2024年3月6-8日先進陶瓷技術(shù)發(fā)展論壇

來源: 發(fā)布時間:2025-07-24

根據(jù)文獻資料,冷燒結(jié)(CSP)過程通常包括溶劑添加、單向壓力施加以及溫度升高等關(guān)鍵步驟,具體操作流程如下:首先,在陶瓷粉末中摻入適量的溶劑,這樣做的目的是為了確保粉末顆粒表面能夠均勻地被溶劑覆蓋,從而促進液相與固相之間的緊密結(jié)合。接著,將預(yù)濕的陶瓷粉末倒入室溫或預(yù)熱的模具中,并利用液壓機或機械裝置施加單向壓力。當(dāng)壓力達到預(yù)設(shè)的最大值時,通過模具頂部和底部的熱壓板或環(huán)繞模具的電加熱裝置提供熱量(低于400℃),進而形成結(jié)構(gòu)較為致密的燒結(jié)陶瓷體。部分研究表明,通過冷燒結(jié)得到的陶瓷材料,其晶粒生長可能不完全,晶界處可能含有非晶態(tài)物質(zhì)。因此,為了進一步提升樣品的致密度,并獲得更優(yōu)的結(jié)構(gòu)與性能,需要對燒結(jié)后的樣品進行進一步的處理。從這些步驟中可以看出,CSP技術(shù)采用的是開放式系統(tǒng),允許溶劑通過模具的縫隙揮發(fā)。與需要特殊密封反應(yīng)容器(例如高壓熱壓,HHP)或昂貴電極(例如火花燒結(jié),F(xiàn)S)的其他低溫?zé)Y(jié)技術(shù)相比,CSP技術(shù)因其設(shè)備簡單而顯得更加便捷和實用。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展!2025買家中心關(guān)注點,就在9月10-12日,深圳福田會展中心,2025華南先進陶瓷展!2024年3月6-8日先進陶瓷技術(shù)發(fā)展論壇

2024年3月6-8日先進陶瓷技術(shù)發(fā)展論壇,先進陶瓷

技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)突破先進陶瓷應(yīng)用邊界。升華三維 PEP 技術(shù)精確調(diào)控陶瓷粉末與粘結(jié)劑,實現(xiàn)碳化硅反射鏡復(fù)雜曲面一體成型,表面精度達 0.1nm,應(yīng)用于空間望遠(yuǎn)鏡等前沿光學(xué)設(shè)備。國瓷材料納米鈦酸鋇粉體,以 50nm 粒徑提升介電常數(shù)至 4500,增強 MLCC 儲能密度,推動 5G 基站天線小型化,單元體積縮小 30% 。航空航天領(lǐng)域,稀土鋯酸鹽熱障涂層經(jīng)納米結(jié)構(gòu)優(yōu)化,熱導(dǎo)率降至 1.2W/m?K,耐受 1700℃高溫,使發(fā)動機葉片溫度提升 150℃,燃油效率提高 5%。這些成果彰顯先進陶瓷在多領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。2025 華南國際先進陶瓷展將展示前沿技術(shù)與產(chǎn)業(yè)成果,搭建全產(chǎn)業(yè)鏈交流理想平臺。2025 華南國際先進陶瓷展誠邀您參展參觀!華東區(qū)國際先進陶瓷技術(shù)展先進陶瓷材料如何助力航空航天及新能源等領(lǐng)域?2025華南國際先進陶瓷展,9月深圳福田,等您來一碳究竟!

2024年3月6-8日先進陶瓷技術(shù)發(fā)展論壇,先進陶瓷

在各種極端應(yīng)用環(huán)境下,陶瓷總是能憑借其優(yōu)異的性能脫穎而出,其中,航空航天和**都是先進陶瓷非常火爆的應(yīng)用市場。而在航空航天市場中,“耐高溫”和“隱身”就是陶瓷的兩條發(fā)展主線。隨著單晶、熱障涂層及主動氣冷的潛力逐漸窮盡,新一代***航空發(fā)動機對新型耐高溫結(jié)構(gòu)材料的需求愈發(fā)迫切,SiC/SiC-CMC成為耐高溫結(jié)構(gòu)材料優(yōu)先之一。碳化硅纖維在SiC/SiC-CMC中起到主要的增強增韌作用,耐溫能力1200℃以上的碳化硅纖維作為SiC/SiC-CMC**關(guān)鍵的原材料,成為各航空強國的研究競爭重點。吸波材料是**重要的隱身材料之一,一般由基體材料(或粘結(jié)劑)與吸收介質(zhì)(吸收劑)復(fù)合而成。在陶瓷吸波材料中,碳化硅是制作多波段吸波材料的主要成分;陶瓷紅外隱身材料是一種由無機陶瓷納米材料與無機高分子材料復(fù)合而成的涂料,通過精細(xì)控制無機陶瓷納米粒子均勻分散在無機聚合物基體中,實現(xiàn)高效的寬頻帶電磁波吸波。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展,就在9月10-12日,深圳會展中心(福田)2號館!

