真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學(xué)氣相沉積等多種方法。除化學(xué)氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點：(1)各種鍍膜技術(shù)都需要一個特定的真空環(huán)境，以保證制膜材料在加熱蒸發(fā)或濺射過程中所形成蒸氣分子的運動，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。(2)各種鍍膜技術(shù)都需要有一個蒸發(fā)源或靶子，以便把蒸發(fā)制膜的材料轉(zhuǎn)化成氣體。由于源或靶的不斷改進，擴大了制膜材料的選用范圍，無論是金屬、金屬合金、金屬間化合物、陶瓷或有機物質(zhì)，都可以蒸鍍各種金屬膜和介質(zhì)膜，而且還可以同時蒸鍍不同材料而得到多層膜。(3)蒸發(fā)或濺射出來的制膜材料，在與待鍍的工件生成薄膜的過程中，對其膜厚可進行比較精確的測量和控制，從而保證膜厚的均勻性。為什么真空鍍膜是非常有前途的技術(shù)之一？中山金屬表面真空鍍膜流程
PVD技術(shù)具有膜/基結(jié)合力好、薄膜均勻致密、薄膜厚度可控性好、應(yīng)用的靶材普遍、濺射范圍寬、可沉積厚膜、可制取成分穩(wěn)定的合金膜和重復(fù)性好等優(yōu)點。同時，由于其工藝處理溫度可控制在500℃以下，因此可作為處理工藝用于高速鋼和硬質(zhì)合金類的薄膜刀具上。由于采用PVD工藝可大幅度提高刀具的切削性能，人們在競相開發(fā)高性能、高可靠性設(shè)備的同時，也對其應(yīng)用領(lǐng)域的擴展，尤其是在高速鋼、硬質(zhì)合金和陶瓷類刀具中的應(yīng)用進行了更加深入的研究。CVD技術(shù)是把含有構(gòu)成薄膜元素的單質(zhì)氣體或化合物供給基體，借助氣相作用或基體表面上的化學(xué)反應(yīng)，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學(xué)氣相沉積、低壓化學(xué)氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學(xué)氣相沉積等。中山市燈飾真空鍍膜設(shè)備塑料真空鍍膜機給物件鍍膜,為什么要在真空狀態(tài)下進行?
真空鍍膜底漆底涂處于基材和真空鍍層之間，其作用主要有：（1）通過底涂封閉基材，防止真空鍍膜時基材中的揮發(fā)性雜質(zhì)逸出，影響鍍膜質(zhì)量;（2）塑料表面較粗糙，底涂預(yù)處理后，可通過涂層獲得光滑平整的鏡面效果;（3）在薄膜材料上預(yù)涂底漆可進一步加強薄膜的阻隔性;（4）預(yù)涂底漆有利于獲得更厚的真空鍍層，展現(xiàn)出更高的反射效果和力學(xué)性能;（5）某些表面極性較低的基材如PP等與鍍層的附著力較差，通過底漆可獲得較好的鍍層附著性;（6）對某些耐熱性較差的塑料基材，底涂可以起到一定的熱緩沖作用，保護基材免遭熱致形變。
真空不導(dǎo)電電鍍，稱NCVM，是一種真空電鍍的高新技術(shù)。也是目前塑膠件外殼普遍采用的物理法表面處理工藝之一。采用新的鍍膜技術(shù)、新的材料，做出普通真空電鍍的不同顏色的金屬外觀效果，起到美化工件表面之功用。真空鍍膜和陽極氧化是目前兩種常用的表面處理方法。真空鍍膜法在手機消費電子的表面處理中，物理的氣相沉積（PVD）是主要的真空鍍膜方法。其原理為：在真空條件下，將金屬氣化成原子或分子，或者使其離子化成離子，直接沉積到工件表面，形成涂層，其沉積粒子束來源于非化學(xué)因素，如蒸發(fā)鍍、濺射鍍、離子鍍等。真空鍍膜知識知多少—顏色。
真空不導(dǎo)電電鍍和普通真空電鍍有何區(qū)別?真空鍍膜就是將塑膠，薄膜等制品置于高真空爐內(nèi)。對鋁，錫，銦等金屬加熱，使之蒸發(fā)形成金屬氣體，金屬氣體在高真空條件下自由散發(fā)，冷卻后附著于被蒸鍍物表面上，形成金屬薄膜。 真空鍍膜為什么要噴底漆和面漆?真空鍍膜前噴底漆能增加金屬層和塑材之間的附著度，使塑材表面平坦光滑。電鍍后光澤度好。-真空鍍膜后噴面漆起保護鍍層，防止氧化，污染。增強表面耐磨。耐刮性能。通過增加染料等物質(zhì)達(dá)到表面美觀多樣化的目的。-真空不導(dǎo)電電鍍和普通真空電鍍有何區(qū)別?真空不導(dǎo)電電鍍，又稱NCVM。普通真空電鍍習(xí)慣稱PVD。真空不導(dǎo)電電鍍的加工工藝緣于普通真空電鍍，卻比其制程復(fù)雜的多，主要區(qū)別是其電鍍區(qū)域不導(dǎo)電，從而不影響手機等通訊公具的收訊效果(如無雜音，對人產(chǎn)生影響等。)現(xiàn)在3G產(chǎn)業(yè)中，廣為流傳推廣的表面處理就是NCVM。-真空鍍膜的原理是什么？中山市塑料真空鍍膜操作
真空鍍膜的工藝流程是什么？中山金屬表面真空鍍膜流程
提高離化碰撞的方法要么靠額外的電子源來提供，而不是靠陰極發(fā)射出來的二次電子;要么就是利用高頻放電裝置或者施加磁場的方式提高已有電子的離化效率。事實上，真空鍍膜中二次電子在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響，被束縛在靠近靶面的等離子體區(qū)域內(nèi)，該區(qū)域內(nèi)等離子體密度很高，二次電子在磁場的作用下圍繞靶面作圓周運動，該電子的運動路徑很長，在運動過程中不斷的與氬原子發(fā)生碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材，經(jīng)過多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫磁力線的束縛，遠(yuǎn)離靶材，終沉積在基片上。中山金屬表面真空鍍膜流程
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