DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。只考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復(fù)雜。選擇FET時需要考慮的因素包括額定電壓、環(huán)境溫度、開關(guān)頻率、控制器驅(qū)動能力和散熱組件面積。關(guān)鍵問題是，如果功耗過高且散熱不足，則FET可能會過熱起火。我們可以利用封裝/散熱組件ThetaJA或者熱敏電阻、FET功耗和環(huán)境溫度估算某個FET的結(jié)溫。雙柵極MOSFET通常用在射頻集成電路，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。無錫MOSFET設(shè)計
MOSFET工作原理：要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產(chǎn)生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。若先不接VGS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結(jié)處于反向，因此漏源之間不能導(dǎo)電。如果在柵極G與源極S之間加一電壓VGS。此時可以將柵極與襯底看作電容器的兩個極板，而氧化物絕緣層作為電容器的介質(zhì)。當(dāng)加上VGS時，在絕緣層和柵極界面上感應(yīng)出正電荷，而在絕緣層和P型襯底界面上感應(yīng)出負電荷。這層感應(yīng)的負電荷和P型襯底中的多數(shù)載流子（空穴）的極性相反，所以稱為“反型層”，這反型層有可能將漏與源的兩N型區(qū)連接起來形成導(dǎo)電溝道。低壓N+NMOSFET價格由于集成電路芯片上的MOSFET為四端元件，所以除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極。
如何選擇用于熱插拔的MOSFET？當(dāng)電源與其負載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應(yīng)用類似，此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時，F(xiàn)ET的作用并不是立即斷開輸入與輸出之間的連接，而是減輕那些具有破壞力的浪涌電流帶來的嚴(yán)重后果。這需要通過一個控制器來調(diào)節(jié)輸入電壓（VIN）和輸出電壓（VOUT）之間MOSFET上的柵源偏壓，使MOSFET處于飽和狀態(tài)，從而阻止可能通過的電流。
MOSFET溝道的選擇，為設(shè)計選擇正確器件的第1步是決定采用N溝道還是P溝道 MOSFET.在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個MOSFET接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝 道MOSFET,這是出于對關(guān)閉或?qū)ㄆ骷桦妷旱目紤]。當(dāng)MOSFET連接到總線及負載接地時，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個拓撲中采用P溝道 MOSFET,這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。電壓和電流的選擇，額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實踐經(jīng)驗，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或 總線電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOSFET不會失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS.設(shè)計工程 師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備（如電機或變壓器）誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源 為20~30V、85~220VAC應(yīng)用為450~600V。過去數(shù)十年來，MOSFET的尺寸不斷地變小。
MOSFET的型號命名：場效應(yīng)管通常有下列兩種命名方法。第1種命名方法是使用“中國半導(dǎo)體器件型號命名法”的第3、第4和第5部分來命名，其中的第3部分用字母CS表示場效應(yīng)管，第4部分用阿拉伯?dāng)?shù)字表示器件序號，第5部分用漢語拼音字母表示規(guī)格號。例如CS2B、CS14A、CS45G等。第二種命名方法與雙極型三極管相同，第1位用數(shù)字表示電極數(shù)；第二位用字母表示極性（其中D是N溝道，C是P溝道）；第三位用字母表示類型（其中J表示結(jié)型場效應(yīng)管，O表示絕緣柵場效應(yīng)管）。例如，3DJ6D是N溝道結(jié)型場效應(yīng)三極管，3D06C是N溝道絕緣柵型場效應(yīng)三極管。在MOSFET器件應(yīng)用時必須掌握在應(yīng)用中如何保護器件，不使器件在瞬態(tài)變化中受損害。南通N-CHANNELMOSFET廠家
MOS電容的特性決定了MOSFET的操作特性。無錫MOSFET設(shè)計
不同耐壓的MOSFET，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOSFET，其外延層電阻單為 總導(dǎo)通電阻的29%，耐壓600V的MOSFET的外延層電阻則是總導(dǎo)通電阻的96.5%。由此可以推斷耐壓800V的MOSFET的導(dǎo)通電阻將幾乎被外 延層電阻占據(jù)。欲獲得高阻斷電壓，就必須采用高電阻率的外延層，并增厚。這就是常規(guī)高壓MOSFET結(jié)構(gòu)所導(dǎo)致的高導(dǎo)通電阻的根本原因。增加管芯面積雖能降低導(dǎo)通電阻，但成本的提高所付出的代價是商業(yè)品所不允許的。引入少數(shù)載流子導(dǎo)電雖能降低導(dǎo)通壓降，但付出的代價是開關(guān)速度的降低并出現(xiàn)拖尾電流，開關(guān)損耗增加，失去了MOSFET的高速的優(yōu)點。以上兩種辦法不能降低高壓MOSFET的導(dǎo)通電阻，所剩的思路就是如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導(dǎo)電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。如除 導(dǎo)通時低摻雜的高耐壓外延層對導(dǎo)通電阻只能起增大作用外并無其他用途。這樣，是否可以將導(dǎo)電通道以高摻雜較低電阻率實現(xiàn)，而在MOSFET關(guān)斷時，設(shè)法使這個通道以某種方式夾斷，使整個器件耐壓單取決于低摻雜的N-外延層。無錫MOSFET設(shè)計
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