遂寧微納加工平臺

      光刻是微納加工技術中關鍵的工藝步驟，光刻的工藝水平決定產品的制程水平和性能水平。光刻的原理是在基底表面覆蓋一層具有高度光敏感性光刻膠，再用光線（一般是紫外光、深紫外光、極紫外光）透過光刻板照射在基底表面，被光線照射到的光刻膠會發(fā)生反應。此后用顯影液洗去被照射/未被照射的光刻膠， 就實現(xiàn)了圖形從光刻板到基底的轉移。光刻膠分為正性光刻和負性光刻兩種基本工藝，區(qū)別在于兩者使用的光刻膠的類型不同。負性光刻使用的光刻膠在曝光后會因為交聯(lián)而變得不可溶解，并會固化，不會被溶劑洗掉，從而該部分硅片不會在后續(xù)流程中被腐蝕掉，負性光刻光刻膠上的圖形與掩模版上圖形相反。通過光刻技術制作出的微納結構需進一步通過刻蝕或者鍍膜，才可獲得所需的結構或元件！遂寧微納加工平臺

     微納加工技術起源于微電子工業(yè)，即使使用玻璃，塑料和許多其他基材，該設備通常還是在硅晶片上制造的。微加工、半導體加工、微電子制造、半導體制造、MEMS制造和集成電路技術是代替微加工的術語，但微加工是廣義的術語。傳統(tǒng)的加工技術（例如放電加工，火花腐蝕加工和激光鉆孔）已從室米尺寸范圍擴展到微米范圍，但博研小編認為它們并沒有共享微電子起源的微納加工的主要思想：復制和并行制造數(shù)百個或多個數(shù)百萬個相同的結構。這種平行性存在于各種印記，鑄造和模塑技術中，這些技術已成功應用于微區(qū)域。例如，DVD的注射成型涉及在光盤上制造亞微米尺寸的斑點。淮南激光微納加工微機電系統(tǒng)、微光電系統(tǒng)、生物微機電系統(tǒng)等是微納米技術的重要應用領域。

在過去的幾年中，全球各地的研究機構和一些大學已開始集中研究微觀和納米尺度現(xiàn)象、器件和系統(tǒng)。雖然這一領域的研究產生了微納制造方面的先進知識，但比較顯然，這些知識的產業(yè)應用將是增強這些技術未來增長的關鍵。雖然在這些領域的大規(guī)模生產方面已經取得了進步，但微納制造技術的主要生產環(huán)境仍然是停留在實驗室中，在企業(yè)的大規(guī)模生產環(huán)境中難得一見。這就導致企業(yè)在是否采用這些技術方面猶豫不決，擔心它們可能引入未知因素，影響制造鏈的性能與質量。就這一點而言，投資于基礎設施的發(fā)展，如更高的模塊化、靈活性和可擴展性可能會有助于生產成本的減少，對于新生產平臺成功推廣至關重要。這將有助于吸引產業(yè)界的積極參與，與率先的研究實驗室一起推動微納產品的不斷升級換代。

ICP刻蝕GaN是物料濺射和化學反應相結合的復雜過程?？涛gGaN主要使用到氯氣和三氯化硼，刻蝕過程中材料表面表面的Ga-N鍵在離子轟擊下破裂，此為物理濺射，產生活性的Ga和N原子，氮原子相互結合容易析出氮氣，Ga原子和Cl離子生成容易揮發(fā)的GaCl2或者GaCl3。光刻（Photolithography)是一種圖形轉移的方法，在微納加工當中不可或缺的技術。光刻是一個比較大的概念，其實它是有多步工序所組成的。1.清洗：清洗襯底表面的有機物。2.旋涂：將光刻膠旋涂在襯底表面。3.曝光。將光刻版與襯底對準，在紫外光下曝光一定的時間。4.顯影：將曝光后的襯底在顯影液下顯影一定的時間，受過紫外線曝光的地方會溶解在顯影液當中。5.后烘。將顯影后的襯底放置熱板上后烘，以增強光刻膠與襯底之前的粘附力。我造技術的研究從其誕生之初就一直牢據行國的微納制造技術的研究與世界先進水平業(yè)的杰出位置！

研究應著眼于開發(fā)一種新型的可配置、可升級的微納制造平臺和系統(tǒng)，以降低大批量或是小規(guī)模定制產品的生產成本。新一代微納制造系統(tǒng)應滿足下述要求：（1）能生產多種多樣高度復雜的微納產品；（2）具有微納特性的組件的小型化連續(xù)生產；（3）為了掌握基于整個生產加工鏈制造的知識，新設計和仿真系統(tǒng)的產品開發(fā)過程的全部跨學科知識進行條理化和儲存；（4）為了保證生產的靈活性和適應性，應確保在分布式制造中各企業(yè)的有效合作，以支撐通過新型商業(yè)生產、管理和物流方法來實現(xiàn)的中小型企業(yè)在綜合制造網絡中的有效整合；（5）是一個擁有更高級的智能和可靠性、可根據相應環(huán)境自行調整設置及生產加工參數(shù)的、可嵌入整個生產制造行業(yè)的制造系統(tǒng)。微納加工平臺包括光刻、磁控濺射、電子束蒸鍍、濕法腐蝕、干法腐蝕、表面形貌測量！淮南激光微納加工

濕法刻蝕較普遍、也是成本較低的刻蝕方法！遂寧微納加工平臺

在光刻圖案化工藝中，需要優(yōu)先將光刻膠涂在硅片上形成一層薄膜。接著在復雜的曝光裝置中，光線通過一個具有特定圖案的掩模投射到光刻膠上。曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學變化，在隨后的化學顯影過程中被去除。較后掩模的圖案就被轉移到了光刻膠膜上。而在隨后的蝕刻或離子注入工藝中，會對沒有光刻膠保護的硅片部分進行刻蝕，較后洗去剩余光刻膠。這時光刻膠的圖案就被轉移到下層的薄膜上，這種薄膜圖案化的過程經過多次迭代，聯(lián)同其他多個物理過程，便產生集成電路。遂寧微納加工平臺

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