只有使器件中的電流減到低于某個數(shù)值或陰極與陽極之間電壓減小到零或負(fù)值時，器件才可恢復(fù)到關(guān)閉狀態(tài)。多種用途的，根據(jù)結(jié)構(gòu)及用途的不同，它已有很多不同的類型，除上述介紹的整流用普通可控硅之外還有；1、快速的。這種可以工作在較高的頻率下，用于大功率直流開關(guān)、電脈沖加工電源、激光電源和雷達(dá)調(diào)制器等電路中。2、雙向的。它的特點(diǎn)是可以使用正的或負(fù)的控制極脈沖，控制兩個方向電流的導(dǎo)通。它主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈米調(diào)節(jié)及直流電極調(diào)速和換向電路等。3、逆導(dǎo)的。主要用于直流供電國輛（如無軌電車）的調(diào)速。4、可關(guān)斷的。這是一種新型產(chǎn)品，它利用正的控制極脈沖可觸發(fā)導(dǎo)通，而用負(fù)的控制極脈沖可以關(guān)斷陽極電流，恢復(fù)阻斷狀態(tài)。利用這種特性可以做成無觸點(diǎn)開關(guān)或用直流調(diào)壓、電視機(jī)中行掃描電路及高壓脈沖發(fā)生器電路等。在性能上，可控硅模塊不具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件，更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。能以毫安級電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快。淄博正高電氣降低客戶風(fēng)險才是能夠良好合作的開始。山東可控硅電源
有時可能是交流電的大值。根據(jù)電感的特性，其兩端電壓不可能突變，高電壓加到電感的瞬間產(chǎn)生反向自感電勢，反對外加電壓。外加電壓的上升曲線越陡，自感電勢越高，有時甚至超過電源電壓而擊穿可控硅。因此，可控硅控制電感負(fù)載，首先其耐壓要高于電源電壓峰值。此外，可控硅兩電極間還要并聯(lián)接入RC尖峰吸收電路。常用10—30Ω/3W以上電阻和—。交流調(diào)功電路中，可控硅是在交流電過零期間所關(guān)斷的，從理論上來講，關(guān)斷時候的電流變化狀況是零，沒有感應(yīng)電壓的產(chǎn)生。加入RC尖峰電路，目的是為了可控硅導(dǎo)通時的自感電勢尖峰。如果不加入電路，不但可控硅極易擊穿，負(fù)載電路的電感線圈也會產(chǎn)生匝間、或電機(jī)繞組間擊穿，這個點(diǎn)是不能忽視的。以上就是可控硅的應(yīng)用，你學(xué)會了嗎？在生活中，只要不是專業(yè)人士，我想大部分的人都會把可控硅和晶閘管這兩者給搞混，很多的人都不會正確認(rèn)識可控硅和晶閘管，有的人回說只是兩者叫法不同而已。接下來，正高小編就和大家分享一下，可控硅和晶閘管兩者的區(qū)別：先說一下可控硅可控硅簡稱“SCR”，是一種大功率的電器元件，也叫晶閘管?？煽毓杈哂畜w積小、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在工作中，可控硅大量運(yùn)用與設(shè)備及系統(tǒng)中。湖北晶閘管可控硅模塊價格淄博正高電氣品牌價值不斷提升。
是由P-導(dǎo)體和N-導(dǎo)體組成的四層結(jié)構(gòu)，有三個PN結(jié)，它們與只有一個PN結(jié)的硅整流二極管有很大的不同。目前，可以生產(chǎn)出幾百安培甚至幾千安培的可控硅元件。一般而言，5安培以下的可控硅稱為低功率可控硅，50安培以上的可控硅稱為大功率晶閘管。晶閘管（可控硅整流器）是一種高功率的電氣元件，也稱為晶閘管。具有體積小、效率高、使用壽命長的優(yōu)點(diǎn)。在自動控制系統(tǒng)中，它可以作為大功率驅(qū)動裝置，對大功率設(shè)備進(jìn)行小功率控制。大規(guī)模應(yīng)用于交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)和伺服系統(tǒng)中。可控硅與晶閘管有什么區(qū)別晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管。雙向晶閘管又稱三端雙向晶閘管，簡稱三端雙向晶閘管。雙向晶閘管在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向晶閘管反向連接，這種晶閘管具有雙向?qū)щ姽δ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G中加入一個正脈沖(或負(fù)脈沖)可以啟動正(或反向)傳導(dǎo)。該裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單，不存在反向耐壓問題，特別適用于交流無觸點(diǎn)開關(guān)。晶閘管(Thyristor)也稱為晶閘管整流器，以前稱為晶閘管。1957年，通用電氣公司開發(fā)了世界上個晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管為PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，具有陽極、陰極和控制極三極.晶閘管具有硅整流器的特點(diǎn)。
人們常說的普通晶閘管，不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)，由四層半導(dǎo)體材料組成的，有三個PN結(jié)，對外有三個電極。它由三個PN結(jié)，從J1結(jié)構(gòu)的P1層引出陽極A，從N2層引出陰級K，從P2層引出控制極G，所以它是一種四層三端的半導(dǎo)體器件。從晶閘管的電路符號可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個控制極G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,因?yàn)樗奶匦灶愃朴谡婵臻l流管，所以國際上通稱為硅晶體閘流管，簡稱晶閘管T，又因?yàn)榫чl管之初的在靜止整流方面，所以又被稱之為硅可控整流元件，簡稱為可控硅SCR?？煽毓杵骷墓ぷ髟碓谛阅苌?，可控硅不具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件（俗稱"死硅")更為可貴的可控性.它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)?？煽毓枘芤院涟布夒娏骺刂拼蠊β实臋C(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時，標(biāo)稱電流應(yīng)降級使用。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音。淄博正高電氣歡迎朋友們指導(dǎo)和業(yè)務(wù)洽談。
可控硅模塊的不足之處應(yīng)該怎么避免？晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn)是眾所周知的，但它也有缺點(diǎn)，如：過載和抗干擾能力差，在控制大電感負(fù)載時，會對電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾，如何避免這些缺點(diǎn)？以下是一個很好的解釋。1、靈敏度雙向的是一個三端元件，但我們不再稱其兩極為陽極和陰極，而是稱為T1和T2極。G是控制極。施加在控制極上的電壓，無論是正觸發(fā)脈沖還是負(fù)觸發(fā)脈沖，都能使控制電極接通。在圖1所示的四種情況下，雙向晶閘管都可以觸發(fā)，但觸發(fā)靈敏度不同，即保證雙觸發(fā)時，可以進(jìn)入晶閘管導(dǎo)通狀態(tài)的門極電流IGT不同，其中（a）觸發(fā)靈敏度較高，觸發(fā)靈敏度較低。為了保證觸發(fā)和盡可能地限制柵電流，應(yīng)選擇（c）或（d）的觸發(fā)模式。2、過載保護(hù)有許多優(yōu)點(diǎn)，但過載能力差。短時過電流和過電壓會損壞部件。因此，為了保證元件的正常工作，必須具備以下條件：（1）在外加電壓下允許超過正向轉(zhuǎn)向電壓，否則控制極將不工作；（2）晶閘管的平均通態(tài)電流一般取自安全角度；（3）為了保證控制極的可靠觸發(fā)，加到控制極上的觸發(fā)電流一般大于其額定值。此外，必須采取保護(hù)措施。過流保護(hù)措施一般為：在電路中串聯(lián)一個快速熔斷器，其額定電流約為晶閘管電流平均值的。淄博正高電氣一切從實(shí)際出發(fā)、注重實(shí)質(zhì)內(nèi)容。濰坊可控硅智能模塊
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