四川光刻機MAX層厚可達到10微米

SPS POLOS μ以桌面化設計降低設備投入成本，無需掩膜制備費用。其光束引擎通過壓電驅動快速掃描，單次寫入區(qū)域達400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗證。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。納 / 微機械：亞微米級結構加工，微型齒輪精度達 ±50nm，推動微機電系統創(chuàng)新。四川光刻機MAX層厚可達到10微米

針對碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機的激光直寫技術實現了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設備，將 SiC MOSFET 的導通電阻降低 15%，開關損耗減少 20%，推動車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗證新型柵極結構，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國在第三代半導體領域實現彎道超車。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。四川光刻機MAX層厚可達到10微米科研成果轉化：中科院利用同類技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤機制。

在航空航天科研中，某科研團隊致力于研發(fā)用于環(huán)境監(jiān)測和偵察的微型飛行器。其中，制造輕量化且高性能的微機械部件是關鍵。德國 Polos 光刻機憑借無掩模激光光刻技術，助力團隊制造出尺寸precise、質量輕盈的微型齒輪、機翼骨架等微機械結構。例如，利用該光刻機制造的微型齒輪，齒距精度達到納米級別，極大提高了飛行器動力傳輸系統的效率和穩(wěn)定性?；诖?，科研團隊成功試飛了一款新型微型飛行器，其續(xù)航時間和飛行靈活性遠超同類產品，為未來微型飛行器在復雜環(huán)境下的應用奠定了堅實基礎。

一家專注于再生醫(yī)學的科研公司在組織工程支架的研究上，使用德國 Polos 光刻機取得remarkable成果。組織工程支架需要具備特定的三維結構，以促進細胞的生長和組織的修復。Polos 光刻機能夠根據預先設計的三維模型，在生物可降解材料上精確制造出復雜的孔隙結構和表面圖案。通過該光刻機制造的支架，在動物實驗中表現出優(yōu)異的細胞黏附和組織生長引導能力。與傳統制造方法相比，使用 Polos 光刻機生產的支架，細胞在其上的增殖速度提高了 50%，為組織工程和再生醫(yī)學的臨床應用提供了有力支持。微流體領域：支持 1-100μm 微通道定制，助力organ芯片血管網絡precise建模。

Polos光刻機在微機械加工中表現outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結合雙光子聚合技術（如Nanoscribe系統），用戶還能擴展至3D微納結構打印，為微型機器人及光學元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。全球產業(yè)鏈整合：德國精密制造背書，與Lab14集團共推光通信芯片封裝技術。四川光刻機MAX層厚可達到10微米

Polos-BESM 光刻機：無掩模激光技術，成本降低 50%，任意圖案輕松輸入，適配實驗室微納加工。四川光刻機MAX層厚可達到10微米

在構建肝臟芯片的血管化網絡時，某生物工程團隊使用 Polos 光刻機實現了跨尺度結構制備。其無掩模技術在 200μm 的主血管與 5μm 的blood capillary間precise銜接，血管內皮細胞貼壁率達 95%，較傳統光刻提升 30%。通過輸入 CT 掃描的真實肝臟血管數據，芯片成功模擬門靜脈與肝竇的血流梯度，使肝細胞功能維持時間從 7 天延長至 21 天。該技術為藥物肝毒性測試提供了接近體內環(huán)境的模型，某制藥公司使用后將候選藥物篩選周期縮短 40%，相關成果登上《Lab on a Chip》封面。四川光刻機MAX層厚可達到10微米