浙江有什么鋁碳化硅包括哪些

來源: 發(fā)布時間:2021-11-18

熔滲法是AlSiC制備的關鍵,一般分為有壓力滲透和無壓力滲透,前者根據(jù)生產(chǎn)過程中壓力施加的大小、方式的不同,又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設備,滲透時間較短,有效控制Al與SiC的界面反應,同時與精度的模具相配套,獲得實用性發(fā)展。后者是將Al合金錠放置在SiC預制件上,在合金熔點以上保溫,Al合金液依托毛細管力的作用自發(fā)滲入預制件中,所需設備簡單,易于低成本制備,但產(chǎn)品的機械性能與熱性能略低,對基體合金的成分有較為嚴格的要求,浸透需要在保護氣氛中進行。粉末冶金法對SiC體積分數(shù)可在15% ~ 75%之間調(diào)節(jié),SiC承載量大,但較難實現(xiàn)材料的一次成形。高體分鋁碳化硅用于**慣性導航臺體中。浙江有什么鋁碳化硅包括哪些

鋁基碳化硅(AlSiC)顆粒增強復合材料,因其具有高比強度和比剛度、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩(wěn)定性、導熱性以及耐磨、耐疲勞等優(yōu)異的力學性能和物理性能,被用于電子封裝構件材料,在大功率率IGBT 散熱基板、LED封裝照明、航空航天等**領域以及民用信息相控陣天線T/R模塊、大功率微波產(chǎn)品以及宇航電源熱沉載體、殼體中被廣泛應用。高體分SiCp/Al復合材料中主要采用焊接的方式與器件連接,基體材料由于碳化硅顆粒的存在,導致其表面潤濕性能較差,無法滿足焊接功能要求,因此必須在材料表面制備可焊金屬鍍覆層。優(yōu)勢鋁碳化硅分類鋁碳化硅可替代鋁、銅、銅鎢、銅鉬等應用于高功率封裝領域。

3)、增強體SiC在基體中均勻分布的問題:按結構設計需求,使增強材料SiC均勻地分布于基體中也是鋁碳化硅材料制造中的關鍵技術之一。尤其是在低體份鋁碳化硅攪拌法、真空壓力浸滲法、粉末冶金法中,SiC顆粒的團聚,以及不同尺寸SiC顆粒均勻分布為一項難點。該問題主要解決方法:①、對增強體SiC進行適當?shù)谋砻嫣幚?,使其浸漬基體速度加快;②、加入適當?shù)暮辖鹪馗纳苹w的分散性;③、施加適當?shù)膲毫?,使其分散性增大;④、施加外?磁場,超聲場等)。

鋁基碳化硅(AlSiC)的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料,采用鋁合金作為基體,按設計要求,以一定形式、比例和分布狀態(tài),用SiC顆粒作為增強體,構成有明顯界面的多組相復合材料,兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢,具有高導熱性、與芯片相匹配的熱膨脹系數(shù)、密度小、重量輕,以及高硬度和高抗彎強度。其特性主要取決于碳化硅的體積分數(shù)(含量)及分布和粒度大小,以及鋁合金成份等因素。鋁碳化硅以其優(yōu)越的熱物理性能被稱為第三代電子封裝材料,廣泛應用于電子封裝領域。

目前,常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距,使得研發(fā)一種新型輕質金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需,引發(fā)相關部門調(diào)試重視。經(jīng)過近些年來研究所和企業(yè)的深入研究,AlSiC取得了較大的產(chǎn)業(yè)化進展,相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的復合材料SiC/Al實用化進程。將SiC與Al合金按一定比例和工藝結合成AlSiC后,可克服目前金屬封裝材料的不足,獲得高K值、低 CTE、高比強度、低密度、導電性好的封裝材料。高體分鋁碳化硅目前已應用于光學反射鏡、空間掃描機構主框架及光學平臺、衛(wèi)星箱體及蓋板、散熱基板領域。浙江有什么鋁碳化硅包括哪些

高體分鋁碳化硅廣泛應用于雷達的T/R組件中。浙江有什么鋁碳化硅包括哪些

杭州陶飛侖新材料有限公司是一家同時集成低、高體分鋁碳化硅材料設計、材料制造(陶瓷制備、復合成型、機械加工和后處理)于一身的****。已在該方向擁有多項**。采取多孔陶瓷預制體+真空壓力浸滲+機械加工的技術路徑來制備鋁碳化硅復合材料。具有多種技術優(yōu)勢,如燒結周期短(燒結周期縮短為1/4以內(nèi))、熱導率高、高速成型、高精密加工(尺寸精度±0.005mm;平行度、垂直度、平面度±5μm;表面光潔度≤Ra0.01;RMS≤20nm;鉆孔直徑≥0.5mm、攻絲≥M2.5、ST2.5、槽寬≥0.5mm):此外,還有多項創(chuàng)新儲備技術將陸續(xù)產(chǎn)業(yè)化。浙江有什么鋁碳化硅包括哪些

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