光電探測器的光電轉(zhuǎn)換特性必須和入射輻射能量相匹配。其中首先要注意器件的感光面要和照射光匹配好，因光源必須照到器件的有效位置，如光照位置發(fā)生變化，則光電靈敏度將發(fā)生變化。如光敏電阻是一個可變電阻，有光照的部分電阻就降低，必須使光線照在兩電極間的全部電阻體上，以便有效地利用全部感光面。光電二極管、光電三極管的感光面只是結(jié)附近的一個極小的面積，故一般把透鏡作為光的入射窗，要把透鏡的焦點與感光的靈敏點對準。一定要使入射通量的變化中心處于檢測器件光電特性的線性范圍內(nèi)，以確保獲得良好的線性輸出。對微弱的光信號，器件必須有合適的靈敏度，以確保一定的信噪比和輸出足夠強的電信號；光電探測器是光接收器的主要器件之一，用來將光功率轉(zhuǎn)換為電流。深圳50GHZ PIN光電探測器均價
1873年，英國W.史密斯發(fā)現(xiàn)硒的光電導效應，但是這種效應長期處于探索研究階段，未獲實際應用。第二次世界大戰(zhàn)以后，隨著半導體的發(fā)展，各種新的光電導材料不斷出現(xiàn)。在可見光波段方面，到50年代中期，性能良好的硫化鎘、硒化鎘光敏電阻和紅外波段的硫化鉛光電探測器都已投入使用。60年代初，中遠紅外波段靈敏的Ge、Si摻雜光電導探測器研制成功，典型的例子是工作在3～5微米和8～14微米波段的Ge:Au（鍺摻金）和Ge:Hg光電導探測器。60年代末以后,HgCdTe、PbSnTe等可變禁帶寬度的三元系材料的研究取得進展。工作原理和特性光電導效應是內(nèi)光電效應的一種。當照射的光子能量hv等于或大于半導體的禁帶寬度Eg時，光子能夠?qū)r帶中的電子激發(fā)到導帶，從而產(chǎn)生導電的電子、空穴對,這就是本征光電導效應。這里h是普朗克常數(shù)，v是光子頻率,Eg是材料的禁帶寬度（單位為電子伏）。因此，本征光電導體的響應長波限λc為λc=hc/Eg=1.24/Eg(μm)式中c為光速。本征光電導材料的長波限受禁帶寬度的限制。深圳50GHZ PIN光電探測器均價光電導效應是指在光線作用下，電子吸收光子能量從鍵合狀態(tài)過度到自由狀態(tài)，而引起材料電導率的變化的象。
PIN光電二極管優(yōu)點在于響應度高響應速度快，頻帶也較寬工作電壓低，偏置電路簡單在反偏壓下可承受較高的反向電壓，而缺點在于I層電阻很大管子的輸出電流小，一般多為零點幾微安至數(shù)微安。APD雪崩二極管具有功率大、效率高等優(yōu)點，它是固體微波源，特別是毫米波發(fā)射源的主要功率器件，較廣地使用于雷達、通信、遙控、遙測、儀器儀表中，其主要缺點是噪聲較大。PN結(jié)型光電二極管與其他類型的光探測器一樣，在諸如光敏電阻、感光耦合元件（Charge-coupledDevice,CCD）以及光電倍增管等設(shè)備中有著廣泛應用。它們能夠根據(jù)所受光的照度來輸出相應的模擬電信號（例如測量儀器）或者在數(shù)字電路的不同狀態(tài)間切換（例如控制開關(guān)、數(shù)字信號處理）。光電二極管在消費電子產(chǎn)品，例如CD播放器、煙霧探測器以及控制電視機、空調(diào)的紅外線遙控設(shè)備中也有應用。
兩束滿足相干條件的信號稱為相干信號，相干條件（CoherentCondition）：這兩束信號在相遇區(qū)域：①振動方向相同；②振動頻率相同；③相位相同或相位差保持恒定那么在兩束信號相遇的區(qū)域內(nèi)就會產(chǎn)生干涉現(xiàn)象。能發(fā)出相互干涉的信號的兩個信號源就叫相干信號源。在相干信號源情況下正確估計信號方向(即解相干或去相關(guān))的關(guān)鍵問題是如何通過一系列處理或變換使得信號協(xié)方差矩陣的秩得到有效恢復，從而正確估計信號源的方向。目前關(guān)于解相干的處理基本有兩大類：一類是降維處理;另一類是非降維處理。熱探測器基于材料吸收了光輻射能量后溫度升高，從而改變了它的電學性能。
光電探測器的基本工作機理包括三個過程：(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號。當探測器表面有光照射時，如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv，則價帶電子可以躍遷到導帶形成光電流。當光在半導體中傳輸時，光波的能量隨著傳播會逐漸衰減，其原因是光子在半導體中產(chǎn)生了吸收。半導體對光子的吸收主要的吸收為本征吸收，本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過測試半導體的本征吸收光譜除了可以得到半導體的禁帶寬度等信息外，還可以用來分辨直接帶隙半導體和間接帶隙半導體。本征吸收導致材料的吸收系數(shù)通常比較高，由于半導體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出，當本征吸收開始時，半導體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對于硅材料，由于其是間接帶隙材料，與三五族材料相比躍遷幾率較低，因而只有非常小的吸收系數(shù)，同時導致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。PIN缺點在于I層電阻很大管子的輸出電流小，一般多為零點幾微安至數(shù)微安。飛博光電低失真光電探測器價格比較
APD雪崩二極管其主要缺點是噪聲較大。深圳50GHZ PIN光電探測器均價
雪崩效應只是APD的工作原理，和工作模式不是一個東西。APD工作模式分蓋革模式和線型模式，區(qū)別在于線型模式偏置電壓低于反向擊穿電壓，蓋格模式偏置電壓高于擊穿電壓。線性模式下APD就是一個增益高的普通光電二極管。蓋格模式下APD接受到光子后就會進入并一直處于反向擊穿狀態(tài)，APD一直通過一個很大的反向電流。這時，通過外部電路使偏置電壓暫時下降至擊穿電壓之下，APD從反向擊穿模式恢復，等待下一個光子，所以蓋格模式通常只適用與單光子計數(shù)應用。深圳50GHZ PIN光電探測器均價
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