半導(dǎo)體基類型的ESD保護(hù)器件使用稱為齊納二極管方法的機(jī)制。齊納二極管由P型半導(dǎo)體(電子不足的條件)和N型半導(dǎo)體(電子過(guò)剩的條件)的組合構(gòu)成。當(dāng)施加超過(guò)擊穿電壓的過(guò)電壓(ESD)時(shí)，硅基ESD保護(hù)器件利用該二極管的技術(shù)將電流傳遞到地。即使應(yīng)用范圍只限于日常生活中使用的電子和電氣設(shè)備，使用ESD保護(hù)器件的地方也非常多樣化。ESD保護(hù)器件在出廠時(shí)都需要通過(guò)測(cè)試，其測(cè)試規(guī)范包含在標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2之中。在測(cè)試時(shí)會(huì)在電路中包括150pF電容器和330Ω的內(nèi)部電阻，并且通過(guò)以2kV、4kV、6kV和8kV的順序放電四個(gè)ESD電壓，來(lái)評(píng)估產(chǎn)品的擊穿電阻，以了解這些器件的情況。ESD是由多個(gè)TVS晶?；蚨O管采用不同的布局設(shè)計(jì)成具有特定功能的單路或多路ESD保護(hù)器件。常見(jiàn)ESD保護(hù)器件訂購(gòu)
芯片級(jí)保護(hù)器件：正向?qū)ǘO管具有很強(qiáng)的泄放能力，是重要的保護(hù)器件，在射頻、數(shù)字端口保護(hù)中常用。但是反向二極管電流能力弱，若作為ESD保護(hù)，需要較大的芯片面積。三極管和GGNMOS在反偏結(jié)擊穿后，整體器件進(jìn)入電導(dǎo)調(diào)制的滯回狀態(tài)，形成S形滯回曲線，泄放電流。SCR是重要的ESD保護(hù)器件，通過(guò)PNPN結(jié)構(gòu)形成反饋環(huán)路，這是典型的特性曲線，具有Vt1高，VH低，開(kāi)啟速度慢的特點(diǎn)。注意對(duì)于SCR來(lái)說(shuō)，反向特性雖然也是一個(gè)二極管，但是串聯(lián)了Rpsub和RNW，會(huì)影響導(dǎo)通電阻，直接影響鉗位特性和導(dǎo)通電阻，所以通常并聯(lián)一個(gè)Dp。紹興ESD保護(hù)器件供貨商預(yù)計(jì)從2020年至2024年，全球ESD保護(hù)器件市場(chǎng)復(fù)合年均增長(zhǎng)率為5%。
ESD保護(hù)器件防護(hù)原理及選型：當(dāng)系統(tǒng)沒(méi)有干擾，正常工作時(shí)，ESD器件可以忽略，幾乎不起作用。當(dāng)外部接口電壓超過(guò)ESD器件的擊穿電壓（VBR）,ESD器件開(kāi)始起作用，并將電流分流到地。實(shí)際ESD器件的工作電壓（VRWM）與擊穿電壓（VBR）的區(qū)別，選擇ESD器件應(yīng)該選擇系統(tǒng)工作電壓小于ESD器件的工作電壓（VRWM），例如系統(tǒng)是0~5V，那么我們應(yīng)該選擇工作電壓（VRWM）大于5V的TVS。單向ESD器件和雙向ESD器件，雙向ESD器件可以通過(guò)正負(fù)擊穿電壓（VBR）的信號(hào)，而單向ESD器件只可以通過(guò)正擊穿電壓（VBR）的信號(hào)，如果通過(guò)負(fù)的就會(huì)造成ESD器件擊穿。雙向ESD器件和單向ESD器件的特點(diǎn)，單向ESD器件對(duì)于負(fù)壓的保護(hù)更好。
ESD 保護(hù)器件對(duì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝要求更高，結(jié)構(gòu)更加復(fù)雜，一般設(shè)計(jì)成多路PN 結(jié)集成結(jié)構(gòu)，采用多次外延、雙面擴(kuò)結(jié)或溝槽設(shè)計(jì)。ESD 保護(hù)器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護(hù)，表示著當(dāng)前TVS 的技術(shù)水平和發(fā)展方向。TVS/ESD 保護(hù)器件的應(yīng)用領(lǐng)域普遍，隨著在5G 基礎(chǔ)設(shè)施和5G 手機(jī)、電動(dòng)汽車充電樁、個(gè)人電腦、工業(yè)電子等市場(chǎng)的推動(dòng)下，業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)TVS/ESD 保護(hù)器件將大幅度增長(zhǎng)。ESD (Electro-Static Discharge，靜電放電)對(duì)于我們來(lái)說(shuō)是一種常見(jiàn)的現(xiàn)象，然而對(duì)電子產(chǎn)品而言，ESD 往往是致命的——它可能導(dǎo)致元器件內(nèi)部線路受損，直接影響產(chǎn)品的正常使用壽命，甚至造成產(chǎn)品的損壞。因此，ESD 防護(hù)一直以來(lái)都是工程師們的工作重點(diǎn)。對(duì)于剛開(kāi)始職業(yè)生涯的電子工程師而言，在掌握專業(yè)技能之前通常都要接受一些ESD相關(guān)知識(shí)的培訓(xùn)，足見(jiàn)ESD 防護(hù)的地位與重要性。ESD保護(hù)器件低導(dǎo)通電壓；
