在規(guī)定的環(huán)境條件下，由于元件(主要是石英諧振器)老化而引起的輸出頻率隨時(shí)間的系統(tǒng)漂移過(guò)程。通常用某一時(shí)間間隔內(nèi)的頻差來(lái)量度。對(duì)于高穩(wěn)定晶振，由于輸出頻率在較長(zhǎng)的工作時(shí)間內(nèi)呈近似線性的單方向漂移，往往用老化率(單位時(shí)間內(nèi)的相對(duì)頻率變化)來(lái)量度。用萬(wàn)用表(R×10k擋)測(cè)晶振兩端的電阻值，若為無(wú)窮大，說(shuō)明晶振無(wú)短路或漏電；再將試電筆插入市電插孔內(nèi)，用手指捏住晶振的任一引腳，將另一引腳碰觸試電筆頂端的金屬部分，若試電筆氖泡發(fā)紅，說(shuō)明晶振是好的；若氖泡不亮，則說(shuō)明晶振損壞。晶振的保存方式，要先考慮其周?chē)某睗穸龋龊梅罃D壓措施。蘇州貼片晶振廠家
我們都知道石英晶振它是被動(dòng)的一種組件，主要是由IC提供一定的激勵(lì)功率才會(huì)正常工作的。所以呢，這個(gè)激勵(lì)功率是分廠重要的一部分。激勵(lì)功率太低了，晶振就不容易產(chǎn)生信號(hào)，也就不容易起振。但是激勵(lì)功率太高的話，就會(huì)形成過(guò)激勵(lì)，這樣容易造成石英芯片的破損，從而產(chǎn)生停振的現(xiàn)象。解決晶振不起振至少要對(duì)以下三個(gè)要素：對(duì)振蕩頻率（頻率匹配）、振蕩裕度（負(fù)阻抗）和激勵(lì)功率的三項(xiàng)進(jìn)行測(cè)試。較好使用有源晶振，有源晶振都是內(nèi)置電路，所以不存在電路匹配問(wèn)題，極大避免了晶振不起振問(wèn)題的發(fā)生。這是解決晶振不起振問(wèn)題的方法之一！杭州石英晶振廠家電話應(yīng)該確保晶振外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路。
石英晶振提供了兩種共振模式，由 C1 與 L1 構(gòu)成的串聯(lián)共振，與由 C0、C1 與 L1 構(gòu)成的并聯(lián)共振。對(duì)于一般的 MHz 級(jí)石英晶體而言，串聯(lián)共振頻率一般會(huì)比并聯(lián)共振頻率低若干 KHz。 頻率在 30 MHz 以下的石英晶體，通常工作時(shí)的頻率處于串聯(lián)共振頻率與并聯(lián)共振頻率之間，此時(shí)石英晶體呈現(xiàn)電感性阻抗。因?yàn)椋獠侩娐飞系碾娙輹?huì)把電路的振蕩頻率拉低一些。在設(shè)計(jì)石英晶體振蕩電路時(shí)，也應(yīng)令電路上的雜散電容與外加電容合計(jì)値與晶體廠商使用的負(fù)載電容值相同，振蕩頻率才會(huì)準(zhǔn)確符合廠商的規(guī)格。
負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接的集成電路（IC）內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載電容不同，振蕩器的振蕩頻率不同。但標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。一般來(lái)說(shuō)，有低負(fù)載電容（串聯(lián)諧振晶體）和高負(fù)載電容（并聯(lián)諧振晶體）之分。因此，標(biāo)稱頻率相同的晶體互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一致，不能輕易互換，否則會(huì)造成電路工作不正常。溫度穩(wěn)定度是指其他條件保持不變時(shí)，在規(guī)定溫度范圍內(nèi)晶振輸出頻率的較大變化量相對(duì)于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）。長(zhǎng)時(shí)間對(duì)焊盤(pán)加熱可能會(huì)超過(guò)晶振工作溫度范圍。
保護(hù)晶振需要注意的事項(xiàng)：1、晶振的保存方式，首先要考慮其周?chē)某睗穸?，做好防擠壓措施，放在干燥通風(fēng)的地方，使其晶體避免受潮導(dǎo)致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化。2、其次對(duì)于易碎的晶振器件要做好防震措施，不宜放在較高的貨架上，在使用的過(guò)程，也不宜使晶振跌落，一般來(lái)說(shuō),從高空跌落的晶振不應(yīng)再次使用。3、對(duì)于需要剪腳的晶振，應(yīng)該注意機(jī)械應(yīng)力的影響。4、在晶振焊錫過(guò)程中，其焊錫的溫度不宜過(guò)高,焊錫時(shí)間也不宜過(guò)長(zhǎng)，防止晶體因此發(fā)生內(nèi)變，而產(chǎn)生不穩(wěn)定。在通常工作條件下，普通的晶振頻率的精度可達(dá)百萬(wàn)分之五十。寧波插件晶振報(bào)價(jià)
晶振頻率穩(wěn)定性，頻率穩(wěn)定度表示晶振的輸出頻率因溫度變化、電壓變化。蘇州貼片晶振廠家
晶振（Oscillator）是不需要電容的，晶體（Crystal）才需要電容。晶振的實(shí)際頻率和標(biāo)稱頻率之間的關(guān)系：Fx = F0(1+C1/(C0+CL))^(1/2)；而 CL = Cg*Cd/(Cg+Cd)+Cs;其中Cs為雜散電容，Cg和Cd為我們外部加的兩個(gè)電容，通常大家取值相等，它們對(duì)串聯(lián)起來(lái)加上雜散電容即為晶振的負(fù)載電容CL。具體公式不用細(xì)想，我們可以從中得知負(fù)載電容的減小可以使實(shí)際頻率Fx變大，我們可以改變的只有Cg和Cd，通過(guò)初步的計(jì)算發(fā)現(xiàn)CL改變1pF，F(xiàn)x可以改變幾百Hz。原有電路使用的是33pF的兩個(gè)電容，則并聯(lián)起來(lái)是16.5pF，我們的貼片電容只有27pF、33pF、39pF。所以我們選用了27pF和39pF并聯(lián)，則電容為15.95pF。電容焊好后，測(cè)量比原來(lái)大了200多赫茲，落在了設(shè)計(jì)范圍內(nèi)。蘇州貼片晶振廠家