山東MTDC30晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

    當(dāng)C5上的電壓上升到氛管的導(dǎo)通電壓時，雙向晶閘管就會被觸發(fā)導(dǎo)通。另一種是用兩個NPN型三極管反向串聯(lián)（基極開路）代替雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果還不錯。再有一種是用RC電路取代雙向觸發(fā)二極管，調(diào)壓效果要差一些，在對調(diào)壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結(jié)晶體管張弛振蕩器組成的觸發(fā)電路呢？雙向晶閘管的特點(diǎn)是不論給它的控制極加上正的或負(fù)的觸發(fā)脈沖都能使它導(dǎo)通，所以，單結(jié)晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發(fā)電路。這種觸發(fā)電路調(diào)壓效果很好，只是電路比較復(fù)雜。由于單結(jié)晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電，所以應(yīng)用橋式整流電路得到全波脈動直流電壓，再經(jīng)過穩(wěn)壓管VD削波成為梯形波電壓，為張弛振蕩器供電。為什么使用梯形波電壓而不用濾波電容器得到平滑的直流電壓呢？一定要用梯形波電壓，不能使用平滑的直流電壓。這是為了能使觸發(fā)脈沖與交流電源同步。經(jīng)過全波整流、穩(wěn)壓管削波后得到的梯形波電壓與主電路電壓是同步變化的，即二者同時經(jīng)過零值，同時上升，同時下降。這樣，當(dāng)晶閘管上承受的主電壓過零時。正高電氣以精良的產(chǎn)品品質(zhì)和優(yōu)先的售后服務(wù)，全過程滿足客戶的高品質(zhì)需求。山東MTDC30晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

    以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力。可關(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽極比較大可關(guān)斷電流IATM與門極比較大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測關(guān)斷增益βoff的方法。1．判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔，測量任意兩腳間的電阻，僅當(dāng)黑表筆接G極，紅表筆接K極時，電阻呈低阻值。山東MTDC30晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家正高電氣通過專業(yè)的知識和可靠技術(shù)為客戶提供服務(wù)。

 某加熱爐控制柜，需要控制額定電壓為380V，比較大工作電流為150A的加熱爐，應(yīng)使用什么規(guī)格型號的模塊？

《使用說明書》中的選型計算公式：I>K×I負(fù)載×U比較大/U實(shí)際

K：安全系數(shù)，阻性負(fù)載K=1點(diǎn)5，感性負(fù)載K=2

I負(fù)載：負(fù)載流過的比較大電流

U比較大：負(fù)載上的最小電壓

U實(shí)際：模塊能輸出的比較大電壓（三相整流模塊為輸入電壓的1點(diǎn)35倍，單相整流模塊為輸入電壓的0點(diǎn)9倍，其余規(guī)格均為1點(diǎn)0倍）

I：需要選擇模塊的最小電流，模塊標(biāo)稱的電流必須大于該值。

    檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對調(diào)兩表筆后檢測PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無窮大。如果測量結(jié)果與上述不符，說明被測單結(jié)管已損壞。[8]測量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對數(shù)，即以e（）為底的對數(shù)。[10]單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺燈電路。在交流電的每半周內(nèi)，晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導(dǎo)通，調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時間，即改變了VS的導(dǎo)通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實(shí)現(xiàn)了調(diào)光的目的。[11]晶體閘流管簡稱為晶閘管，也叫做可控硅。正高電氣公司地理位置優(yōu)越，擁有完善的服務(wù)體系。

    使設(shè)備進(jìn)入穩(wěn)態(tài)運(yùn)行。若一次起動不成功，即自動調(diào)頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號，此時，它激信號便會一直掃描到比較低頻率，重復(fù)起動電路一旦檢測到它激信號進(jìn)入到比較低頻段，便進(jìn)行一次再起動，把它激信號再推到比較高頻率，重新掃描一次，直至起動成功，重復(fù)起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號，經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號，輸入到IC6的30角，由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號。經(jīng)IC7A隔離放大后，驅(qū)動逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時鐘，輸入到IC6的33腳CLOK2；同時又由IC7B進(jìn)行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動頻率表。W6微調(diào)電位器用于設(shè)定壓控時鐘的比較高頻（即逆變它激信號的比較高頻率），W5微調(diào)電位器用于整定外接頻率表的讀數(shù)。另外，當(dāng)發(fā)生過電壓保護(hù)時，IC6內(nèi)部的過電壓保護(hù)振蕩器起振，輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖，使逆變橋的4只晶閘管均導(dǎo)通。IC4A為起動失敗檢測器，其輸出控制IC6內(nèi)部重復(fù)起動電路。過電流保護(hù)信號經(jīng)Q3倒相后，送到IC6的20P，整流觸發(fā)脈沖：驅(qū)動“”LED批示燈亮和驅(qū)動報警繼電器。過電流觸發(fā)器動作后，只有通過復(fù)位信號或通過關(guān)機(jī)后再開機(jī)進(jìn)行“上電復(fù)位”，方可再次運(yùn)行。正高電氣傾城服務(wù)，確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。山東MTDC30晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

正高電氣設(shè)備的引進(jìn)更加豐富了公司的設(shè)備品種，為用戶提供了更多的選擇空間。山東MTDC30晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

晶閘管智能模塊的保護(hù)

在實(shí)際應(yīng)用中，除合理選擇智能可控硅調(diào)壓模塊的額定電壓及電流外，還必須采取有效的保護(hù)措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。

過熱保護(hù)：晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣，在實(shí)際工作中由于自身功耗，都會引起芯片溫度上升，溫度過高后，會使漏電流增加，芯片特性變軟，直至過熱擊穿，在實(shí)際應(yīng)用中，通常采用強(qiáng)迫風(fēng)冷的方法來及時散除晶閘管工作時產(chǎn)生的熱量，控制散熱器比較高溫度不超過75°，使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 山東MTDC30晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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