吉林震動(dòng)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-05-18

說到功率飄忽不定,耦合直通率低一直是影響產(chǎn)能的重要因素,功率飄通常與耦合板的位置有關(guān),因此在耦合時(shí)一定要固定好相應(yīng)的位置,不可隨便移動(dòng),此外部分機(jī)型需要使用專屬版本,又或者說耦合RF線材損壞也會(huì)對(duì)功率的穩(wěn)定造成比較大的影響。若以上原因都排除則故障原因就集中在終測儀和機(jī)頭本身了。結(jié)尾說一說耦合不過站的故障,為防止耦合漏作業(yè)的現(xiàn)象,在耦合的過程中會(huì)通過網(wǎng)線自動(dòng)上傳耦合數(shù)據(jù)進(jìn)行過站,若MES系統(tǒng)的外觀工位攔截到耦合不過站的機(jī)頭,則比較可能是CB一鍵藕合工具未開啟或者損壞,需要卸載后重新安裝,排除耦合4.0的故障和電腦系統(tǒng)本身的故障之后,則可能是MES系統(tǒng)本身的問題導(dǎo)致耦合數(shù)據(jù)無法上傳而導(dǎo)致不過站的現(xiàn)象的。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處:接口和集成方便。吉林震動(dòng)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有

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硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)的測試設(shè)備包括可調(diào)激光器、偏振控制器和多通道光功率計(jì),通過光矩陣的光路切換,每一時(shí)刻在程序控制下都可以形成一個(gè)單獨(dú)的測試環(huán)路。其光路如圖1所示,光源出光包含兩個(gè)設(shè)備,調(diào)光過程使用ASE寬光源,以保證光路通過光芯片后總是出光,ASE光源輸出端接入1*N路耦合器;測試過程使用可調(diào)激光器,以掃描特定功率及特定波長,激光器出光后連接偏振控制器輸入端,以得到特定偏振態(tài)下光信號(hào);偏振控制器輸出端接入1個(gè)N*1路光開光;切光過程通過輸入端光矩陣,包含N個(gè)2*1光開關(guān),以得到特定光源。輸入光進(jìn)入光芯片后由芯片輸出端輸出進(jìn)入輸出端光矩陣,包含N個(gè)2*1路光開關(guān),用于切換輸出到多通道光功率計(jì)或者PD光電二極管,分別對(duì)應(yīng)測試過程與耦合過程。吉林震動(dòng)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有硅光芯片耦合測試能夠高精度的測量待測試樣的三維或二維的全場測量。

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目前,基于SOI(絕緣體上硅)材料的波導(dǎo)調(diào)制器成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn),也取得了許多的進(jìn)展,但在硅光芯片調(diào)制器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中,面臨著一系列的問題,波導(dǎo)芯片與光纖的有效耦合就是難題之一。從懸臂型耦合結(jié)構(gòu)出發(fā),模擬設(shè)計(jì)了懸臂型倒錐耦合結(jié)構(gòu),通過開發(fā)相應(yīng)的有效地耦合工藝來實(shí)現(xiàn)耦合實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)良好的耦合效率。在這個(gè)基礎(chǔ)之上,對(duì)硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝,并對(duì)封裝后的調(diào)制器進(jìn)行性能測試分析。主要研究基于硅光芯片調(diào)制技術(shù)的硅基調(diào)制器芯片的耦合封裝及測試技術(shù)其實(shí)就是硅光芯片耦合測試系統(tǒng)。

我們分析了一種可以有效消除偏振相關(guān)性的偏振分級(jí)方案,并提出了兩種新型結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)該方案中的兩種關(guān)鍵元件。通過理論分析以及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,一個(gè)基于一維光柵的偏振分束器被證明能夠?qū)崿F(xiàn)兩種偏振光的有效分離。該分束器同時(shí)還能作為光纖與硅光芯片之間的高效耦合器。實(shí)驗(yàn)中我們獲得了超過50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串?dāng)_。我們還對(duì)一個(gè)基于硅條形波導(dǎo)的超小型偏振旋轉(zhuǎn)器進(jìn)行了理論分析,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)100%的偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對(duì)利用側(cè)向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進(jìn)行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學(xué)物理拋光等關(guān)鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯(cuò)在外延生長中的傳播。初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論分析證明該集成平臺(tái)對(duì)于實(shí)現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處:支持流水線操作,使取指、譯碼和執(zhí)行等操作可以重疊執(zhí)行。

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硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是比較關(guān)鍵的,我們的客戶非常關(guān)注此工位測試的嚴(yán)謹(jǐn)性,硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要控制“信號(hào)弱”,“易掉話”,“找網(wǎng)慢或不找網(wǎng)”,“不能接聽”等不良機(jī)流向市場。一般模擬用戶環(huán)境對(duì)設(shè)備EMC干擾的方法與實(shí)際使用環(huán)境存在較大差異,所以“信號(hào)類”返修量一直占有較大的比例??梢姡韫庑酒詈蠝y試系統(tǒng)是一個(gè)需要嚴(yán)謹(jǐn)?shù)年P(guān)鍵崗位,在利用金機(jī)調(diào)好衰減(即線損)之后,功率無法通過的,必須進(jìn)行維修,而不能隨意的更改線損使其通過測試,因?yàn)楸容^可能此類機(jī)型在開機(jī)界面顯示滿格信號(hào)而在使用過程中出現(xiàn)“掉話”的現(xiàn)象,給設(shè)備質(zhì)量和信譽(yù)帶來負(fù)面影響。以上是整機(jī)耦合的原理和測試存在的意義,也就是設(shè)備主板在FT測試之后,還要進(jìn)行組裝硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的原因。下面再說一說硅光芯片耦合測試系統(tǒng)過程中常見的異常問題和處理思路。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的優(yōu)勢:背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場。黑龍江多模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)機(jī)構(gòu)

光通信的一個(gè)發(fā)展趨勢是實(shí)現(xiàn)集成化,類似于集成電路,將光通信系統(tǒng)集成在單一光電子芯片。吉林震動(dòng)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是由激光器與硅光芯片集成結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)包括:激光器芯片,激光器芯片包括第1波導(dǎo);硅光芯片,硅光芯片包括第二波導(dǎo),第二波導(dǎo)及第1波導(dǎo)將激光器芯片發(fā)出的光耦合至硅光芯片內(nèi);第1波導(dǎo)包括依次一體連接的第1倒錐形波導(dǎo)部,矩形波導(dǎo)部及第二倒錐形波導(dǎo)部;第二波導(dǎo)包括第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片;其中,第1氮化硅光芯片,第二氮化硅光芯片及硅光芯片均包括依次一體連接的第1倒錐形波導(dǎo)部,矩形波導(dǎo)部及第二倒錐形波導(dǎo)部。相比于現(xiàn)有技術(shù)中的端面耦合,本實(shí)用新型的耦合方式對(duì)倒裝焊過程中的對(duì)準(zhǔn)精度要求更低,即使在對(duì)準(zhǔn)有誤差的實(shí)際工藝條件下,仍然具有較高的耦合效率。吉林震動(dòng)硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有