nèi)置有酸性蝕刻液，用于對(duì)所述酸性蝕刻液進(jìn)行電解提銅，產(chǎn)生氯氣，得到電解后液；再生液調(diào)配缸，具有進(jìn)液口和循環(huán)出液口，所述進(jìn)液口通過(guò)管道與所述電解槽的出液口連接以接收電解后液；射流器，其進(jìn)氣口通過(guò)導(dǎo)氣管與所述電解槽的出氣口連接以接收所述氯氣。哪家公司的BOE蝕刻液是比較劃算的？

    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，通過(guò)在磷酸中添加醇醚類(lèi)和表面活性劑，來(lái)改善磷酸的浸潤(rùn)性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅。背景技術(shù)：氮化硅是一種具有很高的化學(xué)穩(wěn)定性的絕緣材料，氫氟酸和熱磷酸能對(duì)氮化硅進(jìn)行緩慢地腐蝕。在半導(dǎo)體制造工藝中，一般是采用熱磷酸對(duì)氮化硅進(jìn)行蝕刻，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來(lái)蝕刻氮化硅。但隨著半導(dǎo)體制程的飛速發(fā)展，器件的特征尺寸越來(lái)越小，集成度越來(lái)越高，對(duì)制造工藝中的各工藝節(jié)點(diǎn)要求也越來(lái)越高，如蝕刻工藝中對(duì)蝕刻后晶圓表面的均勻性、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求。在使用熱磷酸對(duì)氮化硅進(jìn)行蝕刻時(shí)，晶圓表面會(huì)出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進(jìn)行相同位置取點(diǎn)的厚度測(cè)量時(shí)，檢測(cè)點(diǎn)之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問(wèn)題，通過(guò)在磷酸中添加醇醚類(lèi)和表面活性劑可以實(shí)現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類(lèi)、％的表面活性劑。進(jìn)一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液。哪家公司的BOE蝕刻液的有售后？江蘇技術(shù)密集BOE蝕刻液圖片

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