mos管模型參數(shù)

MOS管的雪崩能量rating是應(yīng)對(duì)突發(fā)故障的安全保障。當(dāng)電路中出現(xiàn)電感負(fù)載突然斷電的情況，電感儲(chǔ)存的能量會(huì)通過(guò)MOS管釋放，如果MOS管的雪崩能量不足，就可能在這個(gè)過(guò)程中損壞。工業(yè)控制中的電磁閥驅(qū)動(dòng)電路經(jīng)常會(huì)遇到這種情況，所以必須選用雪崩能量足夠大的MOS管，或者在電路中增加續(xù)流二極管分擔(dān)能量。測(cè)試雪崩能量時(shí)，需要模擬實(shí)際工況下的能量釋放過(guò)程，不能只看datasheet上的標(biāo)稱值，因?yàn)閷?shí)際電路中的能量大小和釋放速度都可能與測(cè)試條件不同。?MOS管在LED驅(qū)動(dòng)電源中，能控制電流穩(wěn)定輸出。mos管模型參數(shù)

MOS管的選型需要綜合考慮成本與性能的平衡。同規(guī)格的MOS管，不同品牌的價(jià)格可能相差一倍以上，但價(jià)格高的不一定就適合所有場(chǎng)景。在消費(fèi)電子產(chǎn)品中，成本控制比較嚴(yán)格，往往會(huì)選用性價(jià)比高的國(guó)產(chǎn)型號(hào)，只要能滿足基本參數(shù)要求就行；而在航空航天等可靠性要求極高的領(lǐng)域，即使價(jià)格昂貴，也會(huì)選用經(jīng)過(guò)嚴(yán)格篩選的進(jìn)口品牌，并且會(huì)進(jìn)行多批次的測(cè)試驗(yàn)證。實(shí)際選型時(shí)，還得考慮供應(yīng)商的交貨周期和售后技術(shù)支持，畢竟生產(chǎn)線上因?yàn)槠骷?wèn)題停線的損失可能比器件本身的成本高得多。mos管模型參數(shù)MOS管在安防攝像頭電源里，能適應(yīng)寬電壓輸入很實(shí)用。

MOS管的并聯(lián)使用是解決大電流問(wèn)題的常用方案。在服務(wù)器電源中，單顆MOS管的電流可能不夠，這時(shí)候就需要多顆并聯(lián)。但并聯(lián)時(shí)必須注意參數(shù)的一致性，尤其是導(dǎo)通電阻和柵極電荷，差異過(guò)大的話會(huì)導(dǎo)致電流分配不均，有的管子可能承受了大部分電流，很快就會(huì)過(guò)熱損壞。為了均衡電流，工程師會(huì)在每個(gè)MOS管的源極串聯(lián)一個(gè)小電阻，雖然會(huì)增加一點(diǎn)損耗，但能有效避免電流集中的問(wèn)題。另外，柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的布線長(zhǎng)度要盡量一致，防止因延遲不同導(dǎo)致開(kāi)關(guān)不同步。?

MOS管的柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)直接影響器件性能。如果驅(qū)動(dòng)電壓不夠穩(wěn)定，MOS管可能處于半導(dǎo)通狀態(tài)，這時(shí)候的損耗會(huì)急劇增加。有些工程師喜歡用三極管搭建推挽電路來(lái)驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O，這種方案成本低，但驅(qū)動(dòng)能力有限；而的MOS管驅(qū)動(dòng)芯片雖然成本高一些，但能提供穩(wěn)定的驅(qū)動(dòng)電流，還帶有過(guò)壓保護(hù)功能，在工業(yè)設(shè)備中應(yīng)用很廣。驅(qū)動(dòng)電路的布線也很關(guān)鍵，柵極和源極的引線要盡量短且粗，減少寄生電感，否則在開(kāi)關(guān)瞬間很容易產(chǎn)生尖峰電壓，擊穿柵極。?MOS管在電焊機(jī)的控制板上，能調(diào)節(jié)輸出電流大小。

MOS管的并聯(lián)均流技術(shù)在大功率電源系統(tǒng)中應(yīng)用。在數(shù)據(jù)中心的備用電源中，單臺(tái)電源的功率可能達(dá)到數(shù)千瓦，需要多顆MOS管并聯(lián)來(lái)分擔(dān)電流。但簡(jiǎn)單的并聯(lián)會(huì)導(dǎo)致電流分配不均，這時(shí)候會(huì)采用均流電阻或均流電感，強(qiáng)制使各MOS管的電流趨于一致。更先進(jìn)的方案是采用有源均流技術(shù)，通過(guò)檢測(cè)每顆MOS管的電流，動(dòng)態(tài)調(diào)整柵極電壓，實(shí)現(xiàn)精確均流。設(shè)計(jì)時(shí)，還要注意各MOS管的布局對(duì)稱，確保驅(qū)動(dòng)信號(hào)和散熱條件一致，從硬件上減少電流不均的可能性。調(diào)試時(shí)，用電流探頭測(cè)量每顆MOS管的電流波形，確保偏差不超過(guò)5%。?MOS管焊接時(shí)溫度別太高，不然容易損壞內(nèi)部芯片。mos管模型參數(shù)

MOS管的導(dǎo)通壓降小，在低壓電路里能量損耗特別低。mos管模型參數(shù)

MOS管的結(jié)溫耐受能力決定了器件的可靠性。在汽車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)艙這類(lèi)高溫環(huán)境中，環(huán)境溫度本身就可能達(dá)到80℃以上，這時(shí)候MOS管的結(jié)溫必須留有足夠余量，一般要求比較大結(jié)溫至少比實(shí)際工作結(jié)溫高出20℃以上。計(jì)算結(jié)溫時(shí)不能只看功耗，還得考慮熱阻參數(shù)，包括結(jié)到殼的熱阻和殼到環(huán)境的熱阻，這兩個(gè)參數(shù)直接決定了散熱設(shè)計(jì)的方向。有些工程師會(huì)在PCB上設(shè)計(jì)大面積的銅皮，其實(shí)就是為了降低殼到環(huán)境的熱阻，變相提高M(jìn)OS管的散熱能力。MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的同步整流應(yīng)用越來(lái)越。傳統(tǒng)的二極管整流效率低，尤其是在低壓輸出場(chǎng)景中，整流損耗能占到總損耗的40%以上。而用MOS管做同步整流時(shí)，導(dǎo)通電阻可以做到幾個(gè)毫歐，損耗能大幅降低。不過(guò)同步整流對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的要求很高，必須精確控制MOS管的導(dǎo)通時(shí)機(jī)，確保與主開(kāi)關(guān)管的動(dòng)作配合默契，否則很容易出現(xiàn)上下管同時(shí)導(dǎo)通的情況，造成電源短路?，F(xiàn)在很多電源管理芯片都內(nèi)置了同步整流驅(qū)動(dòng)功能，降低了設(shè)計(jì)難度。mos管模型參數(shù)