太原時(shí)鐘晶振的電阻

    貼片晶振的主要參數(shù)：1、頻率準(zhǔn)確度：在標(biāo)稱(chēng)電源電壓、標(biāo)稱(chēng)負(fù)載阻抗、基準(zhǔn)溫度（25℃）以及其他條件保持不變，晶體振蕩器的頻率相對(duì)與其規(guī)定標(biāo)稱(chēng)值的較大允許偏差，即（fmax-fmin）/f0。2、溫度穩(wěn)定度：其他條件保持不變，在規(guī)定溫度范圍內(nèi)晶體振蕩器輸出頻率的較大變化量相對(duì)于溫度范圍內(nèi)輸出頻率極值之和的允許頻偏值，即（fmax-fmin）/（fmax+fmin）。3、頻率調(diào)節(jié)范圍：通過(guò)調(diào)節(jié)晶振的某可變?cè)淖冚敵鲱l率的范圍。4、調(diào)頻（壓控）特性：在標(biāo)稱(chēng)電源電壓、標(biāo)稱(chēng)負(fù)載阻抗、基準(zhǔn)溫度（25℃）以及其他條件保持不變，晶體振蕩器的頻率相對(duì)與其規(guī)定標(biāo)稱(chēng)值的較大允許偏差，即（fmax-fmin）/f0。 晶振需要5分鐘左右的加熱時(shí)間才能正常工作等。太原時(shí)鐘晶振的電阻

有人說(shuō)是負(fù)載電容，是用來(lái)糾正晶體的振蕩頻率用的;有人說(shuō)是啟振電容;有人說(shuō)起諧振作用的。電容與內(nèi)部電路共同組成一定頻率的振蕩，這個(gè)電容是硬連接，固定頻率能力比較強(qiáng)，其他頻率的干擾就比較難進(jìn)來(lái)了。講的通俗易懂一點(diǎn)，用一個(gè)曾經(jīng)聽(tīng)過(guò)的笑話來(lái)比喻，大概意思就是本飛機(jī)被我劫持了，其他劫持者等下次吧。這個(gè)電容就是本次劫機(jī)者。晶振電路其實(shí)是個(gè)電容三點(diǎn)式振蕩電路，輸出是正玄波晶體等效于電感，加兩個(gè)槽路分壓電容，輸入端的電容越小，正反饋量越大。負(fù)載電容每個(gè)晶振都會(huì)有的參數(shù)，例如穩(wěn)定度是多少PPM，部分人會(huì)稱(chēng)之為頻差，單位都是PPM，負(fù)載電容是多少PF等。當(dāng)晶振接到震蕩電路上在震蕩電路所引入的電容不符合晶振的負(fù)載電容的容量要求時(shí)震蕩電路所出的頻率就會(huì)和晶振所標(biāo)的頻率不同。濟(jì)南藍(lán)牙晶振批發(fā)如果不同子系統(tǒng)需要不同頻率的時(shí)鐘信號(hào)，可以用與同一個(gè)晶振相連的不同鎖相環(huán)來(lái)提供。

常用普通晶振標(biāo)稱(chēng)頻率有：48kHz、500kHz、503.5kHz、1MHz～40.50MHz等，對(duì)于特殊要求的晶振頻率可達(dá)到1000MHz以上，也有的沒(méi)有標(biāo)稱(chēng)頻率，如CRB、ZTB、Ja等系列。負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱(chēng)頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率，一個(gè)是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個(gè)為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振。

二腳位的貼片晶振是無(wú)源晶振。2，四腳位的貼片晶振可能是無(wú)源晶振，也可能是有源晶振3，四腳位以上的貼片晶振一定是有源晶振4，有源晶振本身印字有左下腳有個(gè)點(diǎn)5，常見(jiàn)的貼片晶振體積有2520，3225，5032，6035，7050。有源晶振有方向不？也是大家所想要知道的問(wèn)題，晶振型號(hào)眾多，而且每一種型號(hào)的引腳定義都有所不同，接法也不同，下面介紹一下有源晶振引腳識(shí)別方法，以方便大家牢記：有個(gè)點(diǎn)標(biāo)記的為1腳位，按逆時(shí)針（管腳向下）分別為2、3、4腳位。通常的用法：一腳懸空，二腳接地，三腳接輸出，四腳接電壓。有字正面，從有點(diǎn)的那一腳，逆時(shí)針依次是：NC、GND、CLKOUT、VCC。將晶振逐漸變得高精度，高穩(wěn)定性。

    如何指定石英晶振：1、晶體諧振器模式：石英晶體可以以基本模式或泛音模式操作。低于25MHz的晶振頻率通常被設(shè)計(jì)為以其基本模式工作,而在此之上它們通常被設(shè)計(jì)用于泛音操作,盡管制造技術(shù)改進(jìn)了更高頻率的晶體變得可用。因此,該模式是晶體規(guī)范的重要元素。當(dāng)命令泛音晶體時(shí),指出操作的準(zhǔn)確頻率而不是預(yù)期的基頻,因?yàn)樵谒璧念l率上可能出現(xiàn)混淆,并且晶體的泛音頻率與基波的諧波不完全相同。頻率可能導(dǎo)致提供不正確的頻率。泛音晶體的頻率通常以MHz表示,而以其基頻工作的頻率通常以kHz表示。2、晶體負(fù)載電容規(guī)格：較常見(jiàn)的晶體類(lèi)型是并聯(lián)諧振,其中晶體以高于其串聯(lián)諧振頻率(較低阻抗點(diǎn))的頻率工作。當(dāng)以并聯(lián)諧振模式操作時(shí),晶體諧振器需要一定水平的負(fù)載電容。這是提供給石英晶體諧振器的振蕩器電路的電容。外部電容形成諧振電路的一部分。負(fù)載電容的一個(gè)常見(jiàn)值是30pF,盡管20pF也被普遍使用。 在實(shí)際應(yīng)用中要根據(jù)具體要求選擇適當(dāng)?shù)木д?。甘肅口碑好晶振報(bào)價(jià)

晶振的等效阻抗很大。太原時(shí)鐘晶振的電阻

晶振頻率的高低與晶片有什么樣的聯(lián)系？一般來(lái)講，石英晶振的頻率越高，需要的石英晶片越薄。比如40MHZ的石英晶體所需的晶片厚度是41.75毫米，這樣的厚度還算可以做到，但100MHZ的石英晶體，所需的晶片厚度則是16.7毫米。即使厚度可做到但損耗非常高，制成成品后輕輕一跌晶片就碎裂。所以一般在高頻的晶體就要采用三次泛音、五次泛音、七次泛音的技術(shù)來(lái)達(dá)到了。泛音晶振應(yīng)用的典型電路要在芯片接晶振的一腳到地串上一個(gè)電感和電容，若不加，則晶振輸出只有基頻，就達(dá)不到要求了。太原時(shí)鐘晶振的電阻

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