北京本地晶振報價

來源: 發(fā)布時間:2022-01-22

晶振在應用具體起到什么作用?微控制器的時鐘源可以分為兩類:基于機械諧振器件的時鐘源,如晶振、陶瓷諧振槽路;RC振蕩器。一種是皮爾斯振蕩器配置,適用于晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振蕩器?;诰д衽c陶瓷諧振槽路的振蕩器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。RC振蕩器能夠快速啟動,成本也比較低,但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內精度較差,會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內變化。但其性能受環(huán)境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振蕩器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時,陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進行優(yōu)化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇并不敏感,但在過驅動時很容易產生頻率漂移。影響振蕩器工作的環(huán)境因素有:電磁干擾、機械震動與沖擊、濕度和溫度。這些因素會增大輸出頻率的變化,增加不穩(wěn)定性,并且在有些情況下,還會造成振蕩器停振。上述大部分問題都可以通過使用振蕩器模塊避免。這些模塊自帶振蕩器、提供低阻方波輸出,并且能夠在一定條件下保證運行。常用的類型是晶振模塊。晶振模塊提供與分立晶振相同的精度。晶振會增大輸出頻率的變化。北京本地晶振報價

選擇振蕩器時需要考慮功耗。分立振蕩器的功耗主要由反饋放大器的電源電流以及電路內部的電容值所決定。CMOS放大器功耗與工作頻率成正比,可以表示為功率耗散電容值。比如,HC04反相器門電路的功率耗散電容值是90pF。在4MHz、5V電源下工作時,相當于1.8mA的電源電流。再加上20pF的晶振負載電容,整個電源電流為2.2mA。陶瓷諧振槽路一般具有較大的負載電容,相應地也需要更多的電流。相比之下,晶振模塊一般需要電源電流為10mA~60mA。硅振蕩器的電源電流取決于其類型與功能,范圍可以從低頻(固定)器件的幾個微安到可編程器件的幾個毫安。一種低功率的硅振蕩器,如MAX7375,工作在4MHz時只需不到2mA的電流。在特定的應用場合優(yōu)化時鐘源需要綜合考慮以下一些因素:精度、成本、功耗以及環(huán)境需求。青島封裝晶振生產用示波器測試發(fā)現(xiàn)晶振的輸出。

如何判斷電路中晶振是否被過分驅動?電阻RS常用來防止晶振被過分驅動。過分驅動晶振會漸漸損耗減少晶振的接觸電鍍,這將引起頻率的上升??捎靡慌_示波器檢測OSC輸出腳,如果檢測一非常清晰的正弦波,且正弦波的上限值和下限值都符合時鐘輸入需要,則晶振未被過分驅動;相反,如果正弦波形的波峰,波谷兩端被削平,而使波形成為方形,則晶振被過分驅動。這時就需要用電阻RS來防止晶振被過分驅動。判斷電阻RS值大小的較簡單的方法就是串聯(lián)一個5k或10k的微調電阻,從0開始慢慢調高,一直到正弦波不再被削平為止。通過此辦法就可以找到較接近的電阻RS值。

晶振選購指南:晶振有多種封裝,特點是電氣性能規(guī)范多種多樣。它有好幾種不同的類型:電壓控制晶振(電壓晶振)、溫度補償晶振(溫度晶振)、恒溫晶振(恒溫晶振),以及數字補償晶振(MCXO或D溫度晶振),每種類型都有自己的獨特性能。如果需要使設備即開即用,您就必須選用電壓晶振或溫補晶振,如果要求穩(wěn)定度在0.5ppm以上,則需選擇數字溫補晶振(MCXO)。模擬溫補晶振適用于穩(wěn)定度要求在5ppm~0.5ppm之間的需求。電壓晶振只適合于穩(wěn)定度要求在5ppm以下的產品。在不需要即開即用的環(huán)境下,如果需要信號穩(wěn)定度超過0.1ppm的,可選用恒溫晶振。無源晶振是有2個引腳的無極性元件。

當石英晶振的晶體不振動時,可把它看成一個平板電容器稱為靜電電容C,它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關,一般約幾個PF到幾十PF。當晶體振蕩時,機械振動的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十mH到幾百mH。晶片的彈性可用電容C來等效,C的值很小,一般只有0.0002~0.1pF。晶片振動時因摩擦而造成的損耗用R來等效,它的數值約為100。由于晶片的等效電感很大,而C很小,R也小,因此回路的品質因數Q很大,可達1000~10000。加上晶片本身的諧振頻率基本上只與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸有關,而且可以做得精確,因此利用石英諧振器組成的振蕩電路可獲得很高的頻率穩(wěn)定度。石英晶振工作時消耗的有效功率,有時用流經石英晶振的電流表示。實際使用時,激勵電平可以適當調整。北京本地晶振報價

負載頻率不同決定晶振的振蕩頻率不同。北京本地晶振報價

石英晶振的主要參數有標稱頻率,負載電容、頻率精度、頻率穩(wěn)定度等。不同的晶振標稱頻率不同,標稱頻率大都標明在晶振外殼上。如常用普通晶振標稱頻率有:48kHz、500kHz、503.5kHz、1MHz~40.50MHz等,對于特殊要求的晶振頻率可達到1000MHz以上,也有的沒有標稱頻率,如CRB、ZTB、Ja等系列。負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標稱頻率相同的晶振,負載電容不一定相同。因為石英晶振有兩個諧振頻率,一個是串聯(lián)揩振晶振的低負載電容晶振:另一個為并聯(lián)揩振晶振的高負載電容晶振。所以,標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至,不能冒然互換,否則會造成電器工作不正常。頻率精度和頻率穩(wěn)定度:由于普通晶振的性能基本都能達到一般電器的要求,對于比較好的設備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定度。頻率精度從10^(-4)量級到10^(-10)量級不等。穩(wěn)定度從1到100ppm不等。這要根據具體的設備需要而選擇合適的晶振,如通信網絡,無線數據傳輸等系統(tǒng)就需要更高要求的石英晶振。北京本地晶振報價

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