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當(dāng)晶體不振動(dòng)時(shí),可把它看成一個(gè)平板電容器稱為靜電電容C,它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān),一般約幾個(gè)pF到幾十pF。當(dāng)晶體振蕩時(shí),機(jī)械振動(dòng)的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十mH到幾百mH。晶片的彈性可用電容C來等效,C的值很小,一般只有0.0002~0.1pF。晶片振動(dòng)時(shí)因摩擦而造成的損耗用R來等效,它的數(shù)值約為100Ω。由于晶片的等效電感很大,而C很小,R也小,因此回路的品質(zhì)因數(shù)Q很大,可達(dá)1000~10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關(guān),而且可以做得精確,因此利用石英晶體諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定性。 基于石英晶體諧振器和陶瓷諧振回路的振蕩器通??梢蕴峁┓浅8叩某跏季群偷蜏囟认禂?shù)。寧波1612晶體諧振器價(jià)格
晶體諧振器主要技術(shù)指標(biāo):標(biāo)稱頻率:振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標(biāo)稱值。頻率準(zhǔn)確度:振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對(duì)于標(biāo)稱頻率的偏差。調(diào)整頻差:在指定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對(duì)于25℃時(shí)測(cè)量值的大允許頻率偏差。負(fù)載諧振頻率(fL):在規(guī)定條件下,晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)(產(chǎn)生諧振)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí),負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè),在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí),則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。溫州手機(jī)晶體諧振器供應(yīng)到目前為止,石英晶體諧振器主要用于衛(wèi)星通信、廣播電視、計(jì)算機(jī)、電話、遙控等各種振蕩電路。
生產(chǎn)石英晶體諧振器的具體步驟:安裝點(diǎn)膠方法是將鍍有電極的應(yīng)時(shí)片慢慢放在帶狀支架的兩塊金屬片之間,使兩塊開有槽孔的金屬片能緊緊夾住應(yīng)時(shí)片,然后在電極與金屬片的接觸處涂上一層導(dǎo)電膠,使電極膜能通過邊緣的導(dǎo)電膠與金屬片接觸,產(chǎn)生電連接。調(diào)整石英晶體諧振器的諧振頻率以滿足設(shè)計(jì)要求是調(diào)頻晶體諧振器生產(chǎn)中的一個(gè)關(guān)鍵工序。不同類型的晶體諧振器有不同的調(diào)頻方式,如真空鍍膜調(diào)頻和拋光晶片調(diào)頻。對(duì)于附加值低、成本要求高的晶體諧振器生產(chǎn),經(jīng)常采用拋光晶片的調(diào)頻工藝。之后,進(jìn)行外殼封裝、印刷和成品測(cè)量過程。隨著各國信息產(chǎn)業(yè)和電子產(chǎn)業(yè)的不斷擴(kuò)大,石英晶體諧振器的應(yīng)用范圍仍在不斷擴(kuò)大,帶動(dòng)其市場(chǎng)規(guī)模不斷增長。目前,市場(chǎng)對(duì)高精度、高頻、高穩(wěn)定性、低功耗的晶體諧振器產(chǎn)品有很大的需求。而且,隨著電子產(chǎn)品向超薄化、小型化、功能集成化發(fā)展,晶振產(chǎn)品也將向小型化、芯片化、集成化升級(jí),因此晶振行業(yè)的生產(chǎn)技術(shù)應(yīng)該還有很大的提升空間。
石英晶體諧振器分為插件(Dip)和貼片(SMD)插件中又分為HC-49U、HC-49S、HC-49SS、音叉型(柱狀晶振)。HC-49U一般稱49U,有些采購俗稱"高型",而HC-49S一般稱49S,俗稱"矮型",HC-49SS一般稱49SS,俗稱(超矮型,通常是2.5mm封裝高度),音叉型按照體積分可以分為3*9、3*8、2*6、、1*5、、1*4等等。貼片型是按大小和腳位來分類。例如7*5(0705)、6*3.5(0603)、5*3.2(5032)等等。腳位有4pin和2pin之分。而振蕩器也可以分為插件和貼片。插件可以按大小和腳位來分。例如所謂全尺寸的,又稱長方形或者14pin,半尺寸的又稱正方形或者8pin。不過要注意的是,這里的14pin和8pin都是指振蕩器內(nèi)部主要IC的腳位數(shù)。振蕩器本身是4pin。而從不同的應(yīng)用層面來分,又可分為OSC(普通鐘振)、TCXO(溫補(bǔ)鐘振)、VCXO(壓控鐘振)、OCXO(恒溫鐘振)等等。石英晶體諧振器輸出上升和下降時(shí)間為5納秒,老化率為5 ppm/年。
選擇石英晶體諧振器時(shí)也應(yīng)考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流和電路的內(nèi)部電容決定。CMOS放大器的功耗與工作頻率成正比,可以用功耗電容值來表示。比如HC04逆變門電路的功耗電容為90pF。在4MHz和5V電源下工作時(shí),相當(dāng)于1.8mA電源電流。采用20pF晶體負(fù)載電容,整個(gè)電源電流為2.2mA,陶瓷諧振儲(chǔ)能電路一般負(fù)載電容較大,對(duì)應(yīng)需要的電流也較多。相比之下,晶振模塊一般需要10mA ~60mA的電源電流。硅振蕩器的電源電流取決于其類型和功能,范圍可以從幾微安的低頻(固定)器件到幾毫安的可編程器件。像MAX7375這樣的低功耗硅振蕩器,在4MHz工作時(shí)只需要不到2mA的電流。在特定應(yīng)用中優(yōu)化時(shí)鐘源需要綜合考慮以下因素:精度、成本、功耗和環(huán)境要求。石英晶體諧振器是一種精度高、穩(wěn)定性好的振蕩器。濟(jì)南小型晶體諧振器供應(yīng)
石英晶體諧振器電路由于其良好的頻率穩(wěn)定性,被廣泛應(yīng)用于電子系統(tǒng)中提供參考時(shí)鐘。寧波1612晶體諧振器價(jià)格
石英晶體諧振器的應(yīng)用:1、石英鐘走時(shí)準(zhǔn)、耗電省、經(jīng)久耐用為其大優(yōu)點(diǎn)。不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體諧振器為主要電路,其頻率精度決定了電子鐘表的走時(shí)精度。石英晶體諧振器原理的示意,其中V1和V2構(gòu)成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調(diào)電容C2構(gòu)成振蕩系統(tǒng),這里石英晶體相當(dāng)于電感。振蕩系統(tǒng)的元件參數(shù)確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻,R2為振蕩的穩(wěn)定電阻,它們都集成在電路內(nèi)部。故無法通過改變C1或C2的數(shù)值來調(diào)整走時(shí)精度。但此時(shí)仍可用加接一只電容C有方法,來改變振蕩系統(tǒng)參數(shù),以調(diào)整走時(shí)精度。根據(jù)電子鐘表走時(shí)的快慢,調(diào)整電容有兩種接法:若走時(shí)偏快,則可在石英晶體兩端并接電容。此時(shí)系統(tǒng)總電容加大,振蕩頻率變低,走時(shí)減慢。若走時(shí)偏慢,則可在晶體支路中串接電容C。此時(shí)系統(tǒng)的總電容減小,振蕩頻率變高,走時(shí)增快。只要經(jīng)過耐心的反復(fù)試驗(yàn),就可以調(diào)整走時(shí)精度。因此,晶振可用于時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生器。寧波1612晶體諧振器價(jià)格