學(xué)校植物組培實(shí)驗(yàn)室安全與環(huán)境控制建造策略
定制化學(xué)校植物組培實(shí)驗(yàn)室設(shè)計(jì):滿(mǎn)足教學(xué)與研究需求
成本效益分析:構(gòu)建經(jīng)濟(jì)型學(xué)校植物組培實(shí)驗(yàn)室的藍(lán)圖
創(chuàng)新科技融入學(xué)校植物組培實(shí)驗(yàn)室建造方案-植物組培實(shí)驗(yàn)室
智能化與可持續(xù)性并重的學(xué)校植物組培實(shí)驗(yàn)室建造方案
打造綠色夢(mèng)想:學(xué)校生物園地全方面建造方案-生物園地建造方案
探索自然奧秘,從這里開(kāi)始:學(xué)校生物園地特色建造方案
生態(tài)教育新陣地:學(xué)校生物園地規(guī)劃與實(shí)施策略
寓教于樂(lè),自然為師:學(xué)校生物園地建造實(shí)用指南
智能化管理系統(tǒng)在學(xué)校植物組培實(shí)驗(yàn)室建造中的應(yīng)用
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱(chēng)"死硅")更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)??煽毓枘芤院涟布?jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過(guò)此功率,因元件開(kāi)關(guān)損耗***增加,允許通過(guò)的平均電流相降低,此時(shí),標(biāo)稱(chēng)電流應(yīng)降級(jí)使用??煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍;反應(yīng)極快,在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷;無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,無(wú)火花、無(wú)噪音;效率高,成本低等等??煽毓璧娜觞c(diǎn):靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。維持電流IH 在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流。上海制造可控硅生產(chǎn)企業(yè)
控 制:Controlled(取***個(gè)字母)整流器:Rectifier(取***個(gè)字母)再由這三組英文名詞的較早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠(chǎng)家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。雙 向:Bi-directional(取***個(gè)字母)三 端:Triode(取***個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,典型的生產(chǎn)商如:意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,均以此來(lái)命名雙向可控硅。虹口區(qū)特點(diǎn)可控硅專(zhuān)賣(mài)店額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。
(二)按引腳和極性分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅??煽毓栝_(kāi)關(guān)(三)按封裝形式分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。(四)按電流容量分類(lèi):可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
雙向可控硅固定到散熱器的主要方法有三種,夾子壓接、螺栓固定和鉚接。前二種方法的安裝工具很容易取得。 很多場(chǎng)合下,鉚接不是一種推薦的方法。 [1]夾子壓接:是推薦的方法,熱阻**小。夾子對(duì)器件的塑封施加壓力。這同樣適用于非絕緣封裝(sot82 和sot78 ) 和絕緣封裝( sot186 f-pack 和更新的sot186a x-pack)。注意,sot78 就是to220ab。螺栓固定:sot78 組件帶有m3 成套安裝零件,包括矩形墊圈,墊圈放在螺栓頭和接頭片之間。應(yīng)該不對(duì)器件的塑料體施加任何力量。額定通態(tài)電流(IT)即大穩(wěn)定工作電流,俗稱(chēng)電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門(mén)極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2)) (1—1)硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,而門(mén)極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0 晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。接通電源開(kāi)關(guān)S,按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB,燈泡發(fā)光就是好的,不發(fā)光就是壞的。虹口區(qū)特點(diǎn)可控硅專(zhuān)賣(mài)店
它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。上海制造可控硅生產(chǎn)企業(yè)
五)按關(guān)斷速度分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。(六)過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅。(七)非過(guò)零觸發(fā)-無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見(jiàn)的是移相觸發(fā),即通過(guò)改變正弦交流電的導(dǎo)通角(角相位),來(lái)改變輸出百分比。按一機(jī)部IBI144一75的規(guī)定,普通型可控硅稱(chēng)為KP型可控硅整流元件(又叫KP型硅閘流管》。普通可控硅的型號(hào)采用如下格式標(biāo)注:上海制造可控硅生產(chǎn)企業(yè)
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