ESD保護(hù)器件應(yīng)該如何選型？ESD保護(hù)器件選型步驟：1.計(jì)算接口信號(hào)幅值的范圍來(lái)確定ESD器件的工作電壓；2.根據(jù)信號(hào)類(lèi)型決定使用單向或者雙向ESD器件;3.根據(jù)信號(hào)速率決定該接口能承受的至大寄生電容；4.根據(jù)電路系統(tǒng)的至大承受電壓沖擊，選擇適合的鉗位電壓；5.確保ESD器件可達(dá)到或超過(guò)IEC 61000-4-2 level4。ESD應(yīng)該接信號(hào)地，和芯片的0電位保持一致，不會(huì)發(fā)生誤動(dòng)作。解決ESD問(wèn)題的方法，增加ESD保護(hù)器件能很好地保護(hù)手機(jī)免受ESD的影響。不同終端產(chǎn)品可選擇不同的封裝ESD器件；大型ESD保護(hù)器件現(xiàn)貨供應(yīng)
ESD保護(hù)器件的作用有哪些？ESD保護(hù)器件的作用：ESD保護(hù)器件在出廠時(shí)都需要通過(guò)測(cè)試，其測(cè)試規(guī)范包含在標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2之中。在測(cè)試時(shí)會(huì)在電路中包括150pF電容器和330Ω的內(nèi)部電阻，并且通過(guò)以2kV、4kV、6kV和8kV的順序放電四個(gè)ESD電壓，來(lái)評(píng)估產(chǎn)品的擊穿電阻，以了解這些器件的情況。ESD保護(hù)器件和對(duì)策組件的主要功能是使進(jìn)入器件的ESD能夠逃逸到地面，如果沒(méi)有保護(hù)裝置，則具有幾千伏電壓的ESD將直接應(yīng)用于內(nèi)部IC，這將對(duì)芯片帶來(lái)嚴(yán)重的影響。安徽ESD保護(hù)器件供應(yīng)商當(dāng)外部接口電壓超過(guò)ESD保護(hù)器件的擊穿電壓（VBR）,ESD保護(hù)器件開(kāi)始起作用，并將電流分流到地。
芯片級(jí)保護(hù)器件：正向?qū)ǘO管具有很強(qiáng)的泄放能力，是重要的保護(hù)器件，在射頻、數(shù)字端口保護(hù)中常用。但是反向二極管電流能力弱，若作為ESD保護(hù)，需要較大的芯片面積。三極管和GGNMOS在反偏結(jié)擊穿后，整體器件進(jìn)入電導(dǎo)調(diào)制的滯回狀態(tài)，形成S形滯回曲線，泄放電流。SCR是重要的ESD保護(hù)器件，通過(guò)PNPN結(jié)構(gòu)形成反饋環(huán)路，這是典型的特性曲線，具有Vt1高，VH低，開(kāi)啟速度慢的特點(diǎn)。注意對(duì)于SCR來(lái)說(shuō)，反向特性雖然也是一個(gè)二極管，但是串聯(lián)了Rpsub和RNW，會(huì)影響導(dǎo)通電阻，直接影響鉗位特性和導(dǎo)通電阻，所以通常并聯(lián)一個(gè)Dp。
ESD 保護(hù)器件對(duì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝要求更高，結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，一般設(shè)計(jì)成多路PN 結(jié)集成結(jié)構(gòu)，采用多次外延、雙面擴(kuò)結(jié)或溝槽設(shè)計(jì)。ESD 保護(hù)器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護(hù)，表示著當(dāng)前TVS 的技術(shù)水平和發(fā)展方向。TVS/ESD 保護(hù)器件的應(yīng)用領(lǐng)域普遍，隨著在5G 基礎(chǔ)設(shè)施和5G 手機(jī)、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、個(gè)人電腦、工業(yè)電子等市場(chǎng)的推動(dòng)下，業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)TVS/ESD 保護(hù)器件將大幅度增長(zhǎng)。ESD (Electro-Static Discharge，靜電放電)對(duì)于我們來(lái)說(shuō)是一種常見(jiàn)的現(xiàn)象，然而對(duì)電子產(chǎn)品而言，ESD 往往是致命的——它可能導(dǎo)致元器件內(nèi)部線路受損，直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命，甚至造成產(chǎn)品的損壞。因此，ESD 防護(hù)一直以來(lái)都是工程師們的工作重點(diǎn)。對(duì)于剛開(kāi)始職業(yè)生涯的電子工程師而言，在掌握專(zhuān)業(yè)技能之前通常都要接受一些ESD相關(guān)知識(shí)的培訓(xùn)，足見(jiàn)ESD 防護(hù)的地位與重要性。ESD保護(hù)元件應(yīng)具有低泄漏和低電容特性，不會(huì)降低電路功能；
為了防止由于ESD侵入被觸摸的電子設(shè)備而導(dǎo)致的產(chǎn)品或系統(tǒng)破壞，便需要安裝抑制或消除ESD的對(duì)應(yīng)元器件。在高速電量傳輸過(guò)程中易產(chǎn)生潛在的破壞電壓、電流及電磁場(chǎng)。選擇ESD器件應(yīng)該選擇系統(tǒng)工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM），例如系統(tǒng)是0~5V，那么我們應(yīng)該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS。常見(jiàn)的ESD保護(hù)器件主要有壓敏電阻、硅材料的TVS二極管以及陶瓷材料的A-TVS等。ESD保護(hù)器件在一些高速電路接口上已經(jīng)變得不再是一個(gè)簡(jiǎn)單的ESD保護(hù)器件，還包含了雜散的寄生參數(shù)，以及安裝到PCB板上時(shí)的寄生電感等參數(shù)。ESD保護(hù)元件使電流流過(guò)保護(hù)元件而非敏感元件，同時(shí)維持敏感元件上的低電壓；大型ESD保護(hù)器件現(xiàn)貨供應(yīng)
ESD保護(hù)器件高集成度、小體積；大型ESD保護(hù)器件現(xiàn)貨供應(yīng)
ESD TVS器件采用的技術(shù)：聚合物浪涌抑制器，聚合物浪涌抑制器件為消弧器件，且總是雙向保護(hù)器件。它們的電容很低，對(duì)高速應(yīng)用具有吸引力。但是它們的短處是導(dǎo)通電壓高、導(dǎo)通阻抗性能相對(duì)較差，遭受多次應(yīng)力時(shí)易于性能下降。TVS二極管，如今大多數(shù)的二極管都是采用硅制造的固態(tài)器件。它們?yōu)殡p端器件，很容易讓一個(gè)方向上的電流流過(guò)，但在相反方向上，它們呈現(xiàn)高阻抗，直到兩端電壓達(dá)到擊穿電壓。二極管本質(zhì)上為單向器件，保護(hù)方式為電壓箝位。二極管的特性取決于N區(qū)與P區(qū)的摻雜程度，這兩個(gè)區(qū)離結(jié)點(diǎn)的距離遠(yuǎn)近不同。調(diào)節(jié)摻雜程度能構(gòu)建反向偏置擊穿電壓在幾百伏到單幾伏之間的二極管。設(shè)計(jì)有明確定義的反向偏置擊穿電壓的二極管，通常稱(chēng)作齊納二極管。大型ESD保護(hù)器件現(xiàn)貨供應(yīng)
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