河北PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-08-18

某能源研究團(tuán)隊(duì)采用 Polos 光刻機(jī)制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極,器件的能量轉(zhuǎn)換效率達(dá) 35%,在 10Hz 振動(dòng)下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過(guò)自定義電極間距和厚度,該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動(dòng),在智能穿戴設(shè)備中實(shí)現(xiàn)了運(yùn)動(dòng)能量的實(shí)時(shí)采集與存儲(chǔ)。其輕量化設(shè)計(jì)(體積 < 1mm3)還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點(diǎn),使傳感器續(xù)航時(shí)間從 3 個(gè)月延長(zhǎng)至 2 年。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。環(huán)保低能耗設(shè)計(jì):固態(tài)光源能耗較傳統(tǒng)設(shè)備降低30%,符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。河北PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

河北PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米,光刻機(jī)

德國(guó)Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無(wú)掩模激光直寫技術(shù),突破傳統(tǒng)光刻對(duì)物理掩膜的依賴,支持用戶通過(guò)軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)和405 nm紫外光源,可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊,only占桌面空間,搭配閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦(1秒完成)和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能,大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開(kāi)發(fā)效率,適用于微流體芯片設(shè)計(jì)、電子元件制造等領(lǐng)域。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。浙江德國(guó)PSP-POLOS光刻機(jī)可以自動(dòng)聚焦波長(zhǎng)微流體3D成型:復(fù)雜流道快速曝光,助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統(tǒng)研發(fā)。

河北PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米,光刻機(jī)

SPS POLOS μ以緊湊的桌面設(shè)計(jì)降低實(shí)驗(yàn)室設(shè)備投入,光束引擎通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)高速掃描(單次寫入400 μm區(qū)域)。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光,成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速驗(yàn)證。其無(wú)掩模特性進(jìn)一步減少材料浪費(fèi),為中小型實(shí)驗(yàn)室提供經(jīng)濟(jì)解決方案62。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

某生物力學(xué)實(shí)驗(yàn)室通過(guò) Polos 光刻機(jī),在單一芯片上集成了壓阻式和電容式細(xì)胞力傳感器。其多材料曝光技術(shù)在 20μm 的懸臂梁上同時(shí)制備金屬電極與硅基壓阻元件,傳感器的力分辨率達(dá) 5pN,位移檢測(cè)精度達(dá) 1nm。在心肌細(xì)胞收縮力檢測(cè)中,該集成傳感器實(shí)現(xiàn)了力 - 電信號(hào)的同步采集,發(fā)現(xiàn)收縮力峰值與動(dòng)作電位時(shí)程的相關(guān)性達(dá) 0.92,為心臟電機(jī)械耦合機(jī)制研究提供了全新工具,相關(guān)論文發(fā)表于《Biophysical Journal》。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)??鐚W(xué)科應(yīng)用:覆蓋微機(jī)械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領(lǐng)域。

河北PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米,光刻機(jī)

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本,無(wú)需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過(guò)壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描,單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm,支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示,該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器,助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。無(wú)掩模技術(shù)優(yōu)勢(shì):摒棄傳統(tǒng)掩模,圖案實(shí)時(shí)調(diào)整,研發(fā)成本降低 70%,小批量生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)性突出。黑龍江POLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

微型傳感器量產(chǎn):80 μm開(kāi)環(huán)諧振器加工能力,推動(dòng)工業(yè)級(jí)MEMS傳感器升級(jí)。河北PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

某基因treatment團(tuán)隊(duì)采用 Polos 光刻機(jī)開(kāi)發(fā)了微米級(jí) DNA 遞送載體。通過(guò) STL 模型直接導(dǎo)入,在生物可降解聚合物表面刻制出 1-5μm 的蜂窩狀微孔結(jié)構(gòu),載體的 DNA 負(fù)載量達(dá) 200μg/mg,較傳統(tǒng)電穿孔法提升 5 倍。動(dòng)物實(shí)驗(yàn)顯示,該載體在肝臟靶向遞送中,基因轉(zhuǎn)染效率達(dá) 65%,且免疫原性降低 70%。其無(wú)掩模特性支持根據(jù)不同細(xì)胞表面受體定制載體形貌,在 CAR-T 細(xì)胞treatment中,CAR 基因?qū)胄蕪?30% 提升至 75%,相關(guān)技術(shù)已申請(qǐng)國(guó)際patent。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。河北PSP光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米