單片機(jī)晶振與速度的疑問(wèn)，執(zhí)行一條指令的周期不是由晶振決定的嗎。那么比如51單片機(jī)和MSP430，給51接高速晶振，430接低速的，是不是51跑的要快？是不是速度單片機(jī)速度光光與晶振有關(guān)，關(guān)鍵是單片機(jī)能不能支持那么大的晶振？每個(gè)單片機(jī)的速度是受到內(nèi)部邏輯門(mén)電平跳變速度的。對(duì)于一個(gè)51，給他用更高的晶振，速度會(huì)快些。但是對(duì)于高級(jí)的單片機(jī)就不一樣了。高級(jí)單片機(jī)內(nèi)部，一般都是有頻率控制寄存器的，所以，簡(jiǎn)單的增加晶振，可能達(dá)到單片機(jī)的極限，導(dǎo)致跑飛。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有：電磁干擾（EMI）、機(jī)械震動(dòng)與沖擊、濕度和溫度。無(wú)錫32 768k晶振廠家
晶體是一個(gè)14.318 MHz的石英諧振器，主要作用是作為振蕩電路的諧振元件把電壓轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的頻率信號(hào)輸送給主板上的各種信號(hào)處理芯片。如圖7所示為時(shí)鐘芯片的晶振電路示意圖，振蕩電路在芯片內(nèi)部，諧振晶體接在芯片外部。這種電路稱為晶體振蕩器，簡(jiǎn)稱晶振。晶振電路在電磁爐中的應(yīng)用電磁爐電路中常用晶體振蕩器電路圖，在電磁爐電路中，晶體振蕩器常用作微處理器（或微控制器）的時(shí)鐘信號(hào)源，時(shí)鐘信號(hào)是整機(jī)工作不可缺少的信號(hào)，如果沒(méi)有時(shí)鐘信號(hào)，那么微處理器將無(wú)法啟動(dòng)和工作。合肥10兆晶振價(jià)格普通晶體振蕩器是一種完全由晶體自由振蕩完成工作的晶體振蕩器。
晶片的等效電感很大，而C很小，R也小，因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大，可達(dá)1000～10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān)，而且可以做得精確，因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。計(jì)算機(jī)都有個(gè)計(jì)時(shí)電路，盡管一般使用“時(shí)鐘”這個(gè)詞來(lái)表示這些設(shè)備，但它們實(shí)際上并不是通常意義的時(shí)鐘，把它們稱為計(jì)時(shí)器可能更恰當(dāng)一點(diǎn)。計(jì)算機(jī)的計(jì)時(shí)器通常是一個(gè)精密加工過(guò)的石英晶體，石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩，這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。有兩個(gè)寄存器與每個(gè)石英晶體相關(guān)聯(lián)，一個(gè)計(jì)數(shù)器和一個(gè)保持寄存器。
晶體振蕩器用法，測(cè)量?jī)x器，厚度計(jì)：真空蒸鍍沉積被用作由于變化的頻率連接到在振動(dòng)器表面時(shí)增加的質(zhì)量的膜厚度測(cè)量?jī)x。石英晶體微天平：一種將非常少量的分子質(zhì)量應(yīng)用于測(cè)量的設(shè)備，因?yàn)楫?dāng)物體粘附到石英晶體表面時(shí)，傳輸頻率會(huì)發(fā)生變化。石英壓電壓力傳感器，無(wú)線通信（振蕩電路，濾波電路）在無(wú)線通信中，可以將晶體諧振器用作濾波器電路的一部分。它被稱為晶體濾波器或晶體濾波器。特別是在需要窄帶濾波器電路時(shí)使用。SAW濾波器正越來(lái)越多地用于較窄的頻帶，并且產(chǎn)量正在下降。另一方面，由于許多業(yè)余無(wú)線電運(yùn)營(yíng)商已經(jīng)宣布了基于晶體諧振器測(cè)量數(shù)據(jù)的濾波器設(shè)計(jì)方法和評(píng)估，所以自制的晶體濾波器通常主要用于業(yè)余無(wú)線電。在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д瘛?/p>
晶振的型號(hào)命名 國(guó)產(chǎn)晶振型號(hào)命名一般由三個(gè)部分構(gòu)成，分別為外殼的形狀和材料、石英片的切片型和主要性能及外形尺寸，一部分為外殼的形狀和材料主。J表示金屬殼。第二部分為石英切片型，用字母表示。F表示為FT切割方式。第三部分為主要功能和外形尺寸，用數(shù)字表示。5.000表示諧振頻率為5MHz。因此JF5.000表示采用F切割方式、金屬外殼、諧振頻率為5MHz的諧振晶振。晶振外殼的形狀和材料字母含義對(duì)照表，石英切片型號(hào)的表示方法字母含義對(duì)照表。晶振外殼的形狀和材料字母含義對(duì)照表和石英切片型的表示方法字母含義對(duì)照表。 在振蕩器中采用石英晶體，可以產(chǎn)生高度穩(wěn)定的信號(hào)，這種采用石英晶體的振蕩器稱為晶體振蕩器。南京32.768khz晶振廠商
負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接的集成電路（IC）內(nèi)部及外部所有有效電容之和。無(wú)錫32 768k晶振廠家
選擇振蕩器時(shí)還需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內(nèi)部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比，可以表示為功率耗散電容值。比如，HC04反相器門(mén)電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時(shí)，相當(dāng)于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負(fù)載電容，整個(gè)電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負(fù)載電容，相應(yīng)地也需要更多的電流。相比之下，晶振模塊一般需要電源電流為10mA ~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能，范圍可以從低頻（固定）器件的幾個(gè)微安到可編程器件的幾個(gè)毫安。無(wú)錫32 768k晶振廠家
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