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一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以國際上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管開始應(yīng)用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。
在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?,而且還具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。
可控硅能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,如果超過此頻率,因元件開關(guān)損耗明顯增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。
可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點(diǎn)運(yùn)行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱點(diǎn):靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通。
可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。 淄博正高電氣有限公司擁有先進(jìn)的產(chǎn)品生產(chǎn)設(shè)備,雄厚的技術(shù)力量。湖南大功率可控硅模塊品牌
雙向可控硅晶閘管使用中,應(yīng)特別注意以下事項(xiàng):
1.靈敏度
雙向可控硅是一個三端元件,但我們不再稱其兩極為陰陽極,而是稱作T1和T2極,G為控制極,其控制極上所加電壓無論為正向觸發(fā)脈沖或負(fù)向觸發(fā)脈沖均可使控制極導(dǎo)通,但是觸發(fā)靈敏度互不相同,即保證雙向可控硅能進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)的較小門極電流IGT是有區(qū)別的。
2.可控硅過載的保護(hù)
可控硅元件優(yōu)點(diǎn)很多,但是它過載能力差,短時間的過流,過壓都會造成元件損壞,因此為保證元件正常工作,需有條件:
(1)外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)折電壓,否則控制極將不起作用;
(2)可控硅的通態(tài)平均電流從安全角度考慮一般按較大電流的1.5~2倍來??;
(3)為保證控制極可靠觸發(fā),加到控制極的觸發(fā)電流一般取大于其額值,除此以外,還必須采取保護(hù)措施,一般對過流的保護(hù)措施是在電路中串入快速熔斷器,其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右,其接入的位置可在交流側(cè)或直流側(cè),當(dāng)在交流側(cè)時額定電流取大些,一般多采用前者,過電壓保護(hù)常發(fā)生在存在電感的電路上,或交流側(cè)出現(xiàn)干擾的浪涌電壓或交流側(cè)的暫態(tài)過程產(chǎn)生的過壓。由于,過電壓的尖峰高,作用時間短,常采用電阻和電容吸收電路加以。
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斷一個可控硅元件是否完好,工程師需要從四個方面進(jìn)行檢查,首先是判斷該元件的三個PN結(jié)應(yīng)完好,其次是當(dāng)陰極與陽極間電壓反向連接時能夠阻斷不導(dǎo)通,第三是當(dāng)控制極開路時,陽極與陰極間的電壓正向連接時也不導(dǎo)通,第四是給控制極加上正向電流,給陰極與陽極加正向電壓時,可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個條件的可控硅元件,才是符合設(shè)計使用要求的。
想要看一個可控硅元件是否符合以上要求,其實(shí)非常簡單,只需要用萬用表的歐姆擋測量可控硅的極間電阻,就可對**個方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是:用R×1k或R×10k擋測陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,此可控硅不能使用了。
可控硅模塊又叫晶閘管,自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。現(xiàn)在大家使用的是單向晶閘管,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個PN結(jié),對外有三個電極:首層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。淄博正高電氣有限公司憑借多年的經(jīng)驗(yàn),依托雄厚的科研實(shí)力。
可控硅模塊主要優(yōu)點(diǎn)如下:
(1)采用進(jìn)口方形可控硅支撐板,降低了可控硅模塊的電壓,功耗低,效率高,節(jié)能效果好。
(2)采用進(jìn)口插入元件,保證晶閘管模塊觸發(fā)控制電路的可靠性。
(3)(DCB)陶瓷銅板采用獨(dú)特的處理和特殊的焊接工藝,保證了晶閘管組件的焊接層無空腔,導(dǎo)熱性好。
(4)導(dǎo)熱絕緣包裝材料具有優(yōu)異的隔熱防潮性能。
(5)觸發(fā)控制電路、主電路和導(dǎo)熱基板相互隔離,導(dǎo)熱基板不帶電,介電強(qiáng)度≥2500V,保證安全。
(6)通過輸入0-10V直流控制信號,可以平滑地調(diào)節(jié)主電路的輸出電壓。
(7)可采用手動控制、儀表控制或微機(jī)控制。
(8)適用于電阻和電感負(fù)載。 我們愿與您共同努力,共擔(dān)風(fēng)雨,合作共贏。江西小功率可控硅模塊品牌
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接下來需要檢測的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測陽極與控制極之間的電阻,正反向測量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o窮大,表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時萬用表指針應(yīng)不動。紅表筆接陰極不動,黑表筆在不脫開陽極的同時用表筆尖去瞬間短接控制極,此時萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時,萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),說明該單向可控硅已擊穿損壞。 湖南大功率可控硅模塊品牌
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