憑借綠色產(chǎn)品與可持續(xù)生產(chǎn)模式,吉田半導體的材料遠銷全球,并與多家跨國企業(yè)建立長期合作。其環(huán)保焊片與靶材被廣泛應用于光伏、儲能等清潔能源領域,助力客戶實現(xiàn)產(chǎn)品全生命周期的環(huán)境友好。公司通過導入國際標準認證(如 ISO14001 環(huán)境管理體系),進一步強化了在環(huán)保領域的競爭力。
未來,廣東吉田半導體材料有限公司將繼續(xù)以技術創(chuàng)新為驅(qū)動,深化綠色制造戰(zhàn)略,為半導體產(chǎn)業(yè)的低碳化、可持續(xù)發(fā)展貢獻力量。以品質(zhì)為依托,深化全球化布局,為半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入持續(xù)動力。
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市場與客戶優(yōu)勢:全球化布局與頭部客戶合作
全球客戶網(wǎng)絡
產(chǎn)品遠銷全球,與三星、LG、京東方等世界500強企業(yè)建立長期合作,在東南亞、北美市場市占率超15%。
區(qū)域市場深耕
依托東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,與華為、OPPO等本土企業(yè)合作,在消費電子、汽車電子領域快速響應客戶需求。
產(chǎn)業(yè)鏈配套優(yōu)勢:原材料與設備協(xié)同
主要原材料自主化
公司自主生產(chǎn)光刻膠樹脂、光引發(fā)劑,降低對進口依賴,成本較國際競品低20%。
設備與工藝協(xié)同
與國內(nèi)涂膠顯影設備廠商合作,開發(fā)適配國產(chǎn)設備的光刻膠配方,提升工藝兼容性。
云南油墨光刻膠品牌半導體芯片制造,用于精細電路圖案光刻,決定芯片性能與集成度。
技術優(yōu)勢:23年研發(fā)沉淀與細分領域突破
全流程自主化能力
吉田在光刻膠研發(fā)中實現(xiàn)了從樹脂合成、光引發(fā)劑制備到配方優(yōu)化的全流程自主化。例如,其納米壓印光刻膠通過自主開發(fā)的樹脂體系,實現(xiàn)了3μm的分辨率,適用于MEMS傳感器、光學器件等領域。
技術壁壘:公司擁有23年光刻膠研發(fā)經(jīng)驗,掌握光刻膠主要原材料(如樹脂、光酸)的合成技術,部分原材料純度達PPT級。
細分領域技術先進
? 納米壓印光刻膠:在納米級圖案化領域(如量子點顯示、生物芯片)實現(xiàn)技術突破,分辨率達3μm,填補國內(nèi)空缺。
? LCD光刻膠:針對顯示面板行業(yè)需求,開發(fā)出高感光度、高對比度的光刻膠,適配AMOLED、Micro LED等新型顯示技術。
研發(fā)投入與合作
公司2018年獲高新技術性企業(yè)認證,與新材料領域同伴們合作開發(fā)半導體光刻膠,計劃2025年啟動半導體用KrF光刻膠研發(fā)。
作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業(yè),廣東吉田半導體材料有限公司始終將環(huán)保理念融入產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)全流程。公司位于東莞松山湖產(chǎn)業(yè)集群,依托區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)勢,持續(xù)推出符合國際環(huán)保標準的半導體材料解決方案。
公司在錫膏、焊片等產(chǎn)品中采用無鹵無鉛配方,嚴格遵循 RoHS 指令要求,避免使用有害物質(zhì)。以錫膏為例,其零鹵素配方通過第三方機構認證,不僅減少了電子產(chǎn)品廢棄后的環(huán)境負擔,還提升了焊接可靠性,適用于新能源汽車、精密電子設備等領域。同時,納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產(chǎn)過程中,公司通過優(yōu)化原料配比,減少揮發(fā)性有機物(VOCs)排放,確保產(chǎn)品符合歐盟 REACH 法規(guī)。
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關鍵工藝流程
涂布:
? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠,厚度控制在0.1-5μm(依制程精度調(diào)整),需均勻無氣泡(旋涂轉速500-5000rpm)。
前烘(Soft Bake):
? 加熱(80-120℃)去除溶劑,固化膠膜,增強附著力(避免顯影時邊緣剝離)。
曝光:
? 光源匹配:
? G/I線膠:汞燈(適用于≥1μm線寬,如PCB、LCD)。
? DUV膠(248nm/193nm):KrF/ArF準分子激光(用于28nm-14nm制程,如存儲芯片)。
? EUV膠(13.5nm):極紫外光源(用于7nm以下制程,需控制納米級缺陷)。
? 曝光能量:需精確控制(如ArF膠約50mJ/cm2),避免過曝或欠曝導致圖案失真。
顯影:
? 采用堿性溶液(如0.262N四甲基氫氧化銨,TMAH),曝光區(qū)域膠膜溶解,未曝光區(qū)域保留,形成三維立體圖案。
后烘(Post-Exposure Bake, PEB):
? 化學增幅型膠需此步驟,通過加熱(90-130℃)激發(fā)光酸催化反應,提高分辨率和耐蝕刻性。
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關鍵應用領域
半導體制造:
? 在晶圓表面涂覆光刻膠,通過掩膜曝光、顯影,刻蝕出晶體管、電路等納米級結構(如EUV光刻膠用于7nm以下制程)。
印刷電路板(PCB):
? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層,制作線路和焊盤。
顯示面板(LCD/OLED):
? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。
微機電系統(tǒng)(MEMS):
? 加工微結構(如傳感器、執(zhí)行器)。
工作原理(以正性膠為例)
1. 涂膠:在基材(如硅片)表面均勻旋涂光刻膠,烘干形成薄膜。
2. 曝光:通過掩膜版,用特定波長光線照射,曝光區(qū)域的光敏劑分解,使樹脂變得易溶于顯影液。
3. 顯影:用顯影液溶解曝光區(qū)域,留下未曝光的光刻膠圖案,作為后續(xù)刻蝕或離子注入的掩蔽層。
4. 后續(xù)工藝:刻蝕基材(保留未被光刻膠保護的區(qū)域),或去除光刻膠(剝離工藝)。
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