以N溝道MOS管為例,當柵極與源極之間電壓為零時,漏極和源極之間不導通,相當于開路;當柵極與源極之間電壓為正且超過一定界限時,漏極和源極之間則可通過電流,電路導通。
根據(jù)工作載流子的極性不同,可分為N溝道型(NMOS)與P溝道型(PMOS),兩者極性不同但工作原理類似,在實際電路中N溝道型因?qū)娮栊?、制造容易而應用?**。
按照結(jié)構(gòu)和工作原理,還可分為增強型、耗盡型、絕緣柵型等,不同類型的MOS管如同各具專長的“電子**”,適用于不同的電路設計和應用場景需求。 MOS管是否有短路功能?高科技MOS哪里買
選型指南與服務支持選型關(guān)鍵參數(shù):
耐壓(VDS):根據(jù)系統(tǒng)電壓選擇(如快充選30-100V,光伏選650-1200V)。導通電阻(Rds(on)):電流越大,需Rds(on)越?。?A以下選10mΩ,10A以上選<5mΩ)。
封裝形式:DFN(小型化)、TOLL(散熱好)、SOIC(低成本)按需選擇。增值服務:**樣品:提供AOS、英飛凌、士蘭微主流型號樣品測試。
方案設計:針對快充、儲能等場景,提供參考電路圖與BOM清單(如65W氮化鎵快充完整方案)??煽啃员U希撼兄ZHTRB1000小時測試通過率>99.9%,提供5年質(zhì)保。 什么是MOS智能系統(tǒng)在 CMOS(互補金屬氧化物半導體)邏輯門中,增強型 MOS 管被用于實現(xiàn)各種邏輯功能!
杭州士蘭微電子(SILAN)作為國內(nèi)**的半導體企業(yè),在 MOS 管領域擁有豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)積累
技術(shù)優(yōu)勢:高集成、低功耗、國產(chǎn)替代集成化設計:如SD6853/6854內(nèi)置高壓MOS管,省去光耦和Y電容,簡化電源方案(2011年推出,后續(xù)升級至滿足能源之星標準)。工藝迭代:0.8μmBiCMOS/BCD工藝(早期)、8英寸SiC產(chǎn)線(在建),提升產(chǎn)能與性能,F(xiàn)-Cell系列芯片面積縮小20%,成本降低??煽啃裕簴旁磽舸╇妷簝?yōu)化,ESD能力>±15kV(SD6853/6854),滿足家電、工業(yè)長期穩(wěn)定需求。國產(chǎn)替代:2022年**MOS管(如超結(jié)、車規(guī)級)訂單飽滿,供不應求,覆蓋消費電子(手機充電器)、白電(壓縮機)、新能源(充電樁)等領域。
?電機驅(qū)動:在電機驅(qū)動電路中,MOS管用于控制電機的啟動、停止和轉(zhuǎn)向。以直流電機為例,通過控制多個MOS管組成的H橋電路中MOS管的導通和截止狀態(tài),可以改變電機兩端的電壓極性,從而實現(xiàn)電機的正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn),廣泛應用于電動車、機器人等設備中。阻抗變換電路?信號匹配:在一些信號傳輸電路中,需要進行阻抗變換以實現(xiàn)信號的比較好傳輸。例如在高速數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)中,MOS管可以組成源極跟隨器或共源放大器等電路,用于將高阻抗信號源的信號轉(zhuǎn)換為低阻抗信號,以便與后續(xù)低阻抗負載更好地匹配,減少信號反射和失真,提高信號傳輸?shù)馁|(zhì)量和效率。?傳感器接口:在傳感器電路中,MOS管常被用于實現(xiàn)傳感器與后續(xù)電路之間的阻抗匹配。例如,一些傳感器輸出的信號具有較高的阻抗,而后續(xù)的信號處理電路通常需要低阻抗的輸入信號。通過使用MOS管組成的阻抗變換電路,可以將傳感器輸出的高阻抗信號轉(zhuǎn)換為適合后續(xù)電路處理的低阻抗信號,確保傳感器信號能夠有效地傳輸和處理。恒流源電路士蘭的 LVMOS 工藝技術(shù)制造可用于汽車電子嗎?
場景深耕:從指尖到云端的“能效管家”
1.消費電子:快充與便攜的**手機/筆記本:低壓NMOS(如AOSAON6220,100V/5.1mΩ)同步整流,65W氮化鎵充電器體積縮小60%,溫升降低10℃。電池保護:雙PMOS(如小米充電寶方案)過流響應<5μs,0.5mΩ導通壓降,延長電池壽命20%。
2.**新能源:碳中和的“電力樞紐”充電樁:士蘭微SVF12N65F(650V/12A)超結(jié)管,120kW模塊效率96.5%,支持15分鐘充滿80%。儲能逆變器:英飛凌CoolSiC?1200VMOS,開關(guān)損耗降低70%,10kW儲能系統(tǒng)體積減少1/3。 電機驅(qū)動:用于驅(qū)動各種直流電機、交流電機,通過控MOS 管的導通和截止嗎?制造MOS制品價格
MOS 管能夠?qū)⑽⑷醯碾娦盘柗糯蟮剿璧姆葐??高科技MOS哪里買
杭州士蘭微電子(SILAN)作為國內(nèi)**的半導體企業(yè),在MOS管領域擁有豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)積累,以下從產(chǎn)品類型、技術(shù)進展及應用場景三方面梳理其MOS管業(yè)務:
中低壓MOSFET(40V-200V)屏蔽柵SGT-MOS:低導通電阻(如SVG030R7NL5,30V/162A,Rds(on)=7mΩ),用于手機快充、移動電源、鋰電池保護板。溝槽柵LVMOS:覆蓋17A-162A,支持大電流場景,如電動工具、智能機器人。碳化硅(SiC)MOSFET(新一代布局)2025年與清純半導體合作開發(fā)8英寸溝槽型SiCMOSFET,依托士蘭集宏8英寸SiC產(chǎn)線(2026年試產(chǎn)),瞄準新能源汽車OBC、光伏逆變器等**市場,推動國產(chǎn)替代。 高科技MOS哪里買