來對所述待加工表面進行減薄??蛇x地,還包括:在所述磁轉子運行一段時間后,更換所述磁轉子。可選地,將待加工部件固定在托盤上包括:采用光刻膠將所述待加工部件固定在所述托盤上??蛇x地,對所述待加工部件的待加工表面進行拋光和減薄之后,還包括:對所述待加工部件進行清洗;采用特定溶液對所述光刻膠進行腐蝕,以將所述待加工部件與所述托盤分離。與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明所提供的技術方案具有以下優(yōu)點:本發(fā)明所提供的拋光減薄裝置和拋光減薄方法,采用托盤固定待加工部件,采用噴頭向待加工部件的待加工表面噴涂拋光液,來對所述待加工表面進行拋光,采用磁轉子旋轉對待加工表面進行機械研磨,來對所述待加工表面進行減薄,由于減薄過程中待加工部件如inp基晶圓本身不旋轉,因此,可以降低拋光減薄過程中對待加工部件如inp基晶圓的擠壓應力,降低待加工部件如inp基晶圓的機械加工損傷。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。減薄清洗劑,輕松解決涂層過厚問題,讓您的產品更好?;葜莶Aв脺p薄用清洗劑聯(lián)系方式
在本發(fā)明的一個實施例中,拋光液110的主要成分包括:碳化硅顆粒,顆粒直徑為50nm~200nm,體積比為3%~5%;次氯酸鹽,體積比為30%~40%;氫溴酸,體積比為5%~7%,di水,體積比50~60%。本發(fā)明的一個實施例中,如圖3所示,磁轉子12包括截面為半圓形的柱狀磁性結構120和位于柱狀磁性結構120的底部平面的研磨層121,以通過研磨層121對待加工部件20的待加工表面進行機械研磨。當然,本發(fā)明并不僅限于此,在其他實施例中,可以根據實際需求選擇合適的磁轉子形狀??蛇x地,研磨層121為金屬氧化物層,進一步可選地,金屬氧化物層包括三氧化二鋁層??蛇x地,研磨層121的厚度為10μm。本發(fā)明實施例中,如圖4所示,磁轉子12沿箭頭所示方向旋轉,如沿逆時針或順時針方向旋轉,并且,磁轉子12的長度近似等于待加工部件20如inp基晶圓的直徑,以對整個待加工表面進行研磨。本發(fā)明實施例中,拋光減薄裝置還包括控制部件??刂撇考c磁轉子12和噴頭11相連,用于控制噴頭11和磁轉子12交替工作,以對待加工表面交替進行拋光和減薄。其中,控制部件通過脈沖方式控制噴頭11和磁轉子12交替工作??蛇x地,控制部件控制磁轉子12的轉速為80rpm~200rpm。池州哪家公司減薄用清洗劑費用哪家減薄用清洗劑的是口碑推薦?
較佳的,所述沖洗區(qū)包括沖洗區(qū)、第二沖洗區(qū)和第三沖洗區(qū),所述第二沖洗區(qū)設置于所述沖洗區(qū)和所述第三沖洗區(qū)之間,所述沖洗區(qū)設置于所述第二沖洗區(qū)和所述轉換區(qū)之間,所述第三沖洗區(qū)設置于所述第二沖洗區(qū)和所述蝕刻區(qū)之間。較佳的,所述沖洗區(qū)設置有輔助厚度測量儀。較佳的,所述第三沖洗區(qū)設置有第二輔助厚度測量儀。較佳的,所述轉換區(qū)設置為可升降的折疊式結構。較佳的,所述轉換區(qū)設置有裝卸臂。與現(xiàn)有技術比較本發(fā)明的有益效果在于:1,本發(fā)明中所述玻璃減薄生產線采用噴淋減薄的方式對豎直容納在玻璃加工治具中的玻璃進行減薄處理,可實現(xiàn)單次多片玻璃減薄,同時避免浸泡式減薄法中反應產物粘附在玻璃上造成不良品的問題;2,本發(fā)明中所述玻璃加工治具在減薄處理時進行往復移動使側支撐件與玻璃之間接觸點產生變化,從而避免所述側支撐件與玻璃之間的接觸點因所述側支撐件的長期接觸造成接觸點無法被噴淋液噴淋而產生的不良次品問題;3,本發(fā)明通過所述側支撐件的固定結構,可實現(xiàn)所述側支撐件的位置調節(jié),從而使玻璃加工治具適用于不同尺寸的玻璃并可將不同尺寸的玻璃同時設置于玻璃加工治具上同時進行減薄處理。附圖說明圖1為所述玻璃減薄設備的結構示意圖。
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