高速電路設(shè)計(jì)的系統(tǒng)工程師或者硬件工程師必須仔細(xì)選擇在設(shè)計(jì)中所需要的所有元器件，選擇合適的ESD保護(hù)元件就具有比以前更大的挑戰(zhàn)性，因?yàn)镋SD保護(hù)器件在一些高速電路接口上已經(jīng)變得不再是一個(gè)簡(jiǎn)單的ESD器件，還包含了雜散的寄生參數(shù)，以及安裝到PCB板上時(shí)的寄生電感等參數(shù)。雖然目前很多公司都無(wú)法提供ESD器件的S參數(shù)，但是對(duì)于高速電路而言，這確實(shí)是需要考慮的影響因子之一。所以在選擇器件時(shí)，不但要看器件的防護(hù)等級(jí)，還需要注意其寄生效應(yīng)。在多重應(yīng)力作用下ESD保護(hù)器件的功能不會(huì)下降。成都ESD保護(hù)器件設(shè)計(jì)公司
ESD保護(hù)器件本身必須具有ESD抑制能力；常見(jiàn)ESD保護(hù)器件訂購(gòu)
ESD靜電保護(hù)元器件選型注意事項(xiàng)：1）ESD一般用于各類通信端口靜電防護(hù)，在一些高速數(shù)據(jù)線路，比如USB3.0、HDMI、IEEE1394等接口，ESD靜電保護(hù)二極管的結(jié)電容應(yīng)盡量選擇小的，以避免影響通信質(zhì)量； 2）ESD有單向（A）和雙向（C）之分，根據(jù)工作的信號(hào)進(jìn)行選擇，單極性的信號(hào)可以選擇單向的 ESD或雙向的ESD， 雙極性的信號(hào)要選擇雙向的ESD；3）具體選擇什么型號(hào)的ESD靜電二極管做靜電防護(hù)，還需要在專業(yè)的電子工程師指導(dǎo)下選擇。ESD靜電保護(hù)元器件應(yīng)用于通信、安防、工業(yè)、汽車、消費(fèi)類產(chǎn)品、智能穿戴設(shè)備等電子產(chǎn)品的通信線及I/O口等靜電保護(hù)。常見(jiàn)ESD保護(hù)器件訂購(gòu)
上海光宇睿芯微電子有限公司是一家上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區(qū)內(nèi)，是專業(yè)從事半導(dǎo)體過(guò)電壓保護(hù)器件、功率MOSFT頁(yè)件、集成電照的設(shè)計(jì)與銷售的****，是國(guó)內(nèi)掌握半導(dǎo)體過(guò)壓保護(hù)器件和集成電路設(shè)計(jì)的供應(yīng)商之一。公司產(chǎn)品品種多，覆蓋范圍廣，已廣泛應(yīng)用于通訊系統(tǒng)的接口保護(hù)、手機(jī)接口保護(hù)、掌上數(shù)碼產(chǎn)品接口保護(hù)、電源系統(tǒng)的過(guò)壓保護(hù)、鋰電池的BMS和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。 的公司，致力于發(fā)展為創(chuàng)新務(wù)實(shí)、誠(chéng)實(shí)可信的企業(yè)。光宇睿芯微電子擁有一支經(jīng)驗(yàn)豐富、技術(shù)創(chuàng)新的專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì)，以高度的專注和執(zhí)著為客戶提供MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管，ESD保護(hù)器件，穩(wěn)壓管價(jià)格，傳感器。光宇睿芯微電子不斷開(kāi)拓創(chuàng)新，追求出色，以技術(shù)為先導(dǎo)，以產(chǎn)品為平臺(tái)，以應(yīng)用為重點(diǎn)，以服務(wù)為保證，不斷為客戶創(chuàng)造更高價(jià)值，提供更優(yōu)服務(wù)。光宇睿芯微電子始終關(guān)注數(shù)碼、電腦市場(chǎng)，以敏銳的市場(chǎng)洞察力，實(shí)現(xiàn)與客戶的成長(zhǎng)共贏。