杭州音叉石英晶振貴不貴

來源: 發(fā)布時間:2021-09-27

選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比,可以表示為功率耗散電容值。比如,HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時,相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容,整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容,相應地也需要更多的電流。相比之下,晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能,范圍可以從低頻(固定)器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。串聯(lián)型晶體振蕩器采用了兩級放大電路,石英晶體X1構(gòu)成反饋電路。杭州音叉石英晶振貴不貴

單片機晶振電路中兩個微調(diào)電容不對稱會怎樣?相差多少會使頻率怎樣變化?我在檢測無線鼠標的接受模塊時,發(fā)現(xiàn)其頻率總是慢慢變化(就是一直不松探頭的手,發(fā)現(xiàn)頻率慢慢變小)晶振是新的!電容不對稱也不會引起頻率的漂移,你說的頻率漂移可能是因為晶振的電容的容量很不穩(wěn)定引起的,你可以換了試,換兩電容不難,要不就是你的晶振的穩(wěn)定性太差了,或者你測量的方法有問題。單片機時鐘電路用12MHZ的晶振時那電容的值是怎樣得出來的?拿內(nèi)部時鐘電路來說明吧!其實這兩個電容沒人能夠解釋清楚到底怎么選值,因為22pF實在是太小了。這個要說只能說和內(nèi)部的振蕩電路自身特性有關(guān)系,搭配使用,用來校正波形,沒有人去深究它到底為什么就是這么大的值。寧波32.768khz晶振生產(chǎn)廠家石英晶體振蕩器分為非溫度補償式晶體振蕩器、溫度補償式晶體振蕩器等。

晶振的振動模式與頻率關(guān)系:基頻1~35MHz;3次泛音10~75MHz;5次泛音 50~150MHz;7次泛音 100~200MHz;9次泛音 150~250MHz。晶體電阻:對于同一頻率,當工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。"信號源+電平表"功能由網(wǎng)絡(luò)分析儀完成;Ri、R0:儀器內(nèi)阻:一般為50Ω。R1--濾波器輸入端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。R2--濾波器輸出端外接阻抗,阻抗值為匹配阻抗減去50Ω。在濾波器條件的匹配阻抗中有時有并接電容要求,應按上圖連接。

如果在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會產(chǎn)生機械振動,機械形變振動又會產(chǎn)生交變電場,盡管這種交變電場的電壓極其微弱,但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(與切割后的晶片尺寸有關(guān),晶體愈薄,切割難度越大,諧振頻率越高)相等時,機械振動的幅度將急劇增加,這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。通常廠家的晶振元件數(shù)據(jù)手冊給出的標稱頻率不是Fr或FL,實際的晶體元件應用于振蕩電路中時,它一般還會與負載電容相聯(lián)接,共同作用使晶體工作于Fr和FL之間的某個頻率,這個頻率由振蕩電路的相位和有效電抗確定,通過改變電路的電抗條件,就可以在有限的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)晶體頻率。在實際應用中要根據(jù)具體要求選擇適當?shù)木д瘛?/p>

石英諧振器的模態(tài)譜,包括基模,三階泛音,5 階泛音和一些亂真信號響應,即寄生模。在振蕩器應用上,振蕩器總是選擇較強的模式工作。一些干擾模式有急劇升降的頻率—溫度特性。有時候,當溫度發(fā)生改變,在一定溫度下,寄生模的頻率與振蕩頻率一致,這導致了“活動性下降”。在活動性下降時,寄生模的激勵引起諧振器的額外能量的消耗,導致Q 值的減小,等效串聯(lián)電阻增大及振蕩器頻率的改變。當阻抗增加到相當大的時候,振蕩器就會停止,即振蕩器失效。當溫度改變遠離活動性下降的溫度時,振蕩器又會重新工作。寄生模能有適當?shù)脑O(shè)計和封裝方法控制。不斷修正電極與晶片的尺寸關(guān)系(即應用能陷原則),并保持晶片主平面平行,這樣就能把寄生模較小化。數(shù)字式間接溫度補償是在模擬式間接溫度補償電路中的溫度。蘇州石英晶振廠商

晶振一般用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。杭州音叉石英晶振貴不貴

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