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美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下：***部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品。第二部分：用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。港閘區(qū)半導體器件平臺

晶體管又可以分為雙極型晶體管和場效應晶體管兩 類。根據(jù)用途的不同，晶體管可分為功率晶體管微波晶體管和低噪聲晶體管。除了作為放大、振蕩、開關用的 一般晶體管外，還有一些特殊用途的晶體管，如光晶體管、磁敏晶體管，場效應傳感器等。這些器件既能把一些 環(huán)境因素的信息轉(zhuǎn)換為電信號，又有一般晶體管的放大作用得到較大的輸出信號。此外，還有一些特殊器件，如單結(jié)晶體管可用于產(chǎn)生鋸齒波，可控硅可用于各種大電流的控制電路，電荷耦合器件可用作攝橡器件或信息存 儲器件等。在通信和雷達等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導體接收器件接收微弱信號。隨著微波 通信技術的迅速發(fā)展，微波半導件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導體 器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中已得到***的應用 。如東使用半導體器件聯(lián)系方式用數(shù)字表示pn結(jié)數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結(jié)器件、n-n個pn結(jié)器件。

第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導體分立器件。第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅、G-N控制極可控硅、H-N基極單結(jié)晶體管、J-P溝道場效應管、K-N 溝道場效應管、M-雙向可控硅。第四部分：用數(shù)字表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號。兩位以上的整數(shù)-從“11”開始，表示在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA登記的順序號；不同公司的性能相同的器件可以使用同一順序號；數(shù)字越大，越是產(chǎn)品。第五部分： 用字母表示同一型號的改進型產(chǎn)品標志。A、B、C、D、E、F表示這一器件是原型號產(chǎn)品的改進產(chǎn)品。

晶體二極管的基本結(jié)構(gòu)是由一塊 P型半導體和一塊N型半導體結(jié)合在一起形成一個 PN結(jié)。在PN結(jié)的交界面處，由于P型半導體中的空穴和N型半導體中的電子要相互向?qū)Ψ綌U散而形成一個具有空間電荷的偶極層。這偶極層阻止了空穴和電子的繼續(xù)擴散而使PN結(jié)達到平衡狀態(tài)。當PN結(jié)的P端（P型半導體那邊）接電源的正極而另一端接負極時，空穴和電子都向偶極層流動而使偶極層變薄，電流很快上升。如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(nèi)(稱反向飽和電流)。因此，PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。此外，PN結(jié)的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。光電探測器的功能是把微弱的光信號轉(zhuǎn)換成電信號，然后經(jīng)過放大器將電信號放大，從而達到檢測光信號的目的。

第四部分：用字母對同一類型號器件進行分檔。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型號的器件按某一參數(shù)進行分檔的標志。除四個基本部分外，有時還加后綴，以區(qū)別特性或進一步分類。常見后綴如下：1、穩(wěn)壓二極管型號的后綴。其后綴的***部分是一個字母，表示穩(wěn)定電壓值的容許誤差范圍，字母A、B、C、D、E分別表示容許誤差為±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后綴第二部分是數(shù)字，表示標稱穩(wěn)定電壓的整數(shù)數(shù)值；后綴的第三部分是字母V，**小數(shù)點，字母V之后的數(shù)字為穩(wěn)壓管標稱穩(wěn)定電壓的小數(shù)值。2、整流二極管后綴是數(shù)字，表示器件的比較大反向峰值耐壓值，單位是伏特。三位數(shù)字-**通用半導體器件的登記序號、一個字母加二位數(shù)字-表示**半導體器件的登記序號。如皋貿(mào)易半導體器件24小時服務

晶閘管型號的后綴也是數(shù)字，通常標出比較大反向峰值耐壓值和比較大反向關斷電壓中數(shù)值較小的那個電壓值。港閘區(qū)半導體器件平臺

第五部分：用字母表示器件分檔。A、B、C、D、┄┄-同一型號器件的不同檔別。如：JAN2N3251A表示PNP硅高頻小功率開關三極管，JAN-軍級、2-三極管、N-EIA 注冊標志、3251-EIA登記順序號、A-2N3251A檔。國際電子聯(lián)合會半導體器件型號命名方法德國、法國、意大利、荷蘭、比利時等歐洲國家以及匈牙利、羅馬尼亞、南斯拉夫、波蘭等東歐國家，大都采用國際電子聯(lián)合會半導體分立器件型號命名方法。這種命名方法由四個基本部分組成，各部分的符號及意義如下：***部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁帶寬度Eg=0.6～1.0eV 如鍺、B-器件使用材料的Eg=1.0～1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化鎵、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如銻化銦、E-器件使用復合材料及光電池使用的材料港閘區(qū)半導體器件平臺

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