溫度控制式補償晶體振蕩器的直接補償型。直接補償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當要求晶體振蕩器精度小于±1×10-6時，直接補償方式并不適合。晶振常與主板、南橋、聲卡等電路連接使用。晶振可比喻為各板卡的“心跳”發(fā)生器，如果主卡的“心跳”出現(xiàn)問題，必定會使其他各電路出現(xiàn)故障。石英晶體振子置于內(nèi)部的恒溫槽中，振蕩電路置于外部的恒溫槽中進行溫度補償，實行雙重恒溫槽控制法。上海26兆晶振制造商
單片機晶振與速度的疑問，執(zhí)行一條指令的周期不是由晶振決定的嗎。那么比如51單片機和MSP430，給51接高速晶振，430接低速的，是不是51跑的要快？是不是速度單片機速度光光與晶振有關(guān)，關(guān)鍵是單片機能不能支持那么大的晶振？每個單片機的速度是受到內(nèi)部邏輯門電平跳變速度的。對于一個51，給他用更高的晶振，速度會快些。但是對于高級的單片機就不一樣了。高級單片機內(nèi)部，一般都是有頻率控制寄存器的，所以，簡單的增加晶振，可能達到單片機的極限，導(dǎo)致跑飛。寧波高穩(wěn)定性晶振晶振利用一種能把電能和機械能相互轉(zhuǎn)化的晶體，在共振的狀態(tài)下工作可以提供穩(wěn)定、精確的單頻振蕩。
由于晶體單元的振蕩頻率本身是由晶體單元的特性決定的，因此基本上不能改變。因此，在無線通信等中，可以采用根據(jù)所使用的頻率來更換晶體單元的方法。然而，通過調(diào)整外部電容，±0幾個％是約并應(yīng)用此可能微調(diào)VXO（可變晶體振蕩器），以允許電壓控制將被替換為可變電容二極管的電容的VCXO（壓控晶體振蕩器，VCXO）具有電路，例如。此外，晶體振蕩器和電壓控制振蕩器，一個數(shù)字電路，由于計數(shù)器組合電路和相位比較器等的頻率合成器通過，所以能夠獲得任意的頻率穩(wěn)定的輸出信號。
晶振為何被要求緊挨著單片機?原因如下：晶振是通過電激勵來產(chǎn)生固定頻率的機械振動，而振動又會產(chǎn)生電流反饋給電路，電路接到反饋后進行信號放大，再次用放大的電信號來激勵晶振機械振動，晶振再將振動產(chǎn)生的電流反饋給電路，如此這般。當電路中的激勵電信號和晶振的標稱頻率相同時，電路就能輸出信號強大，頻率穩(wěn)定的正弦波。整形電路再將正弦波變成方波送到數(shù)字電路中供其使用。問題在于晶振的輸出能力有限，它光光輸出以毫瓦為單位的電能量。在 IC(集成電路) 內(nèi)部，通過放大器將這個信號放大幾百倍甚至上千倍才能正常使用。普通晶體振蕩器主要應(yīng)用于穩(wěn)定度要求不高的場合。
選擇振蕩器時還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時，相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容，整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。壓控制晶體振蕩器是通過施加外部控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器。上海26兆晶振制造商
并聯(lián)型晶體振蕩器：三極管VT與R1、R2、R3、R4構(gòu)成放大電路。上海26兆晶振制造商
溫度式補償晶體振蕩器。溫度式補償晶體振蕩器（TCXO）是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器，如圖7所示。TCXO中，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：直接補償型。直接補償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。間接補償型。間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度-電壓變換電路，并將該電壓施加到一只與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進行補償。上海26兆晶振制造商
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