武漢磁調(diào)制電壓傳感器案例

除了濾波電容的容量要選擇適當(dāng)，我們還需要考慮濾波電容的耐壓值，電容耐壓值不夠會發(fā)生危險。為了降低成本，一般電容耐壓值比輸出電壓高一些即可，比如可以選擇1.2倍的裕度。并且考慮到一般的電解電容有等效電阻，因此選用電解電容時可以選擇實際值比理論計算值大的電容，并且可以是多個并聯(lián)使用。為了減小開關(guān)管的電流，減小輸出端整流橋上的電壓，從而降低損耗，高頻變壓的原副邊變比應(yīng)盡可能大一些。為了滿足輸出電壓值的要求，則需要根據(jù)實際輸入的電壓值和輸出電壓值要求來考慮。以輸入電壓最小值為基準(zhǔn)來進行計算，變壓器變比：K=。其中vin(min)是輸入電壓最小值，vo是輸出電壓，vd是整流二極管導(dǎo)通壓降，Dsec是副邊占空比，在此取值0.8。將各個參數(shù)代入計算可得變比K為7.44，在這里可以取值為7.5。經(jīng)過磁環(huán)將原邊電流產(chǎn)生的磁場被氣隙中的霍爾元件檢測到。武漢磁調(diào)制電壓傳感器案例

在產(chǎn)生移相脈波時，計時器的計時都有一個固定的時基，計時器以時基為參考點開始計數(shù)，當(dāng)比較寄存器中的值和設(shè)定值相等就會產(chǎn)生一個比較中斷。由此機理，移相角的改變有兩種方法：1）不斷改變時基；2）不斷更新比較值。DSP比較寄存器處于增減計數(shù)模式，一般時基是固定的。由于增減計數(shù)模式中每一個周期都會產(chǎn)生一個周期中斷和下溢中斷，于是我們可以利用這兩個中斷將設(shè)定值重置來實現(xiàn)另外一對PWM波的移相。超前橋臂上一對互補PWM波由比較單元1產(chǎn)生，對應(yīng)的比較寄存器為T1CMPR，即為比較寄存器1的設(shè)定值，計數(shù)寄存器為T1CNT。滯后橋臂上一對互補的PWM波由比較單元2產(chǎn)生，對應(yīng)的比較寄存器為T2CMPR，即為比較寄存器2的設(shè)定值，為了保證參考坐標(biāo)的一致性，比較單元2和比較單元1共用同一個計數(shù)寄存器。深圳霍爾電壓傳感器出廠價但其體積大，頻帶較窄，一般只能用于工頻或其它額定頻率測量，并且具有諧振和輸出不能短路等問題。

首先滯后橋臂上開關(guān)管零電壓開通時，只有諧振電感提供換流的能量。諧振電感儲能必須大于滯后橋臂上諧振電容儲能加上變壓器原邊寄生電容儲能，在實際當(dāng)中， 變壓器的原邊匝數(shù)較少， 且原邊大都用多股漆包線并繞。同時在滯后橋臂上開關(guān)管開通時，原邊電流近似為恒定，須在開關(guān)管觸發(fā)導(dǎo)通前諧振電容完成充放電?，F(xiàn)在死區(qū)時間取為1.2us，結(jié)合滯后橋臂上開關(guān)管工況，諧振電感不僅為諧振電容提供充放電的能量，還向電源反饋能量，故電流ip小于超前橋臂上開關(guān)管開通時對應(yīng)的電流，計算可得：Ip(lag)==10.6μH。結(jié)合諧振電感的參數(shù)協(xié)調(diào)確定諧振電容的值為10μH。

磁體的電源系統(tǒng)已有電容器電源和脈沖發(fā)電機電源組成，為了進一步減小脈沖平頂磁場的紋波，我們對磁體的電源系統(tǒng)加以改進，基于電容器電源和脈沖發(fā)電機電源，再輔助以基于移相全橋直流變換器的補償電源，**終得到高精度高穩(wěn)定度的可控脈沖電源。三組電源系統(tǒng)一起向磁體供電。相對于電容器電源和脈沖發(fā)電機電源，移相全橋補償電源容量小、開關(guān)工作頻率高，諧波頻率高，系統(tǒng)反應(yīng)快速。磁體的三個電源系統(tǒng)**工作，分別向磁體供電，所以本課題主要研究移相全橋補償電源部分。電容器電源和脈沖發(fā)電機電源作為電源系統(tǒng)的主體部分，他們已為磁體提供了大電流。這是通過實現(xiàn)電阻橋的第二種方法實現(xiàn)的，如下所示。

為了加強裝置的安全性，大都采用具有變壓器隔離的隔離型方案。從功率角度考慮，當(dāng)選用的功率開關(guān)管的額定電壓和額定電流相同時，裝置的總功率通常和開關(guān)管的個數(shù)呈正比例關(guān)系，故全橋變換器的功率是半橋變換器的2倍，適用于中大功率的場合?；谝陨峡紤]，本方案中補償裝置選用帶有變壓器隔離的全橋型直流變換器。借助于效率高、動態(tài)性能好、線性度高等優(yōu)點，PWM（脈寬調(diào)制）技術(shù)在全橋變換器領(lǐng)域得到了廣發(fā)的關(guān)注和應(yīng)用，已經(jīng)成為了主流的控制技術(shù)。傳統(tǒng)的PWM直流變換器開關(guān)管工作在硬開關(guān)狀態(tài)。在硬開關(guān)的缺陷是很明顯的具體表現(xiàn)在：1）開關(guān)管的開關(guān)損耗隨著頻率的提高而增加；2）開關(guān)管硬關(guān)斷時電流的突變會產(chǎn)生加在開關(guān)管兩端的尖峰電壓，容易造成開關(guān)管被擊穿；3）開關(guān)管硬開通時其自身結(jié)電容放電會產(chǎn)生沖擊電流造成開關(guān)管的發(fā)熱。而折射兩光波之間的相位差與外施電壓成正比。深圳霍爾電壓傳感器出廠價

電壓傳感器按照極性分可以分為直流電壓傳感器和交流電壓傳感器。武漢磁調(diào)制電壓傳感器案例

削去原有電源系統(tǒng)紋波的補償方案有三種：注入、吸收、少則注入多則吸收。是單方向的向磁體注入電流，填補紋波，將整體的電流修正到紋波很低的水平。從磁體中吸收電流，是削波的方式將紋波中和得到紋波更小的電流。前兩種方案的綜合，將高于設(shè)定值得電流吸收、低于設(shè)定值的電流則進行補償，電流的供應(yīng)室雙向的，即積存在注入也存在吸收。由于磁體電源系統(tǒng)中三套電源是各自**向磁體供電的，所以補償電源系統(tǒng)的設(shè)計業(yè)可以**進行。由上述補償方案可見，補償電源只需要補償原供電系統(tǒng)中紋波部分，所以補償電源容量較小，可以直接從電網(wǎng)中取電進行AC/DC變換。補償電路原理圖如圖2-3所示B1為三相工頻整流橋，C0為儲能電容器，B2為IGBT逆變橋，TM為高頻變壓器，B3為高頻整流橋。Lf和Cf構(gòu)成輸出濾波器，Cp為補償電容，Lp為濾波電感，DCCT為高精度零磁通電流傳感器。武漢磁調(diào)制電壓傳感器案例