可控硅模塊的設(shè)備與維護(hù)
(1)在模塊導(dǎo)熱底板表面與散熱器外表各均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用四個(gè)螺釘把模塊固定于散熱器上,固定螺釘不要一次擰緊,幾個(gè)螺釘要順次固定,用力要均勻,重復(fù)幾回,直至強(qiáng)健,使模塊底板與散熱器外表嚴(yán)密觸摸。
(2)把散熱器和風(fēng)機(jī)按需求安裝好后,筆直固定于機(jī)箱合適方位。
(3)用接線端頭環(huán)帶將銅線扎緊,浸錫,然后套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)加熱縮短。將接線端頭固定于模塊電極上,并堅(jiān)持超卓的平面壓力觸摸,阻止將電纜銅線直接壓接在模塊電極上。
(4)為延伸商品運(yùn)用壽數(shù),主張每隔3-4個(gè)月維護(hù)一次,替換一次導(dǎo)熱硅脂,鏟除外表塵土,緊固各壓線螺釘。 歡迎各界朋友蒞臨參觀。云南小功率可控硅模塊品牌
可控硅模塊特點(diǎn):
1 對耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。
2 對電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時(shí),可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。
3 對通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則IH越小。
5 對電壓上升率的:dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。 青島可控硅模塊廠家淄博正高電氣有限公司以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展!
可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道,它的應(yīng)用范圍是非常廣的,在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。
在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。
可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久,它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優(yōu)勢,使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,下面正高來詳細(xì)的說下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。
可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長足發(fā)展。 不斷開發(fā)新的產(chǎn)品,并建立了完善的服務(wù)體系。
相信大家對于可控硅模塊并不陌生了,現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展,可控硅模塊的使用范圍越來越廣,但是你對可控硅模塊的了解有多少呢,它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎?下面為大家講解。
可控硅模塊的主要參數(shù)有:
(1) 額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。
(2) 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓??煽毓枘K承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。
(3) 反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。 淄博正高電氣有限公司以***,高質(zhì)量的產(chǎn)品,滿足廣大新老用戶的需求。青島可控硅模塊廠家
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滿足可控硅模塊工作的必要條件:
(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。
①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。
②可控硅模塊輸出電流要求:標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>0.5A,標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品:I+12V> 1A。
(2)可控硅模塊控制信號:0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負(fù)極接GND1。
(3)可控硅模塊供電電源和負(fù)載:供電電源一般為電網(wǎng)電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接可控硅模塊的輸入端子;負(fù)載為用電器,接可控硅模塊的輸出端子。 云南小功率可控硅模塊品牌
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