2024年3月6日中國國際先進(jìn)陶瓷與增材制造展覽會(huì)

碳化硅產(chǎn)業(yè)各鏈條都在互相交融、跨界。系統(tǒng)級(jí)廠商方面，比亞迪從整車制造跨到碳化硅產(chǎn)業(yè)前端的襯底環(huán)節(jié)，吉利則向后端做到碳化硅芯片制造；在供應(yīng)鏈Tier1廠商層面，博世和華為同樣做到碳化硅芯片制造。高成本是制約碳化硅器件實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用及國產(chǎn)替代的主要因素，但碳化硅器件與傳統(tǒng)硅基器件的差價(jià)正在縮小。SiCSBD產(chǎn)品價(jià)格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A，與硅基器件差價(jià)約為3.8倍。2019至2020年，1200V和1700V的SiCMOSFET的平均價(jià)格跌幅達(dá)30%-40%，有助于其提升市場(chǎng)滲透率。“中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。 誠邀您蒞臨參觀！“中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”匯聚國內(nèi)外優(yōu)秀企業(yè)和業(yè)界精英；展會(huì)將于2025年3月10日上海世博展覽館開幕！2024年3月6日中國國際先進(jìn)陶瓷與增材制造展覽會(huì)

在電動(dòng)汽車主驅(qū)逆變器中，SiC MOSFET相比硅基IGBT具有明顯優(yōu)勢(shì)，如功率轉(zhuǎn)換效率高、逆變器線圈和電容小型化、降低電機(jī)鐵損、束線輕量化和節(jié)省安裝空間等。雖然碳化硅器件價(jià)格較高，但其優(yōu)勢(shì)可降低整車系統(tǒng)成本。2018年，特斯拉在Model 3中首ci將硅基 IGBT替換為SiC器件，大幅提升汽車逆變器效率，越來越多的車廠如比亞迪、蔚來、小鵬、保時(shí)捷等正在轉(zhuǎn)向在電驅(qū)中使用碳化硅MOSFET器件?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會(huì)同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！第十六屆中國國際先進(jìn)陶瓷與粉末冶金展覽會(huì)2025年3月10-12日，讓我們相聚中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)，共同探索先進(jìn)陶瓷行業(yè)的萬千可能！

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫?cái)U(kuò)散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴(kuò)散系數(shù)低，需極高溫度，會(huì)惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實(shí)現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長(zhǎng)，國產(chǎn)化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設(shè)的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購?fù)呃锇玻?，日本愛發(fā)科及日清公司，國內(nèi)廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！

相比硅器件，SiC MOSFET在耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)頻率等方面具有較好的優(yōu)勢(shì)。耐壓方面，SiC MOSFET在6500V時(shí)仍能保持高性能，而硅基MOSFET上限通常在650V左右。在開關(guān)頻率超過1kHz時(shí)，硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）損耗較高，而SiC MOSFET開關(guān)損耗相比可降低多達(dá)80%，整體功率損耗降低66%。導(dǎo)通電阻方面，SiC MOSFET芯片面積則更小，如在900V導(dǎo)通電阻下，硅基MOSFET芯片尺寸比SiC MOSFET大35倍。SiC MOSFET還具有高性能體二極管，可減少器件數(shù)量和占位面積。SiC MOSFET的工作結(jié)溫和熱穩(wěn)定性更高，可達(dá)200℃或更高，適用于汽車市場(chǎng)，其高耐溫性可降低系統(tǒng)散熱要求和導(dǎo)通電阻偏移。“第十七屆中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會(huì)展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。展會(huì)打通供需堵點(diǎn)，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！“2025年中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)：粉末冶金及硬質(zhì)合金展、3月10日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀！

先進(jìn)陶瓷又稱高性能陶瓷、精細(xì)陶瓷、高技術(shù)陶瓷等，是指采用高純度、超細(xì)人工合成或精選的無機(jī)化合物為原料，具有優(yōu)異的力學(xué)、聲、光、熱、電、生物等特性的陶瓷。先進(jìn)陶瓷在原料、工藝方面有別于傳統(tǒng)陶瓷，特定的精細(xì)結(jié)構(gòu)使其具有高、高硬、耐磨、耐腐蝕、耐高溫、絕緣、超導(dǎo)、生物相容等一系列優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于國防、化工、冶金、電子、機(jī)械、航空、航天、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域，是近年來我國重點(diǎn)支持發(fā)展的產(chǎn)業(yè)之一。2025中國國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)（IACECHINA）將於3月10-12日在上海世博展覽館舉辦，歡迎大家蒞臨參會(huì)！ 中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)將于2025年3月10-12日在上海隆重舉辦，行業(yè)人士齊聚一堂，共襄盛會(huì)！2025年3月10日華東國際先進(jìn)陶瓷行業(yè)技術(shù)峰會(huì)

“中國?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”匯聚國內(nèi)外優(yōu)秀企業(yè)和業(yè)界精英：2025年3月10日上海見。誠邀您蒞臨參觀！2024年3月6日中國國際先進(jìn)陶瓷與增材制造展覽會(huì)

微波燒結(jié)是利用微波電磁場(chǎng)中材料的介質(zhì)損耗使材料整體加熱至燒結(jié)溫度而實(shí)現(xiàn)燒結(jié)和致密化。微波燒結(jié)具有體加熱的特性，燒結(jié)過程中依靠材料本身吸收微波能，并轉(zhuǎn)化為材料內(nèi)部分子的動(dòng)能和勢(shì)能，降低燒結(jié)活化能，提高擴(kuò)散系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)低溫快速燒結(jié)，可獲得納米晶粒的燒結(jié)體。微波燒結(jié)的優(yōu)點(diǎn)為具有較短的燒結(jié)時(shí)間，使引起低頻介質(zhì)損耗的缺陷濃度減小，從而使得介質(zhì)損耗降低。相對(duì)于常規(guī)無壓燒結(jié)，微波燒結(jié)制備的BaTiO3陶瓷晶粒更小，具有相對(duì)多的晶界，晶界的介電常數(shù)較低?！暗谑邔弥袊?國際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。誠邀您蒞臨參觀！2024年3月6日中國國際先進(jìn)陶瓷與增材制造展覽會(huì)