ESD保護(hù)器件種類包括Zener二極管、壓敏電阻(varistors），SCR(可控硅整流器）和TVS(瞬時電壓抑制器）等。其中，TVS應(yīng)用較廣，因為它具有很強(qiáng)的電容和快速開啟速度，保護(hù)內(nèi)部電路的能力。資料顯示，預(yù)計從2020年至2024年，全球ESD保護(hù)器件市場復(fù)合年均增長率為5%。ESD原理和模型：當(dāng)兩個具有不同電荷的物體彼此靠近時，可能會形成靜電放電(ESD）脈沖。對于任何電子設(shè)備，ESD電流可能會造成不可逆轉(zhuǎn)的損壞。因此，ESD保護(hù)電路變得極為重要。由ESD保護(hù)器件組成的保護(hù)電路在ESD電流發(fā)生時，提供放電路徑，保護(hù)電子設(shè)備。電阻低的放電路徑允許電流通過，并將電壓鉗制在相對較低的水平，避免對I/O或內(nèi)部電路造成任何損壞。ESD保護(hù)器件是業(yè)內(nèi)理想的高頻數(shù)據(jù)保護(hù)器件。山東ESD保護(hù)器件供應(yīng)商
靜電保護(hù)器件（ESD） 是由一個或多個 TVS 晶粒采用不同的電路拓?fù)渲瞥删哂刑囟üδ艿亩嗦坊騿温?ESD 保護(hù)器件。ESD反向并聯(lián)于電路中，當(dāng)電路正常工作時，ESD處于截止?fàn)顟B(tài)（高阻態(tài)），不影響電路正常工作。當(dāng)電路出現(xiàn)異常過電壓并達(dá)到 ESD 的擊穿電壓時，ESD迅速由高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài)，泄放由異常過電壓導(dǎo)致的瞬時過電流到地，同時把異常過電壓鉗制在一個安全水平之內(nèi)，從而保護(hù)后級電路免遭異常過電壓的損壞。選型注意事項：工作電壓 VRWM：ESD管的截止電壓應(yīng)大于線路上較高工作電壓或信號電平電壓。如果截止電壓選擇過低，一方面會影響電路正常工作，另一方面會影響 ESD的使用壽命。峰值脈沖電流 IPP： 當(dāng)ESD單獨使用時，要根據(jù)線路上可能出現(xiàn)的至大浪涌電流來選擇合適的型號。相同電壓的 ESD，功率越大 IPP 也越大。功率越大的 ESD 對電路的保護(hù)效果也越好。陜西ESD保護(hù)器件廠家直銷ESD防護(hù)器件能夠有效保護(hù)電子線路中的精密元器件免受各種浪涌脈沖和靜電的損壞。
一般，ESD 保護(hù)一般通過兩種途徑來實現(xiàn)，第一種方法是避免ESD 的發(fā)生；第二種方法則是通過片內(nèi)或片外集成內(nèi)部保護(hù)電路或?qū)ｉT用的ESD 保護(hù)器件，從而避免ESD 發(fā)生后將被保護(hù)器件損壞。避免ESD 的發(fā)生：避免ESD 發(fā)生的方法多出現(xiàn)于產(chǎn)品交付客戶以前，即研發(fā)、生產(chǎn)等過程。因為在這些階段，IC、電路板等靜電敏感器件可能裸露在外（如生產(chǎn)工過程中的SMT 制程），IC 因ESD 而損壞的可能遠(yuǎn)大于有外殼保護(hù)的成品。一般而言，避免ESD 的方法可分為以下幾類：Surround（包圍）：靜電敏感元器件都以抗靜電材料包裝，或使用有蓋的抗靜電容器儲放；而在靜電敏感區(qū)域（如SMT 制程）工作的人員，則還要穿著靜電服。Ground（接地）：將工作環(huán)境中的人員及設(shè)備通過不同的地線接地；Impound（排除）：排除所有工作區(qū)域內(nèi)的非抗靜電材質(zhì)；此外，可在對靜電極為敏感工作站位增加離子風(fēng)扇以中和產(chǎn)品表面所帶靜電。另一方面，濕度亦是一個重要的考量因素。適宜的濕度可降低ESD 發(fā)生的機(jī)率。