碳化硅(SiC)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其***的物理性能,廣泛應(yīng)用于新能源汽車、5G通信、光伏、智能電網(wǎng)等多個領(lǐng)域。當(dāng)前,碳化硅晶體生長技術(shù)正快速發(fā)展,并逐漸成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的**技術(shù)之一。目前,碳化硅襯底廠商正在經(jīng)歷從6英寸到8英寸襯底的技術(shù)過渡。6英寸襯底技術(shù)已經(jīng)相對成熟,但其生產(chǎn)成本較高,價格已大幅下降至2500-2800元(較2023年初下降超過40%)。與此相比,8英寸襯底技術(shù)的研發(fā)仍處于小批量生產(chǎn)階段,且受限于良率和均勻性等問題,價格仍維持在8000-10000元之間。隨著競爭的加劇,許多中小型襯底廠商采取低價策略來爭奪市場份額,這導(dǎo)致了嚴(yán)重的“內(nèi)卷”,有可能出現(xiàn)低質(zhì)量的襯底產(chǎn)品,進而影響下游應(yīng)用廠商的產(chǎn)品質(zhì)量與體驗。長期低于成本的價格競爭可能使一些襯底廠商面臨資金鏈斷裂的風(fēng)險,甚至導(dǎo)致破產(chǎn)清算。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展!黃金展位火熱預(yù)定中!解鎖海外訂單,就在9月10-12日,深圳福田會展中心,2025華南先進陶瓷展!

2024年3月6-8日先進陶瓷技術(shù)發(fā)展論壇,先進陶瓷

MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors)是片式多層陶瓷電容器英文縮寫。是由印好電極(內(nèi)電極)的陶瓷介質(zhì)膜片以錯位的方式疊合起來,經(jīng)過一次性高溫?zé)Y(jié)形成陶瓷芯片,再在芯片的兩端封上金屬層(外電極),從而形成一個類似獨石的結(jié)構(gòu)體,故也叫獨石電容器。可以看到,內(nèi)部電極通過一層層疊起來,來增大電容兩極板的面積,從而增大電容量。陶瓷介質(zhì)即為內(nèi)部填充介質(zhì),不同的介質(zhì)做成的電容器的特性不同,有容量大的,有溫度特性好的,有頻率特性好的等等,這也是為什么陶瓷電容有這么多種類的原因。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展,就在9月10-12日,深圳會展中心(福田)2號館!產(chǎn)業(yè)論壇、學(xué)術(shù)會議、供需對接、新品發(fā)布……華南國際先進陶瓷展活動豐富多彩,內(nèi)容深廣兼?zhèn)洌?月10日至12日中國上海市先進陶瓷粉末冶金展覽會

關(guān)稅直降115%激發(fā)訂單回補潮!2025華南國際先進陶瓷展助陣企業(yè)直達海外市場!2024年3月6-8日先進陶瓷技術(shù)發(fā)展論壇

微波介質(zhì)陶瓷元器件生產(chǎn)涉及到材料學(xué)、微波與電磁場、電子技術(shù)與應(yīng)用、微波與射頻測量技術(shù)、高精度機械制造技術(shù)、電磁兼容與可靠性技術(shù)等多學(xué)科理論與技術(shù),學(xué)科領(lǐng)域復(fù)雜,技術(shù)壁壘高。從原料的角度看的話,為滿足不同的應(yīng)用領(lǐng)域要求,微波介質(zhì)陶瓷主要是往里摻雜各種其他元素實現(xiàn)材料介電性能優(yōu)化,因此材料體系是相當(dāng)?shù)膹?fù)雜。高Q值、低插損。微波介質(zhì)陶瓷材料的介質(zhì)損耗是影響介質(zhì)濾波器插入損耗的一個主要因素。材料品質(zhì)因素(Q值)越高,濾波器的插入損耗就越低。為獲得低損耗、高Q值的微波介質(zhì)陶瓷材料,必須不斷改進微波介質(zhì)陶瓷材料的粉體配方和制備工藝,研制出雜質(zhì)少、缺陷少、晶粒均勻分布的高Q值微波介質(zhì)陶瓷材料,從而制造出低插損的介質(zhì)濾波器產(chǎn)品。2025華南國際先進陶瓷展誠邀您參展觀展,就在9月10-12日,深圳會展中心(福田)2號館!2024年3月6-8日先進陶瓷技術(shù)發(fā)展論壇