宿遷陶瓷薄膜電容價(jià)格

紋波電流容差影響電解電容器性能的較重要參數(shù)之一是紋波電流。紋波電流對鋁電解電容器的影響主要是由于功耗對ESR的影響，使鋁電解電容器發(fā)熱，從而縮短使用壽命。從特性曲線(圖2)可以看出，紋波電流對ESR造成的損耗與紋波電流有效值的平方成正比，所以隨著紋波電流的增加，小時(shí)壽命曲線類似于拋物線函數(shù)曲線。降低紋波電流的方法可以采用更大容量的鋁電解電容器。畢竟大容量鋁電解電容器比小容量鋁電解電容器能承受更大的紋波電流。也可以采用幾個(gè)小容量鋁電解電容并聯(lián)，也可以選擇低紋波電流的電路拓?fù)?。一般來說，反激變換器產(chǎn)生的開關(guān)電流相對比較大。表1顯示了各種開關(guān)轉(zhuǎn)換器電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的濾波電容上的DC電流、整流和濾波紋波電流、開關(guān)電流和總紋波電流。MLCC（Multi-layer Ceramic Capacitors）是片式多層陶瓷電容器英文縮寫。宿遷陶瓷薄膜電容價(jià)格

電容量與體積由于電解電容器多數(shù)采用卷繞結(jié)構(gòu)，很容易擴(kuò)大體積，因此單位體積電容量非常大，比其它電容大幾倍到幾十倍。但是大電容量的獲取是以體積的擴(kuò)大為代價(jià)的，開關(guān)電源要求越來越高的效率，越來越小的體積，因此，有必要尋求新的解決辦法，來獲得大電容量、小體積的電容器。在開關(guān)電源的原邊一旦采用有源濾波器電路，則鋁電解電容器的使用環(huán)境變得比以前更為嚴(yán)酷：（1）高頻脈沖電流主要是20kHz~100kHz的脈動(dòng)電流，而且大幅度增加；（2）變換器的主開關(guān)管發(fā)熱，導(dǎo)致鋁電解電容器的周圍溫度升高；（3）變換器多采用升壓電路，因此要求耐高壓的鋁電解電容器。這樣一來，利用以往技術(shù)制造的鋁電解電容器，由于要吸收比以往更大的脈動(dòng)電流，不得不選擇大尺寸的電容器。結(jié)果，使電源的體積龐大，難以用于小型化的電子設(shè)備。為了解決這些難題，必須研究與開發(fā)一種新型的電解電容器，體積小、耐高壓，并且允許流過大量高頻脈沖電流。另外，這種電解電容器，在高溫環(huán)境下工作，工作壽命還須比較長。揚(yáng)州電源濾波電容規(guī)格MLCC由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢，其ESR和ESL都具備獨(dú)特優(yōu)勢。所以陶瓷電容具備更好的高頻特性。

MLCC已成為應(yīng)用較普遍的電容器，對一個(gè)國家電子信息產(chǎn)業(yè)的制造水平有著重大影響。MLCC的結(jié)構(gòu)主要包括三部分：陶瓷介質(zhì)、內(nèi)電極和外電極。因此，在制造MLCC的過程中，我們可以選擇不同材料的電介質(zhì)和極板，以及連接極板的引線。即內(nèi)部電極、外部電極、端子和介電材料。由于其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，MLCC在英語聽力和英語聽力方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢。因此，陶瓷電容器具有更好的高頻特性。MLCC電容特性：機(jī)械強(qiáng)度：硬而脆，這是陶瓷材料的機(jī)械強(qiáng)度特性。熱脆性：MLCC的內(nèi)應(yīng)力非常復(fù)雜，因此它對溫度沖擊的抵抗力非常有限。

電容與直流偏置電壓的關(guān)系：***類型電介質(zhì)電容器的電容與DC偏置電壓無關(guān)。第二類型電介質(zhì)電容器的電容隨DC偏壓而變化，陶瓷電容器允許負(fù)載的交流電壓與電流和頻率的關(guān)系主要受電容器ESR的影響；相對來說，C0G的ESR比較低，所以可以承受比較大的電流，對應(yīng)的允許施加的交流電壓也比較大；X7R、X5R、Y5V、Z5U的ESR比較大，可以承受C0G以下。同時(shí)由于電容遠(yuǎn)大于C0G，所以施加的電壓會比C0G小很多。1類介質(zhì)電容器允許電壓、電流和頻率的解釋當(dāng)負(fù)載頻率較低時(shí)，即使負(fù)載的交流電壓為額定交流電壓，當(dāng)流經(jīng)電容器的電流低于額定電流時(shí)，允許電容器負(fù)載額定交流電壓，即平坦部分；電容器的電容量在數(shù)值上等于一個(gè)導(dǎo)電極板上的電荷量與兩個(gè)極板之間的電壓之比。

鋁電解電容器的擊穿是由于陽極氧化鋁介質(zhì)膜破裂，導(dǎo)致電解液與陽極直接接觸。氧化鋁膜可能由于各種材料、工藝或環(huán)境條件而局部損壞。在外加電場的作用下，工作電解液提供的氧離子可以在受損部位重新形成氧化膜，從而對陽極氧化膜進(jìn)行填充和修復(fù)。但如果受損部位有雜質(zhì)離子或其他缺陷，使填充修復(fù)工作不完善，陽極氧化膜上會留下微孔，甚至可能成為通孔，使鋁電解電容器擊穿。陽極氧化膜不夠致密牢固等工藝缺陷，后續(xù)鉚接工藝不好時(shí)，引出箔上的毛刺刺破氧化膜，這些刺破的部位漏電流很大，局部過熱導(dǎo)致電容產(chǎn)生熱擊穿。電容的基本單位是：F（法），此外還有μF（微法）、nF、pF（皮法）。南通鉭電容

電容作為基本元器件之一，實(shí)際生產(chǎn)的電容都不是理想的，會有寄生電感，等效串聯(lián)電阻存在。宿遷陶瓷薄膜電容價(jià)格

類陶瓷電容器類穩(wěn)定陶瓷介質(zhì)材料，如美國電氣工程協(xié)會(EIA)標(biāo)準(zhǔn)的X7R、X5R和中國標(biāo)準(zhǔn)的CT系列(溫度系數(shù)為15.0%)，不適用于定時(shí)、振蕩等溫度系數(shù)較高的場合。然而，因?yàn)榻殡娤禂?shù)可以做得非常大(高達(dá)1200)，所以電容可以做得相對較大。一般1206貼片封裝的電容可以達(dá)到10F或者更高；類可用的陶瓷介質(zhì)材料如美國電氣工程協(xié)會(EIA)標(biāo)準(zhǔn)的Z5U、Y5V和中國標(biāo)準(zhǔn)的CT系列低檔產(chǎn)品(溫度系數(shù)為22%、-56%的Z5U和22%、-82%的Y5V)，這種介質(zhì)的介電系數(shù)隨溫度變化很大，不適用于定時(shí)、振蕩等高溫度系數(shù)的場合。但由于其介電系數(shù)可以做得很大(可達(dá)1000~12000)，電容比可以做得更大，適用于一般工作環(huán)境溫度要求(-25~85)的耦合、旁路和濾波。一般1206表貼Z5U和Y5V介質(zhì)電容甚至可以達(dá)到100F，從某種意義上說是取代鉭電容的有力競爭者。宿遷陶瓷薄膜電容價(jià)格