可控硅模塊采用陶瓷覆銅工藝,電流承載能力大,熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)是國(guó)標(biāo)的進(jìn)10倍,焊接工藝獨(dú)特,絕緣強(qiáng)度高,導(dǎo)熱性能好??煽毓枘K的工作場(chǎng)所應(yīng)干燥、無(wú)腐蝕性氣體、通風(fēng)、無(wú)塵,環(huán)境溫度范圍-25℃--45℃,下面為大家介紹可控硅模塊的安裝步驟: 1、散熱器和風(fēng)機(jī)按通風(fēng)要求裝配于機(jī)箱合適位置。散熱器表面必須平整光潔。在模塊導(dǎo)熱底板與散熱器表面均勻涂覆一層導(dǎo)熱硅脂,然后用螺釘把模塊固定于散熱器上,四個(gè)螺釘用力要均等。
2、用接線(xiàn)端頭環(huán)帶將銅線(xiàn)扎緊,浸錫,套上絕緣熱縮管,用熱風(fēng)或熱水加熱收縮,導(dǎo)線(xiàn)截面積按電流密度<4A/mm2選取,禁止將銅線(xiàn)直接壓接在可控硅模塊電極上。
3、 將接線(xiàn)端頭平放于可控硅模塊電極上用螺釘緊固,保持良好的平面壓力接觸。
4、可控硅模塊的電極易掀起折斷,接線(xiàn)時(shí)應(yīng)防止重力將電極拉起折斷。 淄博正高電氣有限公司以質(zhì)量求生存,以信譽(yù)求發(fā)展!菏澤可控硅模塊報(bào)價(jià)
可控硅模塊散熱條件的好壞直接關(guān)系到商品的運(yùn)用壽數(shù)和短時(shí)過(guò)載才華,溫度越低模塊的輸出電流越大,所以在運(yùn)用中有必要裝備散熱器和風(fēng)機(jī),主張選用帶有過(guò)熱維護(hù)功用的商品,有水冷散熱條件的優(yōu)先挑選水冷散熱。咱們經(jīng)過(guò)嚴(yán)肅測(cè)算,斷定了不一樣類(lèi)型的商品所大概裝備的散熱器類(lèi)型,推薦選用廠家配套的散熱器和風(fēng)機(jī),用戶(hù)自備時(shí)按以下準(zhǔn)則挑選:
1、軸流風(fēng)機(jī)的風(fēng)速應(yīng)大于6m/s ;
2、有必要能確保模塊正常作業(yè)時(shí)散熱底板溫度不大于80℃;
3、模塊負(fù)載較輕時(shí),可減小散熱器的大小或選用天然冷卻;
4、選用天然辦法冷卻時(shí)散熱器周?chē)目諝饽芙Y(jié)束對(duì)流并恰當(dāng)增大散熱器面積;
5、悉數(shù)緊固模塊的螺釘有必要擰緊,壓線(xiàn)端子聯(lián)接強(qiáng)健,以削減次生熱量的發(fā)生,模塊底板和散熱器之間有必要要涂敷一層導(dǎo)熱硅脂或墊上一片底板大小的導(dǎo)熱墊,以抵達(dá)良好散熱作用。 煙臺(tái)大功率可控硅模塊淄博正高電氣有限公司真誠(chéng)希望與您攜手、共創(chuàng)輝煌。
任何的東西都有其使用的壽命,可控硅也不例外,可控硅模塊使用時(shí)間長(zhǎng)了,它的溫度就會(huì)升高,如果溫度過(guò)高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要大家來(lái)看看可控硅模塊的升溫方法:
1 可控硅模塊環(huán)境溫度的測(cè)定:在距被測(cè)可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計(jì),溫度計(jì)測(cè)點(diǎn)距地面的高度與減速機(jī)軸心線(xiàn)等高,溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來(lái)輻射熱與氣流的影響,環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。
2 可控硅模塊溫升按下式計(jì)算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。
3 可控硅模塊工作溫度的測(cè)定:被測(cè)可控硅模塊溫升的測(cè)定,通常與減速機(jī)的承載能力及傳動(dòng)效率測(cè)定同時(shí)進(jìn)行,也可單獨(dú)進(jìn)行,被測(cè)減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí),讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度
可控硅模塊的作用和優(yōu)勢(shì)大家都知道,它的應(yīng)用范圍是非常廣的,在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來(lái)講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。
在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來(lái)得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。 淄博正高電氣有限公司不斷提高產(chǎn)品的質(zhì)量。
雙向可控硅的檢測(cè)
用萬(wàn)用表電阻R×1檔,用紅黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳正反向電阻,結(jié)果其中兩組讀數(shù)為無(wú)窮大。若一組為數(shù)十歐姆時(shí),該組紅黑表筆所接的兩引腳為陽(yáng)極A1和控制極G,另一空腳即為第二陽(yáng)極A2。確定A、G極后,再仔細(xì)測(cè)量A1、G極間正反向電阻,讀數(shù)相對(duì)較小的那次測(cè)量的黑表筆所接的引腳為陽(yáng)極A1,紅表筆所接引腳為控制極G。將黑表筆接已確定了的第二陽(yáng)極A2,紅表筆接陽(yáng)極A1,此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無(wú)窮大。再用短接線(xiàn)將A2、G極瞬間短接,給G極加上正向觸發(fā)電壓,A2、A1間阻值約為10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G極短接線(xiàn),萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)保持10歐姆左右?;Q紅黑表筆接線(xiàn),紅表筆接第二陽(yáng)極A2,黑表筆接陽(yáng)極A1。同樣萬(wàn)用表指針應(yīng)不發(fā)生偏轉(zhuǎn),阻值為無(wú)窮大。用短接線(xiàn)將A2、G極間再次瞬間短接,給G極加上負(fù)向的觸發(fā)電壓,A1、A2間阻值也是10歐姆左右。隨后斷開(kāi)A2、G極間短接線(xiàn),萬(wàn)用表讀數(shù)應(yīng)不變,保持10歐姆左右。符合以上規(guī)律,說(shuō)明被測(cè)雙向可控硅管未損壞且三個(gè)引腳極性判斷正確。
檢測(cè)較大功率可控硅管是地,需要在萬(wàn)用表黑筆中串接一節(jié)1.5V干電池,以提高觸發(fā)電壓。 淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠(chéng)合作一同開(kāi)拓。菏澤可控硅模塊報(bào)價(jià)
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可控硅模塊的分類(lèi):
1、以關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式來(lái)分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。
2、以引腳和極性來(lái)分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。
3、以封裝形式來(lái)分類(lèi):可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。其中,金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種;塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。
4、以電流容量來(lái)分類(lèi):可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、**率可控硅和小功率可控硅三種。通常,大功率可控硅多采用金屬殼封裝,而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。
5、以關(guān)斷速度來(lái)分類(lèi):可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。
6、過(guò)零觸發(fā),一般是調(diào)功,即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā),導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹
7、非過(guò)零觸發(fā),無(wú)論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅,常見(jiàn)的是移相觸發(fā)。
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