(6)分散劑
為了提高漿料的固含量,無論是水基體系還是非水基體系均需加入分散劑。分散劑可以提高漿料的穩(wěn)定性,阻止顆粒再團聚,進而提高漿料的固含量。
(7)消泡劑和表面活性劑
為了防止?jié){料在浸漬和擠出多余漿料的過程中起泡而影響制品的性能,需加入消泡劑,一般采用低分子量的醇和硅酮。陶瓷漿料為水基漿料時,如果有機泡沫與漿料之間的潤濕性差,在浸漬漿料時就會出現(xiàn)泡沫結構的交叉部分附著較厚的漿料,而在結構的橋部和棱線部分附著很薄的漿料的現(xiàn)象。這種情況嚴重時會導致燒結過程中坯體開裂,使多孔陶瓷的強度明顯降低。因此,通常采用添加表面活性劑的方法以改善陶瓷漿料與有機泡沫體之間的附著性來解決此問題。 通過微小的氣孔把空氣吸出,便加工物緊貼在陶瓷面上。蘇州新款微孔陶瓷真空吸盤
高致密性陶瓷真空吸盤(多孔陶瓷真空吸盤),特殊的多孔陶瓷材料其孔徑為2~3微米,不易阻塞真空力大,部份面積吸附,同時也可作氣浮平臺,廣泛應用半導體、面板、雷射制程及非接觸線性滑軌。多孔陶瓷真空吸盤是密封的空氣來維持傳輸,裝置應用***用于平坦,無孔表面的工作平臺。使用者通常是機器操作員。在金屬加工領域,這是一項安全可靠的工件傳輸。自動化搬運、對象吸取、定位、精密網(wǎng)板印刷用工作臺,利用孔洞透氣性陶瓷(氧化鋁或碳化硅)接上真空吸力,將工作物(包括晶圓、玻璃、PET膜或其他薄型工作物)放置陶瓷工作吸盤上,利用真空吸力使工作物固定,進行清洗、切割、研磨、網(wǎng)版印刷及其他加工程序。微孔真空陶瓷工作盤是各種半導體片生產(chǎn)過程中用于吸附及承載的**工具,應用于減薄、劃片、清洗、搬運等工序。Fountyl公司生產(chǎn)的工作盤可以和日本、德國、以色列、美國及國產(chǎn)的設備配套使用,具有優(yōu)越的性能價格比。 蘇州新款微孔陶瓷真空吸盤微孔陶瓷真空吸盤是一種具有微小孔隙的陶瓷制品,用于吸附物體并創(chuàng)建真空效果。
高純型氧化鋁陶瓷系Al2O3含量在99.9%以上的陶瓷材料,由于其燒結溫度高達1650—1990℃,透射波長為1~6μm,在電子工業(yè)中可用作集成電路基板與高頻絕緣材料。
氧化鋯陶瓷呈白色,含雜質時呈黃色或灰色,一般含有HfO2,不易分離。在常壓下純ZrO2共有三種晶態(tài)。氧化鋯陶瓷的生產(chǎn)要求制備高純、分散性能好、粒子超細、粒度分布窄的粉體,氧化鋯超細粉末的制備方法很多,氧化鋯的提純主要有氯化和熱分解法、堿金屬氧化分解法、石灰熔融法、等離子弧法、沉淀法、膠體法、水解法、噴霧熱解法等。
二、燒成
氧化鋯在不同溫度下,存在著三種同質異形體,即立方晶系、單斜晶系和四方晶系。氧化鋯晶形的轉變溫度如下:
由單斜晶系轉化為四方晶系時伴有7%左右的體積變化。加熱時由單斜一氧化鋯轉變?yōu)樗姆揭谎趸啺l(fā)生體積收縮;冷卻時由四方一氧化鋯轉變?yōu)閱涡币谎趸啺l(fā)生體積膨脹,這種收縮與膨脹并不發(fā)生在同一溫度,前者約為1200oC,后者約為1000oC。
氧化鋯陶瓷的燒結溫度隨原料的制備方法、細度、添加劑種類和加入量的多少而不同,一般在1500~1650oC之間,因此氧化鋯陶瓷沒有統(tǒng)一的燒成曲線,其適宜的燒成制度要通過燒成試驗能得到。氧化鋯陶瓷的燒成由于伴隨著體積的變化,很容易出現(xiàn)開裂,因此燒成曲線的選擇在氧化鋯陶瓷燒成過程中是非常重要的。要注意控制升溫速率,特別在其晶相轉變溫度區(qū)域內(nèi),升溫速率要放慢,對厚胎和大件制品更要注意升溫速率。在1100oC以上降溫速率也要控制好,不能太快,否則也會出現(xiàn)開裂。 廣泛應用于半導體、磁性材料、電子行業(yè)。
B、成型壓力
成型壓力在氧化鋯干壓成型過程中是較關鍵的,壓力太小和太大都不能壓制出理想的坯體。壓力太小,則燒后產(chǎn)品的密度小,產(chǎn)品收縮大,坯體壓實程度不夠容易出現(xiàn)分層;而壓力太大,坯體也容易出現(xiàn)裂紋、分層和脫模困難等現(xiàn)象。合適的成型壓力需要通過生產(chǎn)實踐來摸索。
C、加壓方式
般干壓成型時加壓方式有兩種,一種是單面加壓,另一種是雙面加壓。當單面加壓時,則直接受壓的一端壓力大,出現(xiàn)明顯的壓力梯度,粉料的流動性越差,則坯體內(nèi)出現(xiàn)的壓力差也就越大,越容易出現(xiàn)分層。雙面加壓時,坯體兩端直接受壓,因此兩端密度大,中間密度小,其壓力梯度的有效傳遞距離為單面加壓的一半,故坯體的密度比單面加壓要均勻得多。因此氧化鋯陶瓷干壓成型時宜采用雙面加壓的方式。 產(chǎn)品種類:陶瓷柱塞、陶瓷泵芯、陶瓷閥芯、陶瓷活塞、陶瓷軸套、陶瓷吸盤、微孔陶瓷等.清遠正規(guī)微孔陶瓷真空吸盤批發(fā)
易于再生和優(yōu)良的抗熱震性等優(yōu)點.蘇州新款微孔陶瓷真空吸盤
4、Al-SiO2法
Al-SiO2法是目前制備氧化鋁陶瓷中采用**多的方法。該方法將Al金屬和SiO2粉體混合均勻后,在Ar氣條件下進行反應,反應溫度一般為1300~1500 ℃
,反應時間為2~4h,制備得到氧化鋁陶瓷。
Al-SiO2法優(yōu)點是原料價格低廉,工藝操作簡單易行。缺點是:制備過程中需要通入保護氣體,限制了其工業(yè)應用。
5、前驅體法
化學反應前驅體法在水熱條件下進行,原料在高壓釜內(nèi)發(fā)生反應得到前驅體,前驅體已經(jīng)具有陶瓷或是纖維狀結構,為**終產(chǎn)物的出現(xiàn)提供了骨架。在水熱制備氧化鋁陶瓷中,勃姆石纖維為常見中間體。主要工藝過程是采用 Al(OH)3為前驅體,膠體經(jīng)水熱反應生成纖維狀勃姆石晶粒,再經(jīng)常壓下煅燒,得到 α-Al2O3微粉,晶粒仍保持了纖維形狀。 蘇州新款微孔陶瓷真空吸盤
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