ESD保護(hù)器件在出廠時都需要通過測試，其測試規(guī)范包含在標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2之中。在測試時會在電路中包括150pF電容器和330Ω的內(nèi)部電阻，并且通過以2kV、4kV、6kV和8kV的順序放電四個ESD電壓，來評估產(chǎn)品的擊穿電阻，以了解這些器件的情況。ESD保護(hù)器件和對策組件的主要功能是使進(jìn)入器件的ESD能夠逃逸到地面，如果沒有保護(hù)裝置，則具有幾千伏電壓的ESD將直接應(yīng)用于內(nèi)部IC，這將對芯片帶來嚴(yán)重的影響。當(dāng)ESD保護(hù)器件安裝在外部接口和IC之間以保護(hù)IC時，IC的輸入將通過ESD保護(hù)器件接地，使ESD能夠逃逸到地面。在正常驅(qū)動電壓(幾伏)下，IC與地隔離，因此不會損害數(shù)據(jù)通信。當(dāng)向其施加幾千伏電壓時便將IC電路接地，并且當(dāng)施加幾伏電壓時將其與地隔離，這是ESD保護(hù)器件的必要功能。瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）、片式壓敏電阻MLV是常用ESD保護(hù)元件。
近年，市場對于防雷及ESD靜電保護(hù)組件的需求，大致可分為兩大發(fā)展方向。一是越來越低的等效電容，這是由于近年各項傳輸port的加速發(fā)展，帶動帶寬越來越大且速度越來越快，例如USB 3.0的數(shù)據(jù)傳輸速度達(dá)到5Gbps，比現(xiàn)有的USB 2.0快上十倍；使得客戶端對于ESD靜電保護(hù)組件的等效電容要求越來越嚴(yán)苛。對于保護(hù)組件廠商而言，如何降低等效電容已成為主要產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展方向。另一主要趨勢則是小型化封裝。面向小型化封裝的趨勢，防雷擊和ESD靜電保護(hù)組件小型化的趨勢也越來越明顯。特別是超極本、平板計算機(jī)及智能手機(jī)等產(chǎn)品蓬勃發(fā)展，更顯得客戶端對此需求越來越殷切。ESD保護(hù)元件使電流流過保護(hù)元件而非敏感元件，同時維持敏感元件上的低電壓；河南ESD保護(hù)器件價格
ESD保護(hù)器件具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性。山東ESD保護(hù)器件供應(yīng)商
ESD 保護(hù)器件與保護(hù)電路：由于IC上ESD 保護(hù)電路能力有限，為保證整個系統(tǒng)有較好的ESD 防護(hù)能力，外部ESD 保護(hù)器件是必不可少的。比較常見的有硅基ESD,聚合物PESD和壓敏MOV。硅基ESD：VB擊穿電壓可以低到3.5V；VC鉗位電壓可以低到3.8V；IPP抗浪涌能力可以達(dá)100A；Cp電容可以低到0.2PF；反應(yīng)速度小于1nS;封裝尺寸可以小到0201尺寸；封裝樣式可以多到20多個引腳；壽命和IC 一樣長。聚合物PESD：VB擊穿電壓5V；VC鉗位電壓常規(guī)40V；無IPP抗浪涌能力；Cp電容可以低到0.02PF；反應(yīng)速度小于20nS;封裝尺寸可以小到0201尺寸；封裝樣式不能多樣化，一般是2個腳的二極管。壽命短，自身容易氧化。VC鉗位電壓常規(guī)40V；無IPP抗浪涌能力；Cp電容可以低到0.02PF；反應(yīng)速度小于25nS;封裝尺寸可以小到0402尺寸；封裝樣式不能多樣化，一般是2個腳的二極管。壽命短，自身容易氧化。電子產(chǎn)品輕薄化的發(fā)展趨勢使其對ESD 防護(hù)要求越來越高，MOV 漸漸有些力不從心，硅基ESD二極管則開始嶄露頭角。山東ESD保護(hù)器件供應(yīng)商
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