威海MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

    晶閘管軟起動的起動方式1、全壓起動在這種狀態(tài)下（圖1），軟起動裝置相當一個固態(tài)接觸器，電機和直接起動一樣，承受全部的電流沖擊和轉(zhuǎn)矩沖擊，一般情況下晶閘管全開時間控制在：圖1全壓起動2、電壓斜坡起動該模式是比較長用的起動模式。它通過減少起動力矩的沖擊，實現(xiàn)對電機平滑、連續(xù)無級加速的起動，從而使齒輪、連軸結(jié)和皮帶的摩擦減小到比較低。用戶可以調(diào)節(jié)電機的初始轉(zhuǎn)矩，在加速斜坡時間內(nèi)，電機的輸入電壓從設(shè)置的初始轉(zhuǎn)矩對應(yīng)的電壓線性上升，把傳統(tǒng)的降壓起動變有級為無級，從而可以使電機平滑的起動，減少了機械方面的沖擊。圖2電壓斜坡起動3、限流起動限流起動，顧名思義，就是在電動機起動過程中把起動電流限制到某一設(shè)定電流值以下。主要用在相對較輕負載起動，并且對電網(wǎng)沖擊有一定要求的工況下，其輸入電壓從零開始迅速增長，直到其電流達到預(yù)先設(shè)定的電流限值，然后在保證輸出電流不大于電流限值的情況下，改變晶閘管的導通角，逐漸升高電壓，直到額定電壓。與此同時，電動機的轉(zhuǎn)速也在逐漸上升，到達額定轉(zhuǎn)速。這種起動的優(yōu)點是起動電流較小，可以把電動機起動對電網(wǎng)的沖擊降到最小，并可按照需要進行設(shè)定限流值。正高電氣嚴格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個環(huán)節(jié)，保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問題。威海MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

晶閘管智能控制模塊均采用本公司獨立開發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化，使模塊具備了弱電控制強電的電力調(diào)控功能。 晶閘管智能模塊采用進口方形芯片、高級芯片支撐板，模塊壓降小、功耗低，效率高,節(jié)電效果好。晶閘管智能模塊采用進口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性。 晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板，經(jīng)獨特處理方法和特殊焊接工藝，保證焊接層無空洞，導熱性能好。熱循環(huán)負載次數(shù)高于國家標準近10倍。 5 (5)晶閘管智能模塊采用高級導熱絕緣封裝材料，絕緣、防潮性能優(yōu)良。 晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導熱底板相互隔離，導熱底板不帶電．絕緣強度≥2500V (RMS)，保證人身安全。晶閘管智能調(diào)壓器又稱之為可控硅整流元件，它是由三個P內(nèi)結(jié)構(gòu)組合而成的一種大功率半導體器件。從性能上來說，晶閘管智能調(diào)壓器具有單向?qū)щ娦院涂煽匦詢煞N優(yōu)勢，但它只有導通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。威海MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家正高電氣產(chǎn)品適用范圍廣，產(chǎn)品規(guī)格齊全，歡迎咨詢。

傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發(fā)板的方式來完成對變壓器初級或次級的調(diào)壓；加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣，粉塵飛揚，溫度變化較大，濕度較高，長時間工作后會出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常，造成晶閘管擊穿，導致設(shè)備停產(chǎn)，產(chǎn)品報廢等，給生產(chǎn)造成嚴重損失。并且普通電工無法完成維修工作，必須專業(yè)人員進行操作。為了避免出現(xiàn)上述問題，比較好采用密封性好，工作環(huán)境適應(yīng)能力強，安裝維修方便的晶閘管智能模塊來替代傳統(tǒng)的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)（即觸發(fā)板）集成共同封裝在一個塑料外殼內(nèi)，從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線，減小了接線錯誤的幾率，維護方便，普通電工即可完成操作，省去人員成本。把觸發(fā)板封裝到模塊內(nèi)，環(huán)境中的粉塵、濕氣等都不會對其產(chǎn)生影響，增加了可靠性。

    光敏電阻光控燈電路圖（一）：光控燈照明電路220V交流電壓經(jīng)電容C1降壓，整流橋堆UR進行全波整流，電容C2濾波，穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓后變成直流電壓。光敏電阻RG白天電阻很小，向電容C3充電的脈沖信號很小，無法觸發(fā)晶閘管導通，燈泡EL回路不通，燈泡EL不亮：夜幕降臨時，光敏電阻的暗阻很大，向電容C3充電脈沖信號很大，可以觸發(fā)晶閘管的門極，使晶閘管導通，這時繼電器線圈得電，串在燈泡EL回路的繼電器常開觸點接通，則燈泡EL點亮。調(diào)節(jié)電位器RP可以調(diào)節(jié)給門極的觸發(fā)信號的大小，就調(diào)節(jié)了晶閘管的導通角，從而控制了燈泡的亮度。光敏電阻光控燈電路圖（二）：光敏電阻延時節(jié)電開關(guān)電路圖延時節(jié)電開關(guān)是一種樓道照明燈或其它用電設(shè)備的自動延時開關(guān)裝置。它采用電子器件、脈沖技術(shù)及無觸點開關(guān)技術(shù)。如樓道每個單元只裝一臺，用三根導線連接樓道各層位的按扭開關(guān)和照明燈，當行人夜間上下樓時，只需就近按下按扭開關(guān)，各層照明燈都點亮，經(jīng)數(shù)秒或數(shù)分鐘后，各層照明燈自動熄滅，并且本裝置也自動停電，平時不耗電能。在白天光線射到光敏電阻RG之上時，其阻值變得很小，使VT2截止，VT3也截止，C4正極電位為零（或很低），無觸發(fā)電壓加到晶閘管VTH的門極上，晶閘管不導通。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。

    電壓很容易對晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過電壓保護，保護晶閘管模塊，不讓其受過電壓損壞。要保護晶閘管，就要知道過電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細情況：晶閘管模塊對過電壓很敏感，當正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通，引發(fā)電路故障；當外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時，晶閘管模塊就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管模塊是很危險的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓例如，交流開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉速度越快過電壓越高。正高電氣累積點滴改進，邁向優(yōu)良品質(zhì)！威海MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實際晶閘管(可控硅)電路中，常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道，晶閘管(可控硅)有一個重要特性參數(shù)－斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門極斷路條件下，使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過大，超過了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值，則會在無門極信號的情況下開通。即使此時加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽極峰值電壓，也可能發(fā)生這種情況。因為晶閘管(可控硅)可以看作是由三個PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下，因各層相距很近，其J2結(jié)結(jié)面相當于一個電容C0。當晶閘管(可控硅)陽極電壓變化時，便會有充電電流流過電容C0，并通過J3結(jié)，這個電流起了門極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時，陽極電壓上升速度太快，則C0的充電電流越大，就有可能造成門極在沒有觸發(fā)信號的情況下，晶閘管(可控硅)誤導通現(xiàn)象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管(可控硅)上的陽極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管(可控硅)安全運行，常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。威海MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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