廣西反并聯(lián)晶閘管模塊組件

    強(qiáng)型120A增強(qiáng)型150A增強(qiáng)型200A增強(qiáng)型300A增強(qiáng)型400A型號(hào)LSR-H3Z50D3LSR-H3Z50D2LSR-H3Z50A3LSR-H3P50D1H3Z70D3H3Z70D2H3Z70A3H3P70D1H3Z90D3H3Z90D2H3Z90A3H3P90D1H3100ZFH3Z1**3H3Z1**2H3Z120A3H3P1**1H3120ZFH3Z150D3H3Z150D2H3P150D1H3150ZEH3Z200D3H3Z200D2H3P200D1H3200ZEH3Z300D3H3Z300D2H3P300D1H3300ZDH3Z400D3H3Z400D2H3P400D1H3400Z㈤技術(shù)參數(shù)輸入?yún)?shù)輸入電壓范圍D3：3-36Vdc，D2：18-30Vdc，A3：90-430Vac，D1：4-8Vdc輸入電流5mA-15mA反接保護(hù)有LED指示有輸出參數(shù)額定工作電壓4：48~480Vac，3：36-430Vac，2：24-265Vac，1：12-135Vac輸出通態(tài)壓降＜2Vac斷態(tài)峰值截止電壓Vp4：≥1100Vpk，3：≥900Vpk，2：≥600Vpk，1：≥400Vpk浪涌電流（電網(wǎng)一周）800%**小負(fù)載電流100mA輸出漏電流16A及以下＜2mA，16A以上＜12mA靜態(tài)電壓上升率dVs/dt100V/μs（普通型）、200V/μs（增強(qiáng)型）換向電壓上升率dVc/dt10V/μs（普通型）、200V/μs（增強(qiáng)型）開啟比較大響應(yīng)時(shí)間10ms關(guān)斷比較大延時(shí)10ms其它參數(shù)介質(zhì)耐壓（輸入、輸出及外殼間）≥2000Vac絕緣電阻（輸入、輸出及外殼間）＞1000MΩ。正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。廣西反并聯(lián)晶閘管模塊組件

    VDRM）的計(jì)算：由公式：Ud=考慮兩倍的選擇余量后VRRM；VDRM=2xxU2=2x因此選擇耐壓200V-300V的器件足夠。2、器件額定電流IT（AV）的計(jì)算：由于該線路相當(dāng)于兩組三相半波整流電路的串聯(lián),根據(jù)公式：Ie=:Ie=(此值為交流有效值)折算為平均值IT（AV）=Ie/考慮選型需按IT(AV)=()IT=232A()=348A-462A顯然,目前沒有如此大電流的模塊,應(yīng)建議客戶采用400-500A的平板式可控硅為宜。以上兩種線路對(duì)器件耐壓和通流能力的要求是不一樣的。后一種線路對(duì)器件耐壓要求比前一種線路低一倍，但通流能力要求大兩倍。四、使用模塊產(chǎn)品注意事項(xiàng)：l電力半導(dǎo)體模塊屬于溫度敏感性器件，使用時(shí)必須安裝于散熱器上。安裝前首先用酒精將模塊底板和散熱器表面擦拭干凈,待自然干燥后，在模塊底板上均勻涂上（采用滾柱來回滾動(dòng)涂抹）導(dǎo)熱硅脂，導(dǎo)熱硅脂剛好能夠覆蓋整個(gè)底板和散熱器。安裝之后可從散熱器上取下模塊，檢查模塊底板整個(gè)區(qū)域是否完全沾潤(rùn)。l手冊(cè)中額定電流[IT(AV)、IF(AV)]是在規(guī)定散熱器、強(qiáng)通風(fēng)冷(風(fēng)速6m/s)和額定殼溫Tc和純阻性負(fù)載下得出的。若使用條件發(fā)生變化(如感性負(fù)載)額定電流就會(huì)下降。l散熱器與模塊接觸面應(yīng)平整，散熱器的平面度≤（1）,確保良好的熱傳導(dǎo)，電極與銅排連接時(shí)。廣西三相整流調(diào)壓模塊價(jià)格正高電氣經(jīng)營(yíng)理念：前列的設(shè)備、前列的產(chǎn)品、前列的服務(wù)。

    電焊機(jī)選型技巧華晶整流器一、概述：電焊機(jī)在進(jìn)行各種金屬焊接時(shí)，根據(jù)焊接工藝的不同，對(duì)焊接時(shí)電弧的電壓和電流有不同的要求，因此需要各種不同特性的交流或直流電源。例如，在點(diǎn)、凸、峰焊、電阻焊時(shí)需要調(diào)節(jié)焊接隔離變壓器原邊的電壓大?。ㄏ嗫卣{(diào)壓或改變通過的周波數(shù)量），屬于晶閘管應(yīng)用于交流調(diào)壓；在各種氬弧焊、CO2氣體保護(hù)焊中需要的是直流電源或交直流方波電源。交流應(yīng)用時(shí)，反并聯(lián)的晶閘管串接在主回路中，直流調(diào)壓應(yīng)用時(shí)，晶閘管可以組成單、三相全控或半控或雙反星型電路。改變晶閘管的導(dǎo)通角或控制晶閘管的開關(guān)時(shí)間即可達(dá)到調(diào)節(jié)焊接電壓和電流的目的。尤其是近幾年來，CO2氣體保護(hù)焊機(jī)發(fā)展比較迅速，據(jù)報(bào)道，發(fā)達(dá)國(guó)家這種焊機(jī)占到百分之六十或七十的比例，我國(guó)該焊機(jī)所占比例很低，也就百分之二十左右。目前，國(guó)內(nèi)CO2氣體保護(hù)焊機(jī)有可控和不可控兩種，根據(jù)所用器件進(jìn)行區(qū)分。采用整流的即為不可控；采用晶閘管整流的即為可控。全國(guó)以成都、廣州及華東地區(qū)發(fā)展比較快。所選用的器件大部分是螺栓式晶閘管或二極管占有的比例也很大，其次是日本產(chǎn)的焊機(jī)**整流模塊。

    晶閘管模塊(MTC,MTA,MTK,MTX)一、產(chǎn)品特點(diǎn)：1、芯片與底板電氣絕緣，2500V交流電壓；2、國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝；3、真空+充氫保護(hù)焊接技術(shù)；4、壓接結(jié)構(gòu)，優(yōu)良的溫度特性和功率循環(huán)能力；5、輸入-輸出端之間隔離耐壓≥2500VAC；6、200A以下模塊皆為強(qiáng)迫風(fēng)冷，300A以上模塊，既可選用風(fēng)冷，也可選用水冷；7、安裝簡(jiǎn)單，使用維修方便，體積小，重量輕。二、型號(hào)說明：三、技術(shù)參數(shù)：型號(hào)通態(tài)平均電流反向斷態(tài)重復(fù)峰值電壓通態(tài)峰值電壓通態(tài)峰值電流正反向重復(fù)峰值電流觸發(fā)電流觸發(fā)電壓維持電流斷態(tài)電壓臨界上升率通態(tài)電流臨界上升率比較高額定結(jié)溫絕緣電壓重量It(AV)VdrmVrrmVtmItmIdrmIrrmIgtIhdv/dtdi/dtTjmVisoWeightTypeAVVAmAmAVmAV/μsA/μs℃V(AC)gMTx25A25400-500120MTx40A41252500MTx55A55400-2500四、外形尺寸及電路聯(lián)結(jié)形式：五、產(chǎn)品應(yīng)用：1、交直流電機(jī)控制；2、各種整流電源；3、工業(yè)加熱控制；4、調(diào)光；5、無觸點(diǎn)開關(guān)；6、電機(jī)軟起動(dòng)；7、靜止無功補(bǔ)嘗；8、電焊機(jī)；9、變頻器；10、UPS電源；11、電池充放電。說明：，Lgt,Vgt,Ih,Vtm,Viso均為25下的調(diào)試值，表中其它參數(shù)皆jm下的測(cè)試值;，在50HZ頻率下，I2t(10ms)=(A2S);d.當(dāng)使用在電流為60HZ情況下，Itsm()=(10ms),I2t()=。正高電氣公司地理位置優(yōu)越，擁有完善的服務(wù)體系。

    以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使GTO可靠地導(dǎo)通。（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff，必須有**測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果*供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路如圖1(a)、(b)所示。其伏安特性見圖2。由圖顯見，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性，正向特性與普通晶閘管SCR相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標(biāo)位置不同）。逆導(dǎo)晶閘管的典型產(chǎn)品有美國(guó)無線電公司（RCA）生產(chǎn)的S3900MF，其外形見圖1(c)。它采用TO-220封裝，三個(gè)引出端分別是門極G、陽極A、陰極K。S3900MF的主要參數(shù)如下：斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM：>?！百|(zhì)量?jī)?yōu)先，用戶至上，以質(zhì)量求發(fā)展，與用戶共創(chuàng)雙贏”是正高電氣新的經(jīng)營(yíng)觀。北京快恢復(fù)晶閘管模塊哪家好

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    3）換相沖擊電壓包括換相過電壓和換相振蕩過電壓。換相過電壓是由于晶閘管的電流降為0時(shí)器件內(nèi)部各結(jié)層殘存載流子復(fù)合所產(chǎn)生的，所以又叫載流子積蓄效應(yīng)引起的過電壓。換相過電壓之后，出現(xiàn)換相振蕩過電壓，它是由于電感、電容形成共振產(chǎn)生的振蕩電壓，其值和換相結(jié)束后的反向電壓有關(guān)。反向電壓越高，換相振蕩過電壓也越大。針對(duì)形成過電壓的不同原因，可以采取不同的方法，如減少過電壓源，并使過電壓幅值衰減；過電壓能量上升的速率，延緩已產(chǎn)生能量的消散速度，增加其消散的途徑；采用電子線路進(jìn)行保護(hù)等。**常用的是在回路中接入吸收能量的元件，使能量得以消散，常稱之為吸收回路或緩沖電路。（4）阻容吸收回路通常過電壓均具有較高的頻率，因此常用電容作為吸收元件，為防止振蕩，常加阻尼電阻，構(gòu)成阻容吸收回路。阻容吸收回路可接在電路的交流側(cè)、直流側(cè)，或并接在晶閘管的陽極和陰極之間。吸收電路比較好選用無感電容，接線應(yīng)盡量短。。5）由硒堆及壓敏電阻等非線性元件組成吸收回路上述阻容吸收回路的時(shí)間常數(shù)RC是固定的，有時(shí)對(duì)時(shí)間短、峰值高、能量大的過電壓來不及放電，過電壓的效果較差。因此，一般在變流裝置的進(jìn)出線端還并有硒堆或壓敏電阻等非線性元件。廣西反并聯(lián)晶閘管模塊組件

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