以具有自關斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),只是工作頻紡比GTR低。目前,GTO已達到3000A、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已用于斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域,顯示出強大的生命力??申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結構及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài),而GTO在導通后只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益,βoff,它等于陽極比較大可關斷電流IATM與門極比較大負向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數頗有相似之處。下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關斷能力、估測關斷增益βoff的方法。1.判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,測量任意兩腳間的電阻,*當黑表筆接G極,紅表筆接K極時,電阻呈低阻值。正高電氣重信譽、守合同,嚴把產品質量關,熱誠歡迎廣大用戶前來咨詢考察,洽談業(yè)務!山東MTAC260晶閘管智能模塊生產廠家
現在想要設計一個硬件電路,用單片機控制晶閘管來控制白熾燈燈光的亮度(220V的)。想問一下,晶閘管怎么連接在電路中?怎么和零線火線連接?單片機怎么和晶閘管連接?晶閘管上有還有...現在想要設計一個硬件電路,用單片機控制晶閘管來控制白熾燈燈光的亮度(220V的)。晶閘管怎么連接在電路中?怎么和零線火線連接?單片機怎么和晶閘管連接?晶閘管上有還有4個接頭,,現代科技理論與生產實踐相結合的基礎上,依托科研單位的多年技術積累、深厚的技術底蘊,是專業(yè)從事智能電網、無功補償、電能質量產品研發(fā)、生產、銷售和服務為一體的高科技企業(yè);是智能電網、無功補償、電能質量整體解決方案前列供應商;目前所提供的產品均取得相C、CQC證書和型式試驗報告。公司產品涵蓋有:智能抗諧波自動補償控制器、電力諧波器、濾波串聯(lián)電抗器、動態(tài)調節(jié)器、晶閘管可控硅電容投切開關、智能復合開關、動態(tài)補償控制器、配變監(jiān)測計量終端、電能儀表、智能電容器、濾波電容補償模組等一系列產品。濱州MTAC40晶閘管智能模塊報價正高電氣的行業(yè)影響力逐年提升。
晶閘管模塊的應用方法
1、模塊的控制功能端口定義
+12V: 外接 +12V直流電源正極。
GND: 直流電源地線。
GND1: 控制信號地線,與GND 相通。
CON10V: 0~10V 控制信號輸入。
TESTE: 檢測電源,可外接 4.7K~20K電位器,取出0~10V 信號。
CON20mA:4~20mA控制信號輸入。
2、模塊的控制端口與控制線
模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式,分別對應于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號的產品只用**腳端口,其余為空腳,采用電流信號的9腳為信號輸入,控制線的屏蔽層銅線應焊接到直流電源地線上,連接時注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊。
限流作用的強弱調節(jié)使靜止的。無接觸的。非機械式的,這就為微電子技術打開了大門。所以,在工作原理上磁控軟起動和晶閘管軟起動是完全相同的。說磁飽和軟起動能實現軟停止,能夠具有晶閘管軟起動所具有的幾乎全部功能,其原因概出于此。高壓磁飽和電抗器在原理和結構上與低壓(380V)磁飽和電抗器沒有本質的區(qū)別,只是在某些方面需要采取一些特殊的處理罷了。磁飽和電抗器具有,這使磁控軟起動的快速性比晶閘管慢一個數量級。對于電動機系統(tǒng)的大慣性來說,磁控軟起動的慣性是不足為慮的。有人說磁控軟起動不產生高次諧波,這是錯誤的。只要飽和。就一定會有非線性,就一定會引起高次諧波,只是磁飽和電抗器產生的高次諧波會比工作于斬波狀態(tài)的晶閘管要小一些。磁控軟起動裝置需要有相對較大功率的輔助電源,噪聲較大則是其不足之處。三、晶閘管軟起動晶閘管軟起動產品的問世是當今電力電子器件長足進步的結果。在很多年以前電氣工程界就有人指出,晶閘管軟起動將引發(fā)軟起動行業(yè)的一場**。晶閘管軟啟動器主要性能優(yōu)于液阻軟起動。與液阻軟起動相比,它體積小,結構緊湊,維護量小,功能齊全,菜單豐富,起動重復性好,保護周全,這些都是液阻軟起動難以望其項背的。正高電氣生產的產品受到用戶的一致稱贊。
晶閘管智能模塊的保護
在實際應用中,除合理選擇智能可控硅調壓模塊的額定電壓及電流外,還必須采取有效的保護措施來保證晶閘管智能模塊能可靠工作。
過熱保護:晶閘管智能模塊與其他功率器件一樣,在實際工作中由于自身功耗,都會引起芯片溫度上升,溫度過高后,會使漏電流增加,芯片特性變軟,直至過熱擊穿,在實際應用中,通常采用強迫風冷的方法來及時散除晶閘管工作時產生的熱量,控制散熱器比較高溫度不超過75°,使晶閘管智能模塊在安全溫度下工作。 正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。山東MTAC260晶閘管智能模塊生產廠家
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電壓很容易對晶閘管模塊造成損壞,那么,我們就要了解過電壓保護,保護晶閘管模塊,不讓其受過電壓損壞。要保護晶閘管,就要知道過電壓是怎么產生的?從而去避免。以下是為大家列舉的詳細情況:晶閘管模塊對過電壓很敏感,當正向電壓超過其斷態(tài)重復峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導通,引發(fā)電路故障;當外加反向電壓超過其反向重復峰值電壓URRM一定值時,晶閘管模塊就會立即損壞。因此,必須研究過電壓的產生原因及過電壓的方法。過電壓產生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化,使得系統(tǒng)來不及轉換,或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,對晶閘管模塊是很危險的。由開關的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類:(1)交流電源接通、斷開產生的過電壓例如,交流開關的開閉、交流側熔斷器的熔斷等引起的過電壓,這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數值為正常值的2至10多倍。一般地,開閉速度越快過電壓越高。山東MTAC260晶閘管智能模塊生產廠家
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