青海12m晶振的電阻

晶振單元應(yīng)用注意事項：1、必須檢查電路的負電阻。根據(jù)圖1可以確認負電阻,負電阻的目標是諧振電阻的約5倍。2、當用于C-MOS振蕩電路時,電路圖中的Rd是必不可少的(見圖2)。如果該Rd達到,則驅(qū)動電平保持在規(guī)定值內(nèi),并且可以獲得穩(wěn)定的振蕩頻率。(10)Cg和Cd應(yīng)在10~30pF的范圍內(nèi)使用,如果Cg和Cd的使用低于10pF或高于20pF,則有源晶振振蕩可能比較容易受到電路性能的影響,驅(qū)動電平可能會增加,或者負電阻可能會降低,因此未能保持穩(wěn)定的振蕩。3、晶體振蕩電路的布局應(yīng)盡可能短。4、應(yīng)減少電路和接地圖案之間的雜散電容。5、應(yīng)避免在其他電路圖案上穿過晶振振蕩電路圖案。6、如果使用的電路是IC類型,并且IC制造商不同,則應(yīng)確認頻率,驅(qū)動電平和負電阻。7、過度振蕩電路需要額外的建立。晶振上接的一個電阻是反饋作用，使振蕩器容易起振。青海12m晶振的電阻

晶振距離板邊太近，易導(dǎo)致晶振輻射雜訊。晶振下方有布信號線，這易導(dǎo)致信號線耦合晶振的諧波雜訊。濾波器件放在晶振下方，且濾波電容與匹配電阻未按照信號流向排布，使得濾波器件的濾波效果變差。晶體的濾波電容與匹配電阻靠近CPU芯片優(yōu)先放置，遠離板邊；切記不能在晶體擺放區(qū)域和下方投影區(qū)內(nèi)布地；晶體的濾波電容與匹配電阻按照信號流向排布，且靠近晶體擺放整齊緊湊；晶體靠近芯片處擺放，兩者間的走線盡量短而直?，F(xiàn)今很多系統(tǒng)晶振現(xiàn)今很多系統(tǒng)晶振時鐘頻率高，且干擾諧波能量強。江蘇本地晶振生產(chǎn)商用示波器測試發(fā)現(xiàn)晶振的輸出。

標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。頻率精度和頻率穩(wěn)定度：由于普通晶振的性能基本都能達到一般電器的要求，對于良好設(shè)備還需要有一定的頻率精度和頻率穩(wěn)定度。頻率精度從10^(-4)量級到10^(-10)量級不等。穩(wěn)定度從1到100ppm不等。這要根據(jù)具體的設(shè)備需要而選擇合適的晶振，如通信網(wǎng)絡(luò)，無線數(shù)據(jù)傳輸?shù)认到y(tǒng)就需要更高要求的石英晶體振蕩器。因此，晶振的參數(shù)決定了晶振的品質(zhì)和性能。

晶振的設(shè)計考慮事項:1.使晶振、外部電容器(如果有)與IC之間的信號線盡可能保持較短。當非常低的電流通過IC晶振振蕩器時，如果線路太長，會使它對EMC、ESD與串擾產(chǎn)生非常敏感的影響。而且長線路還會給振蕩器增加寄生電容。2.盡可能將其它時鐘線路與頻繁切換的信號線路布置在遠離晶振連接的位置。3.當心晶振和地的走線。4.將晶振外殼接地：如果實際的負載電容配置不當，第1會引起線路參考頻率的誤差。另外如在發(fā)射接收電路上會使晶振的振蕩幅度下降(不在峰點)，影響混頻信號的信號強度與信噪。當波形出現(xiàn)削峰，畸變時，可增加負載電阻調(diào)整(幾十K到幾百K)，要穩(wěn)定波形是并聯(lián)一個1M左右的反饋電阻。晶振采用了恒溫槽技術(shù)。

選擇晶振電容的注意事項(1)在選用時，需要了解該類型振蕩器的要害方針，例如等效電阻。(2)但是在實習(xí)電路中，也能夠通過示波器查詢振蕩波形來判別振蕩器是不是作業(yè)在較多佳情況。(3)當然在示波器查詢振蕩波形時，所查詢的OSCO管腳，應(yīng)選擇100MHz帶寬以上的示波器探頭，這種探頭的輸入阻抗高，容抗小，對振蕩波形相對影響小。(4)由于探頭上通常存在10～20pF的電容，所以觀測時，恰當減小在OSCO管腳的電容能夠取得更靠近實習(xí)的振蕩波形。在晶振輸出引腳XO和晶振輸入引腳XI之間用一個電阻連接，對于CMOS芯片通常是數(shù)M到數(shù)十M歐之間。青島晶體晶振生產(chǎn)

晶振的作用是為系統(tǒng)提供基本的時鐘信號。青海12m晶振的電阻

晶體振蕩器中使用的兩種較多常見的石英晶體切割是AT切割和SC切割。就像任何其他工程或設(shè)計決策一樣，它們都有自己的優(yōu)點和缺點，必須在頻率控制設(shè)備的設(shè)計階段進行權(quán)衡。AT是溫度補償切割，這意味著切割的方向使得晶格的溫度系數(shù)對晶體性能的影響較多小。晶體老化是描述晶體頻率在晶體壽命期間如何變化的規(guī)范。晶振晶體老化是晶體振蕩器內(nèi)雜質(zhì)的結(jié)果。晶振：是石英晶振特殊封裝類別，也是目前石英晶振的一個主流產(chǎn)品。芯片的主要材料為水晶材質(zhì)(二氧化硅)，利用這種材料的壓電特性，經(jīng)過高壓極化以后，形成周期性的機械能和電能的轉(zhuǎn)換，產(chǎn)生穩(wěn)定的頻率。青海12m晶振的電阻

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