雙基極二極管具有獨(dú)特的負(fù)阻特性,由一個(gè) PN 結(jié)和兩個(gè)基極組成。在特定的電路條件下,雙基極二極管可用于構(gòu)成弛張振蕩器。當(dāng)在雙基極二極管的發(fā)射極加上正向電壓,且電壓達(dá)到一定值(峰點(diǎn)電壓)時(shí),二極管導(dǎo)通,發(fā)射極電流迅速增大,進(jìn)入負(fù)阻區(qū),電壓下降。當(dāng)發(fā)射極電流減小到一定值(谷點(diǎn)電流)時(shí),二極管截止,電壓再次上升,如此反復(fù),形成周期性的振蕩信號(hào)。在一些定時(shí)電路、脈沖發(fā)生器電路中,雙基極二極管構(gòu)成的弛張振蕩器可產(chǎn)生穩(wěn)定的脈沖信號(hào),用于控制電路的工作節(jié)奏和定時(shí)操作,如在電子鬧鐘的定時(shí)電路、晶閘管觸發(fā)脈沖的產(chǎn)生電路等方面有廣泛應(yīng)用。二極管的工作溫度范圍對(duì)其性能和使用壽命有重要影響。74LVC573AD
反向耐壓是二極管的另一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。它指的是二極管在反向偏置狀態(tài)下能夠承受的最大電壓值。當(dāng)反向電壓超過這個(gè)值時(shí),二極管可能會(huì)發(fā)生擊穿。不同類型的二極管具有不同的反向耐壓能力。例如,普通的小功率二極管的反向耐壓可能只有幾十伏,而高壓二極管的反向耐壓可以達(dá)到數(shù)千伏甚至更高。在設(shè)計(jì)電路時(shí),尤其是在涉及到高電壓的場(chǎng)合,必須充分考慮二極管的反向耐壓,選擇具有足夠反向耐壓能力的二極管,以防止二極管被擊穿而導(dǎo)致電路故障。STD2NK100Z MOS(場(chǎng)效應(yīng)管)二極管作為電子元件的基石,在電路中發(fā)揮著整流和開關(guān)的關(guān)鍵作用。
在光通信領(lǐng)域,光電二極管是光接收機(jī)的重要元件之一。在光纖通信系統(tǒng)中,光信號(hào)通過光纖傳輸?shù)浇邮斩?。光電二極管可以將接收到的微弱光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào),然后通過后續(xù)的放大、解調(diào)等電路處理,恢復(fù)出原始的信息。由于光通信中的信號(hào)非常微弱,要求光電二極管具有高靈敏度和低噪聲的特性。例如,雪崩光電二極管(APD)是一種特殊的高靈敏度光電二極管,它利用了雪崩倍增效應(yīng),在高反向偏壓下,光生載流子在 PN 結(jié)內(nèi)獲得足夠的能量,通過碰撞電離產(chǎn)生更多的載流子,從而使光電流得到倍增,能夠有效地檢測(cè)到更微弱的光信號(hào),提高了光通信系統(tǒng)的接收靈敏度。
硅是目前應(yīng)用非常普遍的二極管材料。硅二極管的正向電壓降通常在 0.6 - 0.7V 左右。雖然這個(gè)電壓降比鍺二極管高,但硅二極管的優(yōu)點(diǎn)非常突出。它的反向漏電流極小,能夠在較高的反向電壓下保持良好的截止特性。這使得硅二極管在大多數(shù)電子電路中成為優(yōu)先選擇,無論是在電源整流電路、數(shù)字電路中的信號(hào)處理還是在其他各種電子設(shè)備的電路中,硅二極管都能穩(wěn)定可靠地工作。比如在計(jì)算機(jī)的電源電路中,硅二極管可以將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,為計(jì)算機(jī)內(nèi)部的各個(gè)元件提供穩(wěn)定的直流電源,同時(shí)有效防止反向電流對(duì)電路的損害。二極管在發(fā)光二極管(LED)中的應(yīng)用,使得現(xiàn)代照明技術(shù)更加節(jié)能高效。
二極管的制造工藝包括多個(gè)環(huán)節(jié)。首先是半導(dǎo)體材料的制備,硅或鍺等半導(dǎo)體材料需要經(jīng)過提純、拉晶等過程,得到高純度、高質(zhì)量的半導(dǎo)體晶體。然后進(jìn)行晶圓制造,將半導(dǎo)體晶體切割成薄片,在晶圓上通過擴(kuò)散、離子注入等工藝形成 P - N 結(jié)。擴(kuò)散工藝是將特定的雜質(zhì)原子擴(kuò)散到半導(dǎo)體材料中,改變其導(dǎo)電類型,從而形成 P 區(qū)和 N 區(qū)。離子注入則是通過加速離子并將其注入到半導(dǎo)體材料中,精確地控制雜質(zhì)的濃度和分布。在形成 P - N 結(jié)之后,還需要進(jìn)行電極制作,在 P 區(qū)和 N 區(qū)分別制作金屬電極,以便與外部電路連接。另外,進(jìn)行封裝,將制作好的二極管芯片封裝在特定的封裝材料中,保護(hù)芯片并提供合適的引腳用于安裝。二極管的發(fā)明推動(dòng)了電子技術(shù)發(fā)展,是電路世界的重要基石。BUK7Y9R9-80EX SOT669
二極管的小型化和集成化是電子元件發(fā)展的重要趨勢(shì)。74LVC573AD
對(duì)二極管進(jìn)行測(cè)試可以確保其質(zhì)量和性能。常用的測(cè)試方法有萬用表測(cè)試法。將萬用表設(shè)置為二極管測(cè)試檔,將紅表筆和黑表筆分別接觸二極管的兩端。當(dāng)二極管正向?qū)〞r(shí),萬用表會(huì)顯示一個(gè)較小的正向壓降值,對(duì)于硅二極管,這個(gè)值大約在 0.5 - 0.7V 之間,對(duì)于鍺二極管,這個(gè)值大約在 0.1 - 0.3V 之間。當(dāng)二極管反向截止時(shí),萬用表顯示的數(shù)值非常大,通常超過幾百兆歐。除了萬用表測(cè)試外,還可以使用專門的二極管測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)試,這種測(cè)試儀可以更精確地測(cè)量二極管的各項(xiàng)參數(shù),如正向特性、反向特性、擊穿電壓等。74LVC573AD