上海光刻機(jī)分辨率1.5微米

形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結(jié)構(gòu)加工需要高精度圖案定位。Polos 光刻機(jī)的亞微米級定位精度，幫助科研團(tuán)隊(duì)在鎳鈦合金薄膜上刻制出復(fù)雜驅(qū)動電路，成功制備出微型可編程抓手。該抓手在 40℃溫場中可實(shí)現(xiàn) 0.1mm 行程的precise控制，抓取力達(dá) 50mN，較傳統(tǒng)微加工方法性能提升 50%。該技術(shù)被應(yīng)用于微納操作機(jī)器人，在單細(xì)胞膜片鉗實(shí)驗(yàn)中成功率從 40% 提升至 75%，為細(xì)胞級precise操作提供了關(guān)鍵工具。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。環(huán)保低能耗設(shè)計(jì)：固態(tài)光源能耗較傳統(tǒng)設(shè)備降低30%，符合綠色實(shí)驗(yàn)室標(biāo)準(zhǔn)。上海光刻機(jī)分辨率1.5微米

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達(dá) 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。河南德國PSP-POLOS光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸科研成果轉(zhuǎn)化：中科院利用同類技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細(xì)胞浸潤機(jī)制。

無掩模激光光刻：科研效率的revolution性提升！Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術(shù)，用戶可通過軟件直接輸入任意圖案，省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時(shí)間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）支持5英寸晶圓的高精度加工，特別適合實(shí)驗(yàn)室快速原型開發(fā)。閉環(huán)自動對焦系統(tǒng)（1秒完成）和半自動多層對準(zhǔn)功能，remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。

柔性電子是未來可穿戴設(shè)備的core方向，其電路圖案需適應(yīng)曲面基底。Polos 光刻機(jī)的無掩模技術(shù)在聚酰亞胺柔性基板上實(shí)現(xiàn)了 2μm 線寬的precise曝光，解決了傳統(tǒng)掩模對準(zhǔn)偏差問題。某柔性電子研究中心利用該設(shè)備，開發(fā)出可貼合皮膚的健康監(jiān)測貼片，其傳感器陣列的信號噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝，Polos 光刻機(jī)將打樣時(shí)間從 72 小時(shí)壓縮至 8 小時(shí)，加速了柔性電路的迭代優(yōu)化，推動柔性電子從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化落地。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會。光學(xué)超材料突破：光子晶體結(jié)構(gòu)precise制造，賦能超透鏡與隱身技術(shù)研究。

在微流體領(lǐng)域，Polos系列光刻機(jī)通過無掩模技術(shù)實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜3D流道結(jié)構(gòu)的快速成型。例如，中科院理化所利用類似技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細(xì)胞球浸潤行為，為組織工程提供了新型生物界面設(shè)計(jì)策略10。Polos設(shè)備的精度與靈活性可支持此類仿生結(jié)構(gòu)的批量生產(chǎn)，推動醫(yī)療診斷芯片的研發(fā)。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。Polos-BESM 光刻機(jī)：無掩模激光直寫，50nm 精度，支持金屬 / 聚合物同步加工，適配第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)。遼寧BEAM-XL光刻機(jī)分辨率1.5微米

電子學(xué)應(yīng)用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍。上海光刻機(jī)分辨率1.5微米

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本，無需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動快速掃描，單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。上海光刻機(jī)分辨率1.5微米