無(wú)錫直插晶振貴不貴

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-10-09

晶振的指標(biāo),靜電容:等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容,也叫并電容,通常用C0表示。工作溫度范圍:能夠保證振蕩器輸出頻率及其化各種特性符合指標(biāo)的溫度范圍。頻率溫度穩(wěn)定度:在標(biāo)稱(chēng)電源和負(fù)載下,工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的較大允許頻偏。ft:頻率溫度穩(wěn)定度(不帶隱含基準(zhǔn)度);ftref:頻率溫度穩(wěn)定度(帶隱含基準(zhǔn)溫);fmax :規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較高頻率;fmin:規(guī)定溫度范圍內(nèi)測(cè)得的較低頻率;fref:規(guī)定基準(zhǔn)溫度測(cè)得的頻率。說(shuō)明:采用ftref指標(biāo)的晶體振蕩器其生產(chǎn)難度要高于采用ft指標(biāo)的晶體振蕩器,故ftref指標(biāo)的晶體振蕩器售價(jià)較高。普通晶體振蕩器(SPXO)是一種簡(jiǎn)單的晶體振蕩器,通常稱(chēng)為鐘振。無(wú)錫直插晶振貴不貴

晶體是一個(gè)14.318 MHz的石英諧振器,主要作用是作為振蕩電路的諧振元件把電壓轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的頻率信號(hào)輸送給主板上的各種信號(hào)處理芯片。如圖7所示為時(shí)鐘芯片的晶振電路示意圖,振蕩電路在芯片內(nèi)部,諧振晶體接在芯片外部。這種電路稱(chēng)為晶體振蕩器,簡(jiǎn)稱(chēng)晶振。晶振電路在電磁爐中的應(yīng)用電磁爐電路中常用晶體振蕩器電路圖,在電磁爐電路中,晶體振蕩器常用作微處理器(或微控制器)的時(shí)鐘信號(hào)源,時(shí)鐘信號(hào)是整機(jī)工作不可缺少的信號(hào),如果沒(méi)有時(shí)鐘信號(hào),那么微處理器將無(wú)法啟動(dòng)和工作。溫州定制晶振廠(chǎng)商標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振,負(fù)載電容不一定相同。

選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比,可以表示為功率耗散電容值。比如,HC04反相器門(mén)電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí),相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容,整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容,相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下,晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類(lèi)型與功能,范圍可以從低頻(固定)器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。

如果在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng),機(jī)械形變振動(dòng)又會(huì)產(chǎn)生交變電場(chǎng),盡管這種交變電場(chǎng)的電壓極其微弱,但其振動(dòng)頻率是十分穩(wěn)定的。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(與切割后的晶片尺寸有關(guān),晶體愈薄,切割難度越大,諧振頻率越高)相等時(shí),機(jī)械振動(dòng)的幅度將急劇增加,這種現(xiàn)象稱(chēng)為“壓電諧振”。通常廠(chǎng)家的晶振元件數(shù)據(jù)手冊(cè)給出的標(biāo)稱(chēng)頻率不是Fr或FL,實(shí)際的晶體元件應(yīng)用于振蕩電路中時(shí),它一般還會(huì)與負(fù)載電容相聯(lián)接,共同作用使晶體工作于Fr和FL之間的某個(gè)頻率,這個(gè)頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定,通過(guò)改變電路的電抗條件,就可以在有限的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)晶體頻率。石英晶體振蕩器有壓控制晶體振蕩器、恒溫控制式晶體振蕩器和數(shù)字化/μp補(bǔ)償式晶體振蕩器等幾種類(lèi)型。

晶振的指標(biāo),負(fù)載電容:與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率FL的有效外界電容,用CL表示。負(fù)載電容系列:8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF。激勵(lì)電平:晶體工作時(shí)所消耗功率的表征值。激勵(lì)電平可選值有:2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等。老化率:在確定時(shí)間內(nèi)輸出頻率的相對(duì)變化?;l:在振動(dòng)模式較低階次的振動(dòng)頻率。泛音:晶體振動(dòng)的機(jī)械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍,這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動(dòng)有3次泛音,5次泛音,7次泛音,9次泛音等。晶振一般用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。合肥2520晶振價(jià)格

在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д?。無(wú)錫直插晶振貴不貴

溫度頻差(Frequency Stability vs Temp)表示在特定溫度范圍內(nèi),工作頻率相對(duì)于基準(zhǔn)溫度時(shí)工作頻率的允許偏離,它的單位也是ppm。石英晶體有一種特性,如果在晶片某軸向上施加壓力時(shí),相應(yīng)施力的方向會(huì)產(chǎn)生一定的電位相反的,在晶體的某些軸向施加電場(chǎng)時(shí),會(huì)使晶體產(chǎn)生機(jī)械變形;晶體的自然諧振頻率,它在高穩(wěn)晶振的設(shè)計(jì)中,是作為使晶振穩(wěn)定工作于標(biāo)稱(chēng)頻率、確定頻率調(diào)整范圍、設(shè)置頻率微調(diào)裝置等要求時(shí)的設(shè)計(jì)參數(shù)(但不是標(biāo)稱(chēng)頻率)。當(dāng)晶體元件與外部電容相連接時(shí)(并聯(lián)或串聯(lián)),在負(fù)載諧振頻率時(shí)的電阻即為負(fù)載諧振電阻RL,它總是大于晶體元件本身的諧振電阻。無(wú)錫直插晶振貴不貴